晶体管及其制作方法技术

本公开提供一种晶体管及其制作方法

【技术实现步骤摘要】
晶体管及其制作方法、存储器


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种晶体管及其制作方法
、
存储器
。

技术介绍

[0002]随着科技的不断发展，半导体结构，尤其是存储器的应用越来越广
。
存储器包括多个晶体管，晶体管一般为金属
‑
氧化物
‑
半导体
(Metal Oxide Semiconductor
，简称
MOS)
晶体管
。MOS
晶体管通常包括源极
、
漏极，位于源极和漏极之间的沟道，与沟道相对的栅极，以及设置在栅极与沟道之间的介质层
。MOS
晶体管利用栅极所形成的电场，控制沟道内感应电荷的多少，进而改变沟道的状态，从而达到控制漏极电流的效果
。
然而，上述晶体管的驱动电流较小，影响晶体管的性能
。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，本公开实施例提供一种晶体管及其制作方法
、
存储器，用于增大晶体管的驱动电流，并提高栅极对沟道的控制能力，提高晶体管的整体性能
。
[0004]根据一些实施例，本公开的第一方面提供一种晶体管，其包括：沟道，其内部形成有多个容纳空间；多个栅极，所述多个栅极的延伸方向相同，且均具有相对的第一端和第二端，每个所述栅极的第一端位于一个所述容纳空间内，每个所述栅极的第二端位于相对应的所述容纳空间外；介质层，位于所述栅极和所述沟道之间，绝缘隔离所述栅极和所述沟道；源极，设置于所述沟道的一端；漏极，设置于所述沟道的另一端，且所述漏极与所述源极之间具有间隔
。
[0005]在一些可能的实施例中，每个所述容纳空间的开口设置在所述沟道的一端，每个所述栅极的第二端自其相对应的所述开口暴露在所述容纳空间外
。
[0006]在一些可能的实施例中，所述源极和所述漏极中的一者覆盖所述沟道的一端，且覆盖靠近该端的部分侧壁；所述源极和所述漏极中的另一者覆盖所述沟道的另一端，且覆盖靠近该端的部分侧壁
。
[0007]在一些可能的实施例中，所述晶体管还包括设置在多个所述栅极上的导电层，所述导电层与多个所述栅极电连接
。
[0008]在一些可能的实施例中，以垂直于所述栅极的延伸方向的平面为截面，所述栅极的截面形状包括圆形
、
椭圆形
、
正方形
、
长方形
、
梯形或者十字形
。
[0009]在一些可能的实施例中，至少部分所述栅极的截面形状相同
。
[0010]在一些可能的实施例中，各所述栅极的截面形状相同，多个所述栅极呈三角形排布
、
五边形排布
、
六边形排布或者阵列排布
。
[0011]在一些可能的实施例中，以垂直于所述栅极的延伸方向的平面为截面，所述介质层的截面形状与相对应的所述栅极的截面形状相适配
。
[0012]在一些可能的实施例中，所述源极与所述沟道形成金属半导体接触，和
/
或所述漏极与所述沟道形成金属半导体接触
。
[0013]本公开实施例提供的晶体管至少具有如下优点：
[0014]本公开实施例提供的晶体管包括沟道
、
源极
、
漏极
、
多个栅极，以及位于每个栅极和沟道之间的介质层；其中，漏极与源极分别设置在沟道的两端，且沿沟道的长度方向间隔设置，沟道内部形成有多个容纳空间，每个栅极的第一端位于一个容纳空间内，每个栅极的第二端位于容纳空间外
。
通过在同一沟道内设置多个栅极，增加了栅极与沟道的接触面积，且沟道内的每一处的电位为多个栅极的各自电位的叠加，从而增大了晶体管的驱动电流，提高了栅极的控制能力，进而提高晶体管的性能
。
[0015]根据一些实施例，本公开第二方面提供一种存储器，其包括如上所述的晶体管
。
存储器包括上述晶体管，因而至少具有驱动电流大的优点
。
[0016]根据一些实施例，本公开第三方面提供一种晶体管的制作方法，其包括：
[0017]形成叠层结构，所述叠层结构包括依次堆叠设置的第一功能层
、
绝缘层和第二功能层，所述第一功能层和所述第二功能层中的一者形成源极，另一者形成漏极；
[0018]在所述叠层结构中形成第一填充空间，所述第一填充空间贯穿所述第二功能层
、
所述绝缘层，并暴露所述第一功能层；
[0019]在所述第一填充空间内形成沟道，所述沟道具有多个容纳空间；
[0020]在每个所述容纳空间的侧壁和底壁形成介质层，位于所述容纳空间内的所述介质层围合成第二填充空间；
