一种直写式光刻机涨缩一致的补偿方法技术

本发明专利技术涉及

【技术实现步骤摘要】
一种直写式光刻机涨缩一致的补偿方法


[0001]本专利技术涉及
PCB
制作，具体涉及一种直写式光刻机涨缩一致的补偿方法
。

技术介绍

[0002]PCB
制作工艺是在不同生产设备上进行的，为了保证前后工艺环节对准，要求前后工艺采用固定的涨缩
。
现有
PCB
生产设备中，通常由上游机生产
A
面，下游机生产
B
面，每台设备又有两个台面，按照这样的模式，四个台面的涨缩需要进行一致性补偿
。
台面涨缩误差是由硬件造成的，不可能完全调成一致，就算经过标定也无法达到完全一致
。
[0003]此外，资料涨缩误差的形成与计算方式有关，一般来说是采用最小二乘法进行拟合，直接从源到目标拟合加上消除涨缩，会引入较大的误差
。

技术实现思路

[0004](
一
)
解决的技术问题
[0005]针对现有技术所存在的上述缺点，本专利技术提供了一种直写式光刻机涨缩一致的补偿方法，能够有效克服现有技术所存在的无法对台面涨缩误差和资料涨缩误差进行有效一致性补偿的缺陷
。
[0006](
二
)
技术方案
[0007]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：
[0008]一种直写式光刻机涨缩一致的补偿方法，对于内层
、
外层对准，对外层涨缩进行预测时的情况：
[0009]将资料设置为自动涨缩，台面涨缩补偿设置为1，外层对准获取涨缩值，则示值涨缩为实际涨缩叠加台面涨缩补偿；
[0010]对于内层
、
外层不对准，外层曝光时的情况：
[0011]计算涨缩矩阵
SMartrix
，计算资料对齐矩阵
AMartrix
和台面摆片矩阵
LMartrix
，将
LMartrix*Amartrix*SMartrix
作为最终矩阵处理图形曝光；
[0012]对于内层
、
外层对准，外层曝光时的情况：
[0013]计算涨缩矩阵
SMartrix
，计算资料对齐矩阵
AMartrix
和台面摆片矩阵
LMartrix
，对图层的标靶应用
LMartrix*Amartrix*SMartrix
获得标靶理论位置
WCenter
，抓取标靶实际位置
RWCenter
，计算标靶理论位置
WCenter
至标靶实际位置
RWCenter
的过渡矩阵
RMartrix
；
[0014]判断是否为固定涨缩，若为固定涨缩，则消除过渡矩阵
RMartrix
中的涨缩，并将
RMartrix*LMartrix*Amartrix*SMartrix
作为最终矩阵处理图形曝光，否则直接将
RMartrix*LMartrix*Amartrix*SMartrix
作为最终矩阵处理图形曝光；
[0015]对于内层
、
外层对准，内层曝光时的情况：
[0016]计算涨缩矩阵
SMartrix
，计算台面标靶标记在摄像头中的位置
CAMCenter
，计算资料对齐矩阵
AMartrix
和台面摆片矩阵
LMartrix
，对图层的标靶应用
LMartrix*Amartrix*
SMartrix
获得标靶理论位置
WCenter
，抓取标靶实际位置
RWCenter
，计算标靶理论位置
WCenter
至标靶实际位置
RWCenter
的过渡矩阵
RMartrix
；
[0017]判断是否为固定涨缩，若为固定涨缩，则消除过渡矩阵
RMartrix
中的涨缩，并将
RMartrix*LMartrix*Amartrix*SMartrix
作为最终矩阵处理图形曝光，否则直接将
RMartrix*LMartrix*Amartrix*SMartrix
作为最终矩阵处理图形曝光
。
[0018]优选地，所述台面涨缩补偿定义如下：
[0019]设
P0为补偿校准的基准坐标系，
P
b
为需要补偿校准的目标坐标系，则采用下式计算台面涨缩补偿
C
b
：
[0020]C
b
＝
P
b
/P0(1
‑
1)。
[0021]优选地，对于内层
、
外层对准，对外层涨缩进行预测时的情况：
[0022]设有一条直线段
L
，在基准坐标系
P0下测量为
L0，在目标坐标系
P
b
下测量为
L
b
，则采用下式计算基准坐标系
P0的预测涨缩
S0’
：
[0023]S0’
＝
L0/L(2
‑
1)
[0024]采用下式计算目标坐标系
P
b
的预测涨缩
S
b
’
：
[0025]S
b
’
＝
L
b
/L(2
‑
2)
[0026]由式1‑1可得：
[0027]L
b
＝
L0*C
b
‑1(2
‑
3)
