显示装置及其制造方法制造方法及图纸

公开一种显示装置及其制造方法

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求享有于
2022
年5月
25
日提交的韩国专利申请
No.10
‑
2022
‑
0064273
的优先权
。


[0003]实施方式涉及一种显示装置及其制造方法
。

技术介绍

[0004]晶体管在电子设备领域中被广泛用作开关器件或驱动器件
。
[0005]尤其是，可在玻璃基板或塑料基板上容易地制造薄膜晶体管，由此可使用薄膜晶体管作为诸如液晶显示装置或有机发光显示装置之类的显示装置中的驱动器件或开关器件
。
[0006]但是，随着驱动时间的增加，晶体管可劣化
。
当晶体管劣化时，晶体管的器件可靠性可降低
。
当由于晶体管的劣化导致器件可靠性降低时，显示装置的图像质量也可降低
。
因此，开发了各种技术方案来改善或补偿晶体管的劣化
。

技术实现思路

[0007]在显示领域中，尽管开发了各种技术方案来改善或补偿晶体管的劣化，但是仍然出现图像质量劣化现象比如瞬时余像
。
因此，本专利技术的专利技术人经过长时间的试验和分析认识到诸如瞬时余像之类的图像质量劣化现象的原因，并且基于认识到的原因开发了一种晶体管结构，其能够改善晶体管在正方向和负方向上的劣化并且改善图像质量
。
当晶体管的阈值电压增加时，可以说晶体管在正向上劣化
(PBTS
劣化
)。
类似地，当晶体管的阈值电压减小时，可以说晶体管在负向上劣化
(NBTS
劣化
)。
[0008]因此，实施方式旨在提供一种显示装置及其制造方法，其具有能够改善晶体管在正方向和负方向上的劣化的晶体管结构
。
[0009]实施方式旨在提供一种显示装置及其制造方法，其具有能够防止瞬时余像的晶体管结构
。
[0010]实施方式旨在提供一种显示装置及其制造方法，其包括栅极绝缘膜，栅极绝缘膜具有能够消除在有源层和栅极绝缘膜之间的界面上产生的陷阱的结构
。
[0011]实施方式旨在提供一种显示装置的制造方法，其能够形成栅极绝缘膜，栅极绝缘膜具有能够消除在有源层和栅极绝缘膜之间的界面上产生的陷阱的结构
。
[0012]根据实施方式的显示装置包括：基板；设置在所述基板上的缓冲层；设置在所述基板上的栅极绝缘膜；以及设置在所述栅极绝缘膜上的栅极，其中所述栅极绝缘膜可包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分相比所述第二部分可更靠近所述有源层，所述第二部分相比所述第一部分可更靠近所述栅极，所述栅极绝缘膜可包括两种或更多种元素，所述两种或更多种元素的每一种在所述第一部分和所述第二部分中具有不同的成分浓度
。
如
本文使用的术语“成分浓度”应当理解为包含质量浓度和体积浓度的含义
。
优选地，“成分浓度”是指质量
(mass)
浓度
。
[0013]所述第一部分可与所述有源层接触，所述第二部分可与所述栅极接触
。
所述两种或更多种元素可包括氢和氧的至少之一以及硅和氮的至少之一
。
[0014]在所述两种或更多种元素中包括氢时，在所述第一部分中氢的成分含量可高于在所述第二部分中氢的成分含量
。
[0015]在所述两种或更多种元素中包括硅时，在所述第一部分中硅的成分含量可高于在所述第二部分中硅的成分含量
。
[0016]根据其他实施方式的显示装置包括：基板；设置在所述基板上的缓冲层；设置在所述缓冲层上的有源层；设置在所述有源层上的栅极绝缘膜；设置在所述栅极绝缘膜上的栅极；以及设置在所述栅极绝缘膜和所述栅极之间的保护膜，其中所述栅极绝缘膜和所述保护膜可共同包括两种或更多种元素，所述两种或更多种元素在所述栅极绝缘膜和所述保护膜中具有不同的成分浓度
。
[0017]所述两种或更多种元素可包括氢和氧的至少之一以及硅和氮的至少之一
。
[0018]根据其他实施方式的制造显示装置的方法包括：在基板上形成有源层；通过利用沉积气体在所述有源层上沉积绝缘材料，形成包括第一部分和第二部分的栅极绝缘膜；以及在所述栅极绝缘膜上形成栅极，其中形成所述栅极绝缘膜可包括：第一操作，通过利用具有第一流速的沉积气体
(
直接
)
在所述有源层上沉积所述绝缘材料，形成所述第一部分；以及第二操作，通过利用具有低于所述第一流速的第二流速的沉积气体在所述第一部分上沉积所述绝缘材料，形成所述第二部分
。
[0019]所述第一操作可比所述第二操作在更短的时间内执行
。
[0020]在所述第一操作中形成的栅极绝缘膜的第一部分的厚度可随着执行所述第一操作的时间
(
即，第一操作的持续时间
