用于光刻机的高功率平行光模组制造技术

本发明专利技术涉及光刻机技术领域，具体涉及用于光刻机的高功率平行光模组，本发明专利技术提供用于光刻机的高功率平行光模组，包括沿光轴依次排列的光源

【技术实现步骤摘要】
用于光刻机的高功率平行光模组


[0001]本专利技术涉及光刻机
，具体涉及用于光刻机的高功率平行光模组
。

技术介绍

[0002]光刻机是一种用于微电子制造的关键设备，主要应用于集成电路（
IC
）
、
微电机（
MEMS
）
、
光电子器件等方面
。
其使用光源通过一组光学系统对特定的光敏材料（通常称为光刻胶或者光刻剂）进行精确曝光，从而制作出纳米或微米级别的微结构，应用于集成电路制造
、
光电子器件
、MEMS
制造等领域
。
[0003]目前常见的芯片通常为5纳米
、7
纳米
、14
纳米和更高制程的芯片，对于5纳米和7纳米而言，分步光刻可以更好地控制光刻过程中的参数和工艺边缘效应，通过分成多个步骤，可以更好地控制曝光量
、
光刻胶的受光深度
、
残留层的清除等，提高芯片的加工精度和一致性
。
而对于
14
纳米以及更大制程的芯片来说，光刻技术成熟，仍采用分步光刻则会相对影响光刻效率
。
目前大多数晶片为平面设计，对于不同厚度的晶片，焦平面可进行调节，而对于有时为了特定的设计需求，可以故意设计晶片不是平面的，对于上述多步同时光刻来说，根据晶片曲率同时调节多个光刻焦平面存在技术空白
。

技术实现思路

[0004]针对现有技术所存在的上述缺点，本专利技术提供了用于光刻机的高功率平行光模组，能够有效解决现有技术分步光刻效率低且不可同时调节多个焦平面的问题
。
[0005]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：本专利技术提供用于光刻机的高功率平行光模组，包括沿光轴依次排列的光源
、
耦合镜组
、
匀光件
、
中继镜组
、
掩膜板件
、
投影镜组
、
非平面晶片，还包括：所述投影镜组具有底部物镜组件，所述底部物镜组件由多个相互连接的安装框，所述安装框内上下活动设置有物镜，多个所述安装框外固接有防止漏光的补圆板；其中，所述光源发出的光线通过耦合镜组
、
匀光件
、
中继镜组
、
掩膜板件
、
投影镜组形成多个像点，所述安装框的下端设置有用于监测物镜下一像点位置非平面晶片的高度的监测光刻位置高度传感器
。
[0006]进一步地，还包括监测光线均匀度与强度系统，所述投影镜组在耦合镜组的一侧设置有对各像点光线补强的辅助光源，所述匀光件可增设长度
。
[0007]进一步地，所述安装框内开设有升降槽，所述升降槽内阻尼滑动连接有升降环，所述物镜安装在升降环内侧
。
[0008]进一步地，所述升降环的下端与升降槽内底面均匀固接有多个弹簧，所述升降环内嵌设有活动磁石，所述升降槽内底面且在活动磁石的对应位置嵌设有固定磁铁，且固定磁铁磁极方向可相互转变
。
[0009]进一步地，所述匀光件为透镜阵列
、
棱镜
、
光阑中的一种或两种以上组合
。
[0010]进一步地，所述非平面晶片被承载在载台上，所述载台可进行纳米级运动
。
[0011]本专利技术提供的技术方案，与已知的现有技术相比，具有如下有益效果：本高功率平行光模组通过设置高功率光源，并通过耦合镜组
、
匀光件
、
中继镜组
、
掩膜板件
、
投影镜组在非平面晶片上形成多个像点，实现多步同时光刻作业，适应于制程更大的芯片光刻作业，在适用于非平面晶片的光刻时能够自动调整物镜的高度，像点自动与非平面晶片同步，弥补技术空白，提高光刻效率
。
附图说明
[0012]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍
。
显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0013]图1为本专利技术的结构示意图；图2为本专利技术底部物镜组件立体的结构示意图；图3为本专利技术的俯视图；图4为图3中
A
‑
A
向的剖视图；图5为图3中
B
‑
B
向的剖视图；图6为图4中
C
处放大的结构示意图
。
[0014]图中的标号分别代表：
1、
光源；
2、
耦合镜组；
3、
匀光件；
4、
中继镜组；
5、
掩膜板件；
6、
投影镜组；
61、
底部物镜组件；
611、
安装框；
612、
补圆板；
613、
升降槽；
614、
升降环；
615、
活动磁石；
616、
固定磁铁；
617、
弹簧；
618、
物镜；
619、
监测光刻位置高度传感器；
62、
辅助光源；
7、
非平面晶片
。
具体实施方式
[0015]为使本专利技术实施例的目的
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述
。
显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0016]下面结合实施例对本专利技术作进一步的描述
。
[0017]实施例：参照图1至图6，用于光刻机的高功率平行光模组，包括沿光轴依次排列的光源
1、
耦合镜组
2、
匀光件
3、
中继镜组
4、
掩膜板件
5、
投影镜组
6、
非平面晶片
7。
本专利技术中的光源1为高功率光源，通常是用于产生紫外（
UV
）光的，并且具有足够的功率和稳定性来满足光刻过程中对光照强度的要求，光源1可采用氙灯光源
、
氙气激光器
、
氩气离子激光器
、
氢化物卤素灯光源等，可根据光刻机的要求选择光源类型，具体的选择也取决于所需的波长
、
功率
、
稳定性
、
寿命以及成本等因素...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
用于光刻机的高功率平行光模组，包括沿光轴依次排列的光源（1）
、
耦合镜组（2）
、
匀光件（3）
、
中继镜组（4）
、
掩膜板件（5）
、
投影镜组（6）
、
非平面晶片（7），其特征在于，还包括：所述投影镜组（6）具有底部物镜组件（
61
），所述底部物镜组件（
61
）由多个相互连接的安装框（
611
），所述安装框（
611
）内上下活动设置有物镜（
618
），多个所述安装框（
611
）外固接有防止漏光的补圆板（
612
）；其中，所述光源（1）发出的光线通过耦合镜组（2）
、
匀光件（3）
、
中继镜组（4）
、
掩膜板件（5）
、
投影镜组（6）形成多个像点，所述安装框（
611
）的下端设置有用于监测物镜（
618
）下一像点位置非平面晶片（7）的高度的监测光刻位置高度传感器（
619
）
。2.
根据权利要求1所述的用于光刻机的高功率平行光模组，其特征在于，还包括监测光线均匀度与强度系统，所述投影镜组（6）在耦合镜组（2）的一侧设置有对各像点光线补强的辅助光源（
62

【专利技术属性】
技术研发人员：林世超，吴瑞笑，靳亚超，尹韶云，傅舰艇，
申请(专利权)人：浙江中特微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：