放射线固化性粘着剂组合物、切割用粘着膜、切断片制法制造技术

本发明专利技术提供一种切割用粘着膜，其具有在切割工序中具有高粘着力而可以抑制半导体元件等的切断片的脱离分散、同时在拾起工序中对具有活性面的被加工物也可得到优异的轻剥离性及低污染性的粘着剂层。切割用粘着膜的粘着剂层中使用含有（甲基）丙烯酸系聚合物的放射线固化性粘着剂组合物，该（甲基）丙烯酸系聚合物在分子内至少具有碳数２～８的直链或支链烷基、羟基、碳数１４～１８的直链烷基及放射线反应性碳－碳双键。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及放射线固化性粘着剂组合物、使用其的切割用粘着膜及切断片的制造方法。更详细而言，本专利技术涉及切断具有活性面的半导体晶片及半导体封装等被加工物时 适宜使用的切割用粘着膜。
技术介绍
目前，半导体晶片及半导体封装的半导体关联材料等使用旋转刀进行切断而分离 为小的半导体元件及IC部件。例如，以硅、锗、镓-砷等为材料的半导体晶片以大直径的 状态制造后，进行背面研磨处理(Back grind处理)直至达到规定的厚度，进而，根据需要 实施背面处理(蚀刻处理、抛光处理等)。接着，将半导体晶片切断分离(切割)为小片元 件，并用于其后的工序中。在该制造工序中，进行将半导体晶片预先粘贴于切割用粘着膜 的安装(Mount)工序、在该粘着膜粘贴于半导体晶片的状态下将半导体晶片切割成小片元 件的切割工序、洗涤工序、扩展(Expand)工序、拾起工序等各种工序。而且，在上述拾起工 序中，采用以下方式使切割用粘着膜成为伸展一定程度的状态，将需要拾起的半导体元件 下部的切割用粘着膜以点状或线状提起，在促进该半导体元件和切割用粘着膜的剥离的状 态，从上部通过真空吸附等拾起而得到半导体元件。上述切割用粘着膜通常具有在塑料膜等基材上形成有含粘着剂组合物的粘着剂 层的结构。制造半导体元件时，为了抑制切割工序中半导体元件从粘着膜脱离飞散，要求切 割用粘着膜具有在切割时即使被施加清洗水的水压半导体元件也不从粘着膜剥离的程度 的高粘着力，同时，还要求其具有在拾起工序中的剥离时粘着剂层具有不至于损坏半导体 晶片的程度的低粘着力的轻剥离性、及在切断了的半导体元件上不残留浆糊等低污染性。作为满足如上所述的特性的粘着剂组合物，还有通过加热粘着力降低的温度活性 型粘着剂组合物，但欲赋予这样的粘着剂组合物以高粘着力时，具有在拾起工序中半导体 元件难以从切割用粘着膜剥离的倾向。因此，也使用在放射线透过性的基材上形成有由粘 着剂组合物形成的粘着剂层的切割用粘着膜，所述粘着剂组合物含有具有放射线反应性的 碳-碳双键的放射线固化性粘着剂。该放射线固化性的切割用粘着膜由于在用放射线进行 固化之前放射线固化性粘着剂具有高粘着力，因此，可以抑制切割工序中半导体元件的脱 离分散。另外，由于对粘着剂层照射放射线时放射线固化性粘着剂固化而粘着力显著降低， 因此，在拾起工序中可以将半导体元件容易地从切割用粘着膜上剥离。近年来，在半导体制造工序中，为了防止生产节拍时间(tact time)的增加及由半 导体晶片的薄膜化(例如100 μ m以下)引起的破损，常在背面研磨处理后、或背面研磨处 理及背面处理结束后，在短时间内将切割用粘着膜粘贴于半导体晶片。进行这样的在背面 研磨处理后、或背面研磨处理及背面处理后、在短时间内将薄膜的半导体晶片与切割用粘 着膜相互粘贴时，产生半导体晶片和粘着剂层的粘着力变高、用放射线进行固化后剥离变 难而拾起性降低这样的问题。这被推测是由于，在进行了半导体晶片的背面研磨处理或背 面处理的处理面，自然氧化膜没有充分地形成于半导体晶片的整个面，半导体晶片的表面成为存在未氧化状态的活性原子(例如硅原子等)的活性面，因此，在该活性面粘贴切割用粘着膜时，未氧化状态的活性原子与粘着剂层的放射线固化性粘着剂接触，未氧化状态的 活性原子和粘着剂层之间发生化学性的键合。针对如上所述的拾起工序中的具有活性面的半导体晶片和切割用粘着膜的粘着 性的问题，例如，专利文献1中提出了一种放射线固化性粘着剂，同时还提出了一种具有含 聚亚烷基二醇等羟基系化合物的粘着剂层的切割用粘着膜。利用该切割用粘着膜，在具有 活性面的半导体晶片上粘贴切割用粘着膜时，由于在粘着剂层的表面存在规定量的羟基系 化合物，因此，可以抑制或防止活性原子和放射线固化性粘着剂之间的化学性的键合，由 此，可以确保拾起工序中的轻剥离性。专利文献1 日本特开2008-60434号公报