)
的增加而变厚
。
[0021]所述第一部分的厚度可小于所述第二部分的厚度
。
[0022]所述第一部分相比所述第二部分可更靠近所述有源层，所述第二部分相比所述第一部分可更靠近所述栅极，所述栅极绝缘膜可包括在所述第一部分和所述第二部分中具有不同的成分浓度的两种或更多种元素
。
[0023]所述两种或更多种元素可包括氢和氧的至少之一以及硅和氮的至少之一
。
[0024]所述沉积气体可包括硅烷
(SiH4)。
[0025]根据实施方式，可提供一种显示装置及其制造方法，其具有能够改善晶体管在正方向和负方向上的劣化的晶体管结构
。
[0026]根据实施方式，可提供一种显示装置及其制造方法，其具有能够防止瞬时余像的晶体管结构
。
[0027]根据实施方式，可提供一种显示装置及其制造方法，其包括栅极绝缘膜，栅极绝缘膜具有能够消除在有源层和栅极绝缘膜之间的界面上产生的陷阱的结构
。
附图说明
[0028]通过参照附图给出的下文详细描述，本专利技术的上述和其他方面
、
特征和优点将更清楚
。
在附图中：
[0029]图1是根据实施方式的显示装置的系统配置图；
[0030]图2是根据实施方式的显示装置的子像素的等效电路图；
[0031]图3是根据实施方式的显示装置的子像素的另一等效电路图；
[0032]图4是图解在根据实施方式的显示装置的子像素中的光屏蔽部的视图；
[0033]图5和6是分别图解根据实施方式的晶体管结构的剖视图；
[0034]图7是图解在根据实施方式的显示装置中的存储电容器的结构的剖视图；
[0035]图8和9是根据实施方式的显示面板的剖视图；
[0036]图
10A、10B
和...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种显示装置，包括：基板；设置在所述基板上的有源层；设置在所述有源层上的栅极绝缘膜；以及设置在所述栅极绝缘膜上的栅极，其中所述栅极绝缘膜包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分相比所述第二部分更靠近所述有源层，所述第二部分相比所述第一部分更靠近所述栅极，所述栅极绝缘膜包括两种或更多种元素，所述两种或更多种元素的每一种在所述第一部分和所述第二部分中具有不同的成分浓度
。2.
根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度
。3.
根据权利要求2所述的显示装置，其中所述第一部分的厚度在
20
至至的范围内，或者在
25
至的范围内，或者在
30
至的范围内，或者在
34
至的范围内，其中所述第一部分的厚度在
20
至的范围内，或者在
25
至的范围内，或者在
30
至的范围内，或者在
34
至的范围内
。4.
根据权利要求1所述的显示装置，其中所述两种或更多种元素包括作为第一元素的氢，其中在所述第一部分中氢的成分含量高于在所述第二部分中氢的成分含量
。5.
根据权利要求1所述的显示装置，其中所述两种或更多种元素包括作为第一元素的氧，其中在所述第一部分中氧的成分含量低于在所述第二部分中氧的成分含量
。6.
根据权利要求1所述的显示装置，其中所述两种或更多种元素包括作为第二元素的硅，其中在所述第一部分中硅的成分含量高于在所述第二部分中硅的成分含量
。7.
根据权利要求1所述的显示装置，其中所述两种或更多种元素包括作为第二元素的氮，其中在所述第一部分中氮的成分含量高于在所述第二部分中氮的成分含量
。8.
根据权利要求1所述的显示装置，其中所述有源层包括与所述栅极交叠的沟道区
、
位于所述沟道区的一侧上的第一导电区以及位于所述沟道区的另一侧上的第二导电区，所述显示装置还包括电连接至所述第一导电区的第一电极以及电连接至所述第二导电区的第二电极
。9.
根据权利要求8所述的显示装置，还包括：设置在所述第一导电区和所述第一电极之间的第一辅助电极；以及设置在所述第二导电区和所述第二电极之间的第二辅助电极，其中所述第一辅助电极和所述第二辅助电极的每一个包括所述栅极中所包含的金属或者包括导电氧化物
。10.
根据权利要求8所述的显示装置，其中所述栅极绝缘膜未设置在所述第一电极和所述栅极之间，或者所述栅极绝缘膜设置在所述第一电极和所述栅极之间<...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹圣埈，尹弼相，金泰均，金旼秀，赵寅晫，李，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：