[0028]将式2‑3代入式2‑2可得：
[0029]S
b
’
＝
(L0*C
b
‑1)/L
＝
(L0/L)*C
b
‑1＝
S0’
*C
b
‑1(2
‑
4)
[0030]由式2‑4可得：
[0031]S0’
＝
S
b
’
*C
b
(2
‑
5)
[0032]因此，基准坐标系
P0的预测涨缩
S0’
为目标坐标系
P
b
的预测涨缩
S
b
’
与台面涨缩补偿
C
b
的乘积，基准坐标系
P0的预测涨缩
S0’
即为示值涨缩
。
[0033]优选地，由式2‑5可得：
[0034]C
b
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种直写式光刻机涨缩一致的补偿方法，其特征在于：对于内层
、
外层对准，对外层涨缩进行预测时的情况：将资料设置为自动涨缩，台面涨缩补偿设置为1，外层对准获取涨缩值，则示值涨缩为实际涨缩叠加台面涨缩补偿；对于内层
、
外层不对准，外层曝光时的情况：计算涨缩矩阵
SMartrix
，计算资料对齐矩阵
AMartrix
和台面摆片矩阵
LMartrix
，将
LMartrix*Amartrix*SMartrix
作为最终矩阵处理图形曝光；对于内层
、
外层对准，外层曝光时的情况：计算涨缩矩阵
SMartrix
，计算资料对齐矩阵
AMartrix
和台面摆片矩阵
LMartrix
，对图层的标靶应用
LMartrix*Amartrix*SMartrix
获得标靶理论位置
WCenter
，抓取标靶实际位置
RWCenter
，计算标靶理论位置
WCenter
至标靶实际位置
RWCenter
的过渡矩阵
RMartrix
；判断是否为固定涨缩，若为固定涨缩，则消除过渡矩阵
RMartrix
中的涨缩，并将
RMartrix*LMartrix*Amartrix*SMartrix
作为最终矩阵处理图形曝光，否则直接将
RMartrix*LMartrix*Amartrix*SMartrix
作为最终矩阵处理图形曝光；对于内层
、
外层对准，内层曝光时的情况：计算涨缩矩阵
SMartrix
，计算台面标靶标记在摄像头中的位置
CAMCenter
，计算资料对齐矩阵
AMartrix
和台面摆片矩阵
LMartrix
，对图层的标靶应用
LMartrix*Amartrix*SMartrix
获得标靶理论位置
WCenter
，抓取标靶实际位置
RWCenter
，计算标靶理论位置
WCenter
至标靶实际位置
RWCenter
的过渡矩阵
RMartrix
；判断是否为固定涨缩，若为固定涨缩，则消除过渡矩阵
RMartrix
中的涨缩，并将
RMartrix*LMartrix*Amartrix*SMartrix
作为最终矩阵处理图形曝光，否则直接将
RMartrix*LMartrix*Amartrix*SMartrix
作为最终矩阵处理图形曝光
。2.
根据权利要求1所述的直写式光刻机涨缩一致的补偿方法，其特征在于：所述台面涨缩补偿定义如下：设
P0为补偿校准的基准坐标系，
P
b
为需要补偿校准的目标坐标系，则采用下式计算台面涨缩补偿
C
b
：
C
b
＝
P
b
/P0(1
‑
1)。3.
根据权利要求2所述的直写式光刻机涨缩一致的补偿方法，其特征在于：对于内层
、
外层对准，对外层涨缩进行预测时的情况：设有一条直线段
L
，在基准坐标系
P0下测量为
L0，在目标坐标系
P
b
下测量为
L
b
，则采用下式计算基准坐标系
P0的预测涨缩
S0’
：
S0’
＝
L0/L (2
‑
1)
采用下式计算目标坐标系
P
b
的预测涨缩
S
b
’
：
S
b
’
＝
L
b
/L (2
‑
2)
由式1‑1可得：
L
b
＝
L0*C
b
‑
1 (2
‑
3)
将式2‑3代入式2‑2可得：
S
b
’
＝
(L0*C
b
‑1)/L
＝
(L0/L)*C
b
‑1＝
S0’
*C
b
‑
1 (2
‑
4)
由式2‑4可得：
S0’
＝
S
b
’
*C
b (2
‑
5)
因此，基准坐标系
P0的预测涨缩
S0’
为目标坐标系
P
b
的预测涨缩
S
b
’
与台面涨缩补偿
C
b
的乘积，基准坐标系
P0的预测涨缩
S0’
即为示值涨缩
。4.
根据权利要求3所述的直写式光刻机涨缩一致的补偿方法，其特征在于：由式2‑5可得：
C
b
＝

【专利技术属性】
技术研发人员：李慧怡，王运钢，章广飞，薛业保，
申请(专利权)人：安徽国芯智能装备有限公司，
类型：发明
国别省市：