技术实现思路
但是，如上所述的羟基系化合物自身并不具有粘着性，并且为数均分子量为3000 以下的低分子化合物，因此，存在切割工序中半导体晶片和切割用粘着膜的粘着性降低的 问题。特别是在切割工序中，为了除去切割时的摩擦热及防止切断屑片的附着，向粘贴有 切割用粘着膜的半导体晶片供给清洗水，因此，要求即使清洗水接触粘着剂层粘着剂层也 可以保持高粘着力，但由于使用如上所述的低分子量的羟基系化合物，因此存在清洗水与 粘着剂层接触时粘着力容易降低这样的问题。进而，在专利文献1中，为了确保放射线照射 后的轻剥离性，需要添加相对于粘着剂层中的总固体成分量为2 12质量％的羟基系化合 物，因此，存在放射线固化性粘着剂的固化性容易降低、拾起时容易在半导体元件上残留这 样的低分子量成分的问题。本专利技术是解决上述课题的专利技术，本专利技术的目的在于，提供一种放射线固化性粘着 剂组合物及使用所述放射线固化性粘着剂组合物的切割用粘着膜，其中，所述放射线固化 性粘着剂组合物在用放射线进行固化之前粘着力高，并且在用放射线进行固化后具有轻剥 离性，所述切割用粘着膜具有在切割工序中具有高粘着力而可以抑制半导体元件等的切断 片的脱离分散、同时在拾起工序中对具有活性面的被加工物也可得到优异的轻剥离性及低 污染性的粘着剂层。本专利技术提供一种放射线固化性粘着剂组合物，所述放射线固化性粘着剂组合物含 有(甲基)丙烯酸系聚合物，其中，所述(甲基)丙烯酸系聚合物在分子内至少具有碳数2 8的直链或支链烷基、 羟基、碳数14 18的直链烷基及放射线反应性碳_碳双键。上述(甲基)丙烯酸系聚合物优选通过使基础聚合物(base polymer)与相对于所 述基础聚合物100质量份为5 25质量份的含有放射线反应性碳-碳双键的放射线反应 性化合物反应而得到，所述基础聚合物是使相对于全部共聚单体成分为30 80质量％的 含有碳数2 8的直链或支链烷基的(甲基)丙烯酸系单体、5 20质量％的含羟基(甲 基)丙烯酸系单体及10 60质量％的含有碳数14 18的直链烷基的(甲基)丙烯酸系 单体共聚而得到的。特别优选含有碳数14 18的直链烷基的(甲基)丙烯酸系单体的含 量相对于全部共聚单体成分为10 15质量％的(甲基)丙烯酸系聚合物。本专利技术还提供一种切割用粘着膜，所述切割用粘着膜具有基材和在所述基材的至少一个面上的粘着剂层，其中，所述粘着剂层含有包含交联剂、光聚合引发剂和上述(甲基)丙烯酸系聚合物的 放射线固化性粘着剂组合物。另外，本专利技术还提供一种切断片的制造方法，其中，在被加工物的一个面上粘贴上述切割用粘着膜，切断粘贴有所述切割用粘着膜的被加工物而分离为切断片，对粘贴在所述切断片上的粘着剂层照射放射线，使所述粘着剂层的粘着力降低，从所述粘着力降低了的切割用粘着膜拾起所述切断片。特别是被加工物为具有活 性面的半导体晶片时，上述切断片的制造方法有效。根据本专利技术，由于粘着剂层含有上述放射线固化性粘着剂组合物，因此，可以提供 在切割工序中可得到高粘着力、同时在拾起工序中对具有活性面的半导体晶片等被加工物 也具有优异的轻剥离性和低污染性的切割用粘着膜。由此，可以减少切割工序中切断片的 脱离分散，同时在拾起工序中可以容易地将切断片从切割用粘着膜剥离，进而，还可以减少 剥离后的污染。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种放射线固化性粘着剂组合物，其含有（甲基）丙烯酸系聚合物，其中，　　所述（甲基）丙烯酸系聚合物在分子内至少具有碳数２～８的直链或支链烷基、羟基、碳数１４～１８的直链烷基及放射线反应性碳－碳双键。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：奥村泰章，守本宗弘，长泷义幸，
申请(专利权)人：日立麦克赛尔株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]