光刻参数优化方法技术

本发明专利技术实施例提供一种光刻参数优化方法

【技术实现步骤摘要】
光刻参数优化方法、装置及其相关设备


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，具体涉及一种光刻参数优化方法
、
装置及其相关设备
。

技术介绍

[0002]光刻胶是一种对光敏感的混合材料，用于在光照或辐射下变性，产生溶于或不溶于特定显影材料的特质
。
在半导体
，利用光刻胶变性这一特性，可以实现对基底材料的图形化，从而实现对芯片的制备
。
其中，光刻所能实现的关键尺寸
(Critical Dimension,CD)
和套刻精度直接决定了芯片的集成度，良率和成本
。
[0003]目前，半导体行业中主要使用
193nm
浸没式光刻技术来实现集成电路先进技术节点的制备，其单次曝光可得到的关键尺寸仅为
38nm。
而极紫外
(Extreme Ultraviolet
，
EUV)
光刻技术采用波长为
13.5nm
的曝光光源，单次曝光可获得
30nm
以下的关键尺寸分辨率，被认为是最有前途的光刻技术
。
但是，随着光刻技术中关键尺寸的逐渐缩小，对光刻胶成像性能的要求也在逐步升高
。
[0004]因此，如何实现光刻参数的优化，提升光刻胶成像性能，成为了本领域技术人员亟需解决的技术问题
。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种光刻参数优化方法
、/>装置及其相关设备，以实现对光刻参数的优化，提升光刻胶成像性能
。
[0006]为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案
。
[0007]第一方面，本专利技术实施例提供一种光刻参数优化方法，包括：
[0008]获取多组待测参数组，所述待测参数组包括至少一个用于描述光刻工艺的工艺参数；
[0009]模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，所述结果数据组包括多个成像参数；
[0010]以所述结果数据组中的各成像参数均符合预设条件的待测参数组为目标参数组；
[0011]返回所述目标参数组
。
[0012]第二方面，本专利技术实施例提供一种光刻参数优化装置，包括：
[0013]获取模块，用于获取多组待测参数组，所述待测参数组包括至少一个用于描述光刻工艺的工艺参数；
[0014]模拟确定模块，用于模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，所述结果数据组包括多个成像参数；
[0015]参数确定模块，用于以所述结果数据组中的各成像参数均符合预设条件的待测参数组为目标参数组；
[0016]返回模块，用于返回所述目标参数组
。
[0017]第三方面，本专利技术实施例提供一种计算机设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器；所述存储器存储一条或多条计算机可执行指令，所述处理器调用所述一条或多条计算机可执行指令，以执行上述所述的光刻参数优化方法
。
[0018]第四方面，本专利技术实施例提供一种存储介质，所述存储介质存储一条或多条计算机可执行指令，所述一条或多条计算机可执行指令用于执行上述所述的光刻参数优化方法
。
[0019]本专利技术实施例提供的光刻参数优化方法，通过获取多组待测参数组，所述待测参数组包括至少一个用于描述光刻工艺的工艺参数，进而模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，所述结果数据组包括多个成像参数，以结果数据组中各成像参数均符合预设条件的待测参数组为目标参数组，从而返回所述目标参数组
。
[0020]可以看出，本专利技术实施例中以结果数据组中的多个成像参数为依据进行目标参数组的筛选，使得得到的目标参数组能够同时满足光刻胶成像性能的多个成像参数的要求，从而实现光刻参数的优化，提升光刻胶成像性能
。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图
。
[0022]图1是本专利技术实施例提供的光刻参数优化方法的一可选流程图；
[0023]图2是本专利技术实施例提供的光刻参数优化方法的另一可选流程图；
[0024]图3是本专利技术实施例提供的构建光刻工艺子模型的可选流程图；
[0025]图4是一种神经网络的可选结构示意图；
[0026]图5是遗传算法优化神经网络的一可选流程图；
[0027]图6是本专利技术实施例提供的步骤
S10
的可选流程图；
[0028]图7是本专利技术实施例提供的光刻参数优化方法的又一可选流程图；
[0029]图8是本专利技术实施例提供的优化各成像参数的结果示意图；
[0030]图9是本专利技术实施例提供的光刻参数优化装置的一可选框图；
[0031]图
10
是本专利技术实施例提供的光刻参数优化装置的另一可选框图
。
具体实施方式
[0032]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0033]随着芯片关键尺寸的缩小，对光刻材料
——
