光刻参数优化方法技术

本发明专利技术实施例提供一种光刻参数优化方法

【技术实现步骤摘要】
光刻参数优化方法、装置及其相关设备


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，具体涉及一种光刻参数优化方法
、
装置及其相关设备
。

技术介绍

[0002]光刻胶是一种对光敏感的混合材料，用于在光照或辐射下变性，产生溶于或不溶于特定显影材料的特质
。
在半导体
，利用光刻胶变性这一特性，可以实现对基底材料的图形化，从而实现对芯片的制备
。
其中，光刻所能实现的关键尺寸
(Critical Dimension,CD)
和套刻精度直接决定了芯片的集成度，良率和成本
。
[0003]目前，半导体行业中主要使用
193nm
浸没式光刻技术来实现集成电路先进技术节点的制备，其单次曝光可得到的关键尺寸仅为
38nm。
而极紫外
(Extreme Ultraviolet
，
EUV)
光刻技术采用波长为
13.5nm
的曝光光源，单次曝光可获得
30nm
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光刻参数优化方法，其特征在于，包括：获取多组待测参数组，所述待测参数组包括至少一个用于描述光刻工艺的工艺参数；模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，所述结果数据组包括多个成像参数；以所述结果数据组中的各成像参数均符合预设条件的待测参数组为目标参数组；返回所述目标参数组
。2.
根据权利要求1所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，具体为，利用光刻工艺模型模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组；所述模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组之前，还包括：构建所述光刻工艺模型
。3.
根据权利要求2所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述光刻工艺模型包括多个光刻工艺子模型，一光刻工艺子模型用于模拟确定对应所述待测参数组的至少一个成像参数；所述构建所述光刻工艺模型的步骤，包括：构建所述光刻工艺模型中的光刻工艺子模型
。4.
根据权利要求3所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述构建所述光刻工艺模型中的光刻工艺子模型，包括：根据所述待测参数组，获取训练数据集；建立初始子模型；根据所述训练数据集，基于所述初始子模型进行结构寻优，训练得到模型结构参数；以所述模型结构参数建立所述光刻工艺子模型
。5.
根据权利要求1所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述获取多组待测参数组，包括：获取第一待测参数组；基于所述第一待测参数组，扰动产生第二待测参数组；以所述第一待测参数组和所述第二待测参数组作为所述多组待测参数组
。6.
根据权利要求5所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，包括：模拟确定所述第一待测参数组与所述第二待测参数组对应的结果数据组
。7.
根据权利要求6所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述以结果数据组中各成像参数均符合预设条件的待测参数组为目标参数组的步骤之前，还包括：基于所述第一待测参数组与所述第二待测参数组对应的结果数据组，在所述第一待测参数组与所述第二待测参数组中，选取备选参数组；所述以所述结果数据组中的各成像参数均符合预设条件的待测参数组为目标参数组的步骤，包括：判断所述备选参数组对应的结果数据中各成像参数是否符合预设条件；若是，则以所述备选参数组为目标参数组；若否，则以所述备选参数组为第一待测参数组，并执行所述获取多组待测参数组，所述模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，以及，所述选取备选参数组，所述判断所述备
选参数组是否符合预设条件的步骤，直至所述备选参数组对应的结果数据中各成像参数符合预设条件，得到所述目标参数组
。8.
根据权利要求1‑7任一项所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述待测参数组包括以下工艺参数中的任意一个或多个：底部抗反射层厚度
、
光刻胶厚度
、
软烘温度
、
软烘时间
、
曝光后烘温度
、
曝光后烘时间和显影时间
。9.
根据权利要求8所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述待测参数组中的工艺参数对应有参数范围；...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐宏，何向明，赵荣波，
申请(专利权)人：北京华睿新能动力科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：