高性能永磁体制备方法及含该永磁体的真空波荡器磁结构技术

本发明专利技术提供一种高性能永磁体制备方法及含该永磁体的真空波荡器磁结构，其中所述永磁体制备方法包括：S1，提供一磁化方向厚度为2.0mm‐2.5mm的永磁体；S2，在所述永磁体的表面覆盖TbF3粉末后将其置于一钼金属盒内，而后对其依次进行高温晶界扩散处理及回火处理；S3，在经过所述步骤S2的永磁体表面镀NiCuNi层、TiN层或NiCuTiN层；S4，对经过所述步骤S3的永磁体进行饱和磁化处理；S5，对经过所述步骤S4的永磁体进行老化处理。本发明专利技术解决了现有技术中永磁体内禀矫顽力的一致性欠佳、永磁体取向厚度未优化等问题。

【技术实现步骤摘要】
高性能永磁体制备方法及含该永磁体的真空波荡器磁结构
本专利技术涉及永磁材料技术，尤其涉及一种高性能永磁体制备方法及含该永磁体的真空波荡器磁结构。
技术介绍
Halbach永磁阵列概念最早是在20世纪80年代初由美国劳伦斯伯克利国家实验室的ⅪausHalbach教授提出。永磁型真空波荡器(IVU)为典型的Halbach磁路结构，是第三代同步辐射光源及自由电子激光装置的关键设备之一。近三十多年，基于各种性能的永磁波荡器占据同步辐射光源和自由电子激光装置波荡器的绝大多数。在众多永磁波荡器中，永磁真空波荡器的比例较大，特别是同步辐射光源装置中永磁真空波荡器数量几乎达到70％以上；在自由电子激光领域真空波荡器数量也很多，且随时间推移呈现逐年增加趋势。数量众多的各种永磁真空波荡器在线运行，为同步辐射及自由电子激光用户的各种丰富多彩科学实验提供了有力的保障。永磁体是真空波荡器的“心脏”，其综合磁特性对真空波荡器整机的磁场峰值、磁场均匀性、磁场稳定性、真空性能、运行维护等都有着极为重要影响。目前国内外常规真空波荡器主要采用两种永磁体：一种是2:17型与1:5型钐钴，另一种是钕(镨)铁硼，由于要适应真本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高性能永磁体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供一磁化方向厚度为2.0mm‑2.5mm的永磁体；S2，在所述永磁体的表面覆盖TbF3粉末后将其置于一钼金属盒内，而后对其依次进行高温晶界扩散处理及回火处理；S3，在经过所述步骤S2的永磁体表面镀NiCuNi层、TiN层或NiCuTiN层；S4，对经过所述步骤S3的永磁体进行饱和磁化处理；以及S5，对经过所述步骤S4的永磁体进行老化处理。

【技术特征摘要】
1.一种高性能永磁体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供一磁化方向厚度为2.0mm-2.5mm的永磁体；S2，在所述永磁体的表面覆盖TbF3粉末后将其置于一钼金属盒内，而后对其依次进行高温晶界扩散处理及回火处理；S3，在经过所述步骤S2的永磁体表面镀NiCuNi层、TiN层或NiCuTiN层；S4，对经过所述步骤S3的永磁体进行饱和磁化处理；以及S5，对经过所述步骤S4的永磁体进行老化处理。2.根据权利要求1所述的高性能永磁体制备方法，其特征在于，所述高温晶界扩散处理的温度控制在890-910℃，时间控制在8-12小时。3.根据权利要求1所述的高性能永磁体制备方法，其特征在于，所述回火处理的温度控制在450-500℃，时间控制在3-6小时。4.根据权利要求1所述的高性能永磁体制备方法，其特征在于，所述永磁体为各向异性烧结的钕铁硼永磁体、镨铁硼永磁体或钕...

【专利技术属性】
技术研发人员：何永周，
申请(专利权)人：中国科学院上海应用物理研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31