光刻胶的研究开发已经成为热门
。
其中，衡量光刻胶成像性能的成像参数
(
也称指标
)
很多，现有的通用成像参数主要有三个，分别为分辨率
(Resolution,R)、
灵敏度
(Sensitivity,S)
以及粗糙度
(
线边粗糙度
Line Edge Roughness,LER
，或者，线宽粗糙度
Line Width Roughness,LWR)
，这三个成像参数可以简称
为
RLS
指标
。
[0034]其中，光刻胶成像性能主要受光刻工艺的工艺参数的影响
。
具体的，光刻工艺的工艺参数例如可以为：底部抗反射层厚度
、
光刻胶厚度
、
软烘温度
、
软烘时间
、
曝光后烘温度
、
曝光后烘时间和显影时间等，然而，这些工艺参数对光刻胶成像性能的影响各不相同，从而体现在对各成像参数的影响也是各不相同，甚至在不同成像参数分析中，同一工艺参数可能对不同的成像参数具有相反导向的影响，例如，同一工艺参数可能对灵敏度具有良性导向，即，工艺参数值越高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光刻参数优化方法，其特征在于，包括：获取多组待测参数组，所述待测参数组包括至少一个用于描述光刻工艺的工艺参数；模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，所述结果数据组包括多个成像参数；以所述结果数据组中的各成像参数均符合预设条件的待测参数组为目标参数组；返回所述目标参数组
。2.
根据权利要求1所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，具体为，利用光刻工艺模型模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组；所述模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组之前，还包括：构建所述光刻工艺模型
。3.
根据权利要求2所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述光刻工艺模型包括多个光刻工艺子模型，一光刻工艺子模型用于模拟确定对应所述待测参数组的至少一个成像参数；所述构建所述光刻工艺模型的步骤，包括：构建所述光刻工艺模型中的光刻工艺子模型
。4.
根据权利要求3所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述构建所述光刻工艺模型中的光刻工艺子模型，包括：根据所述待测参数组，获取训练数据集；建立初始子模型；根据所述训练数据集，基于所述初始子模型进行结构寻优，训练得到模型结构参数；以所述模型结构参数建立所述光刻工艺子模型
。5.
根据权利要求1所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述获取多组待测参数组，包括：获取第一待测参数组；基于所述第一待测参数组，扰动产生第二待测参数组；以所述第一待测参数组和所述第二待测参数组作为所述多组待测参数组
。6.
根据权利要求5所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，包括：模拟确定所述第一待测参数组与所述第二待测参数组对应的结果数据组
。7.
根据权利要求6所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述以结果数据组中各成像参数均符合预设条件的待测参数组为目标参数组的步骤之前，还包括：基于所述第一待测参数组与所述第二待测参数组对应的结果数据组，在所述第一待测参数组与所述第二待测参数组中，选取备选参数组；所述以所述结果数据组中的各成像参数均符合预设条件的待测参数组为目标参数组的步骤，包括：判断所述备选参数组对应的结果数据中各成像参数是否符合预设条件；若是，则以所述备选参数组为目标参数组；若否，则以所述备选参数组为第一待测参数组，并执行所述获取多组待测参数组，所述模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，以及，所述选取备选参数组，所述判断所述备
选参数组是否符合预设条件的步骤，直至所述备选参数组对应的结果数据中各成像参数符合预设条件，得到所述目标参数组
。8.
根据权利要求1‑7任一项所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述待测参数组包括以下工艺参数中的任意一个或多个：底部抗反射层厚度
、
光刻胶厚度
、
软烘温度
、
软烘时间
、
曝光后烘温度
、
曝光后烘时间和显影时间
。9.
根据权利要求8所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述待测参数组中的工艺参数对应有参数范围；...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐宏，何向明，赵荣波，
申请(专利权)人：北京华睿新能动力科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：