[0021]在每个所述第二填充空间内形成栅极，所述栅极的第一端位于所述第二填充空间内，所述栅极的第二端位于所述第二填充空间外
。
[0022]在一些可能的实施例中，所述第一填充空间的底壁位于所述第一功能层中
。
[0023]在一些可能的实施例中，在所述第一填充空间内形成沟道，所述沟道具有多个容纳空间，包括：
[0024]在所述第一填充空间内沉积初始沟道层，所述初始沟道层填充满所述第一填充空间；
[0025]刻蚀所述初始沟道层，以在所述初始沟道层中形成多个间隔设置的所述容纳空间，剩余的所述初始沟道层形成所述沟道
。
[0026]在一些可能的实施例中，在所述每个第二填充空间内形成栅极，所述栅极的第一端位于所述第二填充空间内，所述栅极的第二端位于所述第二填充空间外之后，还包括：
[0027]在所述栅极上形成导电层，所述导电层电连接各所述栅极的第二端
。
[0028]在一些可能的实施例中，以平行于所述第一功能层的平面为截面，至少部分所述栅极的截面形状相同
。
[0029]本公开实施例提供的晶体管的制作方法至少具有如下优点：
[0030]本公开实施例提供的晶体管的制作方法中，通过在叠层结构中形成第一填充空间，并在第一填充空间内形成沟道，沟道具有多个容纳空间；再在每个容纳空间内形成栅极，以及位于栅极与沟道之间的介质层，增加了同一沟道内的栅极的数量，从而增加了栅极与沟道的接触面积，且沟道内的每一处的电位为多个栅极的各自电位的叠加，增大了晶体管的驱动电流，提高了栅极的控制能力，进而提高晶体管的性能
。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0032]图1为本公开一实施例中的晶体管的结构示意图；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶体管，其特征在于，包括：沟道，其内部形成有多个容纳空间；多个栅极，所述多个栅极的延伸方向相同，且均具有相对的第一端和第二端，每个所述栅极的第一端位于一个所述容纳空间内，每个所述栅极的第二端位于相对应的所述容纳空间外；介质层，位于所述栅极和所述沟道之间，绝缘隔离所述栅极和所述沟道；源极，设置于所述沟道的一端；漏极，设置于所述沟道的另一端，且所述漏极与所述源极之间具有间隔
。2.
根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，每个所述容纳空间的开口设置在所述沟道的一端，每个所述栅极的第二端自其相对应的所述开口暴露在所述容纳空间外
。3.
根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极中的一者覆盖所述沟道的一端，且覆盖靠近该端的部分侧壁；所述源极和所述漏极中的另一者覆盖所述沟道的另一端，且覆盖靠近该端的部分侧壁
。4.
根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括设置在多个所述栅极上的导电层，所述导电层与多个所述栅极电连接
。5.
根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，以垂直于所述栅极的延伸方向的平面为截面，所述栅极的截面形状包括圆形
、
椭圆形
、
正方形
、
长方形
、
梯形或者十字形
。6.
根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，至少部分所述栅极的截面形状相同
。7.
根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，各所述栅极的截面形状相同，多个所述栅极呈三角形排布
、
五边形排布
、
六边形排布或者阵列排布
。8.
根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，以垂直于所述栅极的延伸方向的平面为截面，所述介质层的截面形状与相对应的所述栅极的截面形状相适配
。9.
根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源极与所述沟道形成金属半导体接触，和
/
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘佑铭，肖德元，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：