一种通孔桥接缺陷预测方法技术

本申请公开一种通孔桥接缺陷预测方法

【技术实现步骤摘要】
一种通孔桥接缺陷预测方法、装置和计算机可读介质


[0001]本申请属于半导体
，尤其涉及一种通孔桥接缺陷预测方法
、
装置和计算机可读介质
。

技术介绍

[0002]随着最小特征尺寸缩小，双重曝光工艺
(double patterning
，
DPT)
的引入再一次拓展了光刻的物理极限
。
其中在逻辑电路的制造中，光刻
‑
刻蚀
‑
光刻
‑
刻蚀
(Litho
‑
Etch
‑
Litho
‑
Etch
，
LELE)
是最常用的双重曝光技术
。
[0003]双重曝光技术下的通孔桥接缺陷预测对于版图设计
、
光刻工艺选择
、
版图与工艺的优化等具有指导意义，然而传统方式中，双重曝光技术下的通孔桥接缺陷预测方法，存在准确度低
、
耗时高
、
无法应用在大规模的集成电路制造中等技术问题
。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供一种通孔桥接缺陷预测方法
、
装置和计算机可读介质，通过将套刻误差统计特性引入双重曝光技术下的通孔桥接缺陷预测中，来解决传统技术存在的至少部分技术问题
。
[0005]具体方案如下：
[0006]一种通孔桥接缺陷预测方法，包括：
[0007]基于集成电路通孔层的待处理区域内分别位于两层版图上的通孔构建计算单元，每个计算单元对应一通孔对，每个通孔对由分别位于所述两层版图上的两个通孔形成；所述两层版图为通过双重曝光工艺将所述集成电路的电路图拆分成的两个版图；
[0008]根据套刻误差波动范围，预测每个计算单元对应的通孔对桥接与非桥接的通孔位置分界线；
[0009]根据各个计算单元对应的通孔对桥接与非桥接的通孔位置分界线，预测各个计算单元对应的通孔对的目标安全区域；所述目标安全区域为能够使各个计算单元对应的通孔对均非桥接的各个通孔位置形成的区域；
[0010]根据套刻误差的变动统计特征，确定所述目标安全区域内各个计算单元对应的通孔对非桥接的概率，以基于所得的概率确定通孔桥接缺陷概率预测结果
。
[0011]可选的，所述两层版图上的通孔对应的线宽基于刻蚀后的线宽变化而定
。
[0012]可选的，所述根据套刻误差的变动范围，预测每个计算单元对应的通孔对桥接与非桥接的通孔位置分界线，包括：
[0013]对于每个计算单元，确定所述计算单元对应的通孔对中两个通孔之间位置关系的关系类型；
[0014]固定所述通孔对在第一版图上的第一通孔，并根据所述关系类型在第二通孔的预设移动范围内移动所述通孔对在第二版图上的所述第二通孔，以遍历所述第二通孔在所述预设移动范围内的每个位置与所述第一通孔的距离；所述第一版图和所述第二版图为所述
两层版图包含的版图；所述预设移动范围为根据套刻误差的变动范围设定的移动范围；
[0015]根据所述第二通孔在所述每个位置与所述第一通孔的距离，预测每个计算单元对应的通孔对桥接与非桥接的通孔位置分界点，得到分界点集；
[0016]对所述分界点集进行曲线拟合处理，得到所述计算单元对应的通孔对桥接与非桥接的通孔位置分界线
。
[0017]可选的，所述第二通孔的预设移动范围包括：根据套刻误差对应的高斯概率密度分布，为所述第二通孔确定出的在横向和纵向方向上分别对应的可移动范围
。
[0018]可选的，所述对所述分界点集进行曲线拟合处理，包括：
[0019]根据所述分界点集，构建对应的目标函数
、
约束条件以及对数障碍增广函数；所述目标函数用于限制拟合得到的曲线上的点与所述分界点集中对应点之间的距离，所述约束条件用于限制进行单侧拟合，以使得拟合得到的曲线上的点能够使所对应通孔对中的两个通孔非桥接；
[0020]选定初始点
、
惩罚因子和衰减系数，所述初始点包括拟合曲线的曲线函数所对应函数系数的初始值；
[0021]根据所述惩罚因子
、
所述衰减系数以及所述目标函数
、
所述约束条件
、
所述函数系数的当前值，更新所述对数障碍增广函数；
[0022]对当前的对数障碍增广函数进行求解，根据求解结果更新所述函数系数的值，直至满足停止条件将所得的当前解作为所述函数系数的最优解，并将所述函数系数的最优解对应的拟合曲线作为相应计算单元的通孔对桥接与非桥接的通孔位置分界线
。
[0023]可选的，在对所述分界点集进行曲线拟合处理之前，所述方法还包括：
[0024]根据所述关系类型，对所述分界点集中的分界点进行过滤处理，得到未被过滤的分界点形成的目标分界点集，以对所述目标分界点集进行曲线拟合处理
。
[0025]可选的，所述根据各个计算单元对应的通孔对桥接与非桥接的通孔位置分界线，预测各个计算单元对应的通孔对的目标安全区域，包括：
[0026]根据每个计算单元的通孔位置分界线对应的表征通孔非桥接的安全区域，预测各个计算单元对应的通孔对的目标安全区域
