一种斜瓦形的钕铁硼磁体制造技术

技术编号:3972885 阅读:270 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术是一种磁体,特别涉及一种用在电机、传感器、吸力件或者吸盘上的斜瓦形的钕铁硼磁体。包括磁体,所述的磁体为斜瓦弧形状,所述的磁体包括中间层,所述的中间层外覆有镀锌层。结构简单,磁性稳定,装配精度高。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术是一种磁体,特别涉及一种用在电机、传感器、吸力件或者吸盘上的斜 瓦形的钕铁硼磁体。
技术介绍
现有技术中的磁体的磁性不稳定,而且磁体容易损坏,导致无法使用,影响工作效 率,同时磁体装配性差,不能与所用的产品精配。
技术实现思路
技术主要是解决现有技术中存在的不足,提供一种用在电机、传感器、吸力件 或者吸盘上的斜瓦形的钕铁硼磁体。本技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的一种斜瓦形的钕铁硼磁体,包括磁体,所述的磁体为斜瓦弧形状,所述的磁体包括 中间层,所述的中间层外覆有镀锌层。所述的磁体性能稳定,使得使用寿命长,磁体表面光 滑平整,有利于更加简单的装配。作为优选,所述的中间层为钕铁硼体,所述的中间层的厚度为3.5士0.0511!11,所述 的镀锌层的厚度为7 15um。作为优选,所述的磁体的弧度为19. 7士0. 02度。作为优选,所述的磁体的对边相互平行而设。作为优选,所述的磁体的倾斜度为16度。因此,本技术提供的一种斜瓦形的钕铁硼磁体,结构简单,磁性稳定,装配精度尚。附图说明图1是本技术的剖视结构示意图;图2是本技术的俯视结构示意图。具体实施方式下面通过实施例,并结合附图,对本技术的技术方案作进一步具体的说明。实施例如图1和图2所示,一种斜瓦形的钕铁硼磁体,包括磁体1,所述的磁体1 为斜瓦弧形状,所述的磁体1包括中间层2,所述的中间层3外覆有镀锌层4,所述的中间层 2为钕铁硼体,所述的中间层2的厚度为3. 5士0. 05um,所述的镀锌层3的厚度为7 15um, 所述的磁体1的弧度为19. 7士0. 02度,所述的磁体1的对边相互平行而设,所述的磁体1 的倾斜度为16度。权利要求一种斜瓦形的钕铁硼磁体,包括磁体(1),其特征在于所述的磁体(1)为斜瓦弧形状,所述的磁体(1)包括中间层(2),所述的中间层(2)外覆有镀锌层(3)。2.根据权利要求1所述的一种斜瓦形的钕铁硼磁体,其特征在于所述的中间层(2) 为钕铁硼体,所述的中间层(2)的厚度为3.5士0.05um,所述的镀锌层(3)的厚度为7 15um。3.根据权利要求1或2所述的一种斜瓦形的钕铁硼磁体,其特征在于所述的磁体(1) 的弧度为19.7士0. 02度。4.根据权利要求1或2所述的一种斜瓦形的钕铁硼磁体,其特征在于所述的磁体(1) 的对边相互平行而设。5.根据权利要求1或2所述的一种斜瓦形的钕铁硼磁体,其特征在于所述的磁体(1) 的倾斜度为16度。专利摘要本技术是一种磁体,特别涉及一种用在电机、传感器、吸力件或者吸盘上的斜瓦形的钕铁硼磁体。包括磁体,所述的磁体为斜瓦弧形状,所述的磁体包括中间层,所述的中间层外覆有镀锌层。结构简单,磁性稳定,装配精度高。文档编号H01F41/02GK201681685SQ201020150679公开日2010年12月22日 申请日期2010年4月6日 优先权日2010年4月6日专利技术者王锡赞, 程慧华, 葛余辉, 赵建森 申请人:杭州永磁集团有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种斜瓦形的钕铁硼磁体,包括磁体(1),其特征在于:所述的磁体(1)为斜瓦弧形状,所述的磁体(1)包括中间层(2),所述的中间层(2)外覆有镀锌层(3)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵建森程慧华王锡赞葛余辉
申请(专利权)人:杭州永磁集团有限公司
类型:实用新型
国别省市:86[中国|杭州]

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