。
[0027]可选的，所述根据套刻误差的变动统计特征，确定所述目标安全区域内各个计算单元对应的通孔对非桥接的概率，，以基于所得的概率确定通孔桥接缺陷概率预测结果，包括：
[0028]根据套刻误差分别在横向和纵向方向波动所遵从的概率密度函数，确定所述目标安全区域内各个计算单元对应的通孔对非桥接的概率；
[0029]根据所述目标安全区域内各个计算单元对应的通孔对非桥接的概率，确定潜在的桥接热点位置及所述桥接热点位置对应的桥接概率
。
[0030]一种通孔桥接缺陷预测装置，包括：
[0031]构建模块，用于基于集成电路通孔层的待处理区域内分别位于两层版图上的通孔构建计算单元，每个计算单元对应一通孔对，每个通孔对由分别位于所述两层版图上的两个通孔形成；所述两层版图为通过双重曝光工艺将所述集成电路的电路图拆分成的两个版图；
[0032]第一预测模块，用于根据套刻误差的变动范围，预测每个计算单元对应的通孔对
桥接与非桥接的通孔位置分界线；
[0033]第二预测模块，用于根据各个计算单元对应的通孔对桥接与非桥接的通孔位置分界线，预测各个计算单元对应的通孔对的目标安全区域；所述目标安全区域为能够使各个计算单元对应的通孔对均非桥接的各个通孔位置形成的区域；
[0034]确定模块，用于根据套刻误差的变动统计特征，确定所述目标安全区域内各个计算单元对应的通孔对非桥接的概率，以基于所得的概率确定通孔桥接缺陷概率预测结果
。
[0035]一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序，所述计算本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种通孔桥接缺陷预测方法，其特征在于，包括：基于集成电路通孔层的待处理区域内分别位于两层版图上的通孔构建计算单元，每个计算单元对应一通孔对，每个通孔对由分别位于所述两层版图上的两个通孔形成；所述两层版图为通过双重曝光工艺将所述集成电路的电路图拆分成的两个版图；根据套刻误差的变动范围，预测每个计算单元对应的通孔对桥接与非桥接的通孔位置分界线；根据各个计算单元对应的通孔对桥接与非桥接的通孔位置分界线，预测各个计算单元对应的通孔对的目标安全区域；所述目标安全区域为能够使各个计算单元对应的通孔对均非桥接的各个通孔位置形成的区域；根据套刻误差的变动统计特征，确定所述目标安全区域内各个计算单元对应的通孔对非桥接的概率，以基于所得的概率确定通孔桥接缺陷概率预测结果
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述两层版图上的通孔对应的线宽基于刻蚀后的线宽变化而定
。3.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据套刻误差的变动范围，预测每个计算单元对应的通孔对桥接与非桥接的通孔位置分界线，包括：对于每个计算单元，确定所述计算单元对应的通孔对中两个通孔之间位置关系的关系类型；固定所述通孔对在第一版图上的第一通孔，并根据所述关系类型在第二通孔的预设移动范围内移动所述通孔对在第二版图上的所述第二通孔，以遍历所述第二通孔在所述预设移动范围内的每个位置与所述第一通孔的距离；所述第一版图和所述第二版图为所述两层版图包含的版图；所述预设移动范围为根据套刻误差的变动范围设定的移动范围；根据所述第二通孔在所述每个位置与所述第一通孔的距离，预测每个计算单元对应的通孔对桥接与非桥接的通孔位置分界点，得到分界点集；对所述分界点集进行曲线拟合处理，得到所述计算单元对应的通孔对桥接与非桥接的通孔位置分界线
。4.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二通孔的预设移动范围包括：根据套刻误差对应的高斯概率密度分布，为所述第二通孔确定出的在横向和纵向方向上分别对应的可移动范围
。5.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述分界点集进行曲线拟合处理，包括：根据所述分界点集，构建对应的目标函数
、
约束条件以及对数障碍增广函数；所述目标函数用于限制拟合得到的曲线上的点与所述分界点集中对应点之间的距离，所述约束条件用于限制进行单侧拟合，以使得拟合得到的曲线上的点能够使所对应通孔对中的两个通孔非桥接；选定初始点
、
惩罚因子和衰减系数，所述初始点包括拟合曲线的曲线函数所对应函数系数的初始值；根据所述惩罚因子
、
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏晓菁，韦亚一，李静静，粟雅娟，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：