固化性组合物制造技术

以往的固化性组合物通过光刻法形成固化图案时，有显影后的固化图案的残膜率较低的问题。残膜率是下式(z)所示的值。残膜率(％)＝Td/Te×100   (z)[式(z)中，Td表示固化图案的膜厚，Te表示光照射后的组合物层的膜厚。]固化性组合物含有量子点、聚合引发剂、聚合性化合物及硫醇化合物。所述硫醇化合物是分子内具有2个以上巯基的硫醇化合物。

Curable composition

There is a problem that the residual film ratio of the developed cured pattern is low when the curing composition is formed by photolithography. The residual film rate is shown in the formula (Z). The residual film rate (%) = Td/Te * 100 (z) [type (z), Td curing pattern of film thickness, Te composition layer after light irradiation of the film thickness. The curable composition comprises a quantum dot, a polymerization initiator, a polymerizable compound and a thiol compound. The thiol compound is a thiol compound having more than 2 sulfhydryl groups in the molecule.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含量子点的固化性组合物以及显示装置。
技术介绍
专利文献1中记载了半导体超微粒(量子点)、溶剂以及可聚合单体构成的固化性组合物。先行技术文献专利文献【专利文献1】特开平10-186426号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术课题由专利文献1中记载的固化性组合物，通过光刻法形成固化图案时，存在显影后的固化图案的残膜率低的问题。此处的固化图案是基板的一部分上形成了固化膜者。此外，残膜率是指下式(z)所示的值。残膜率(％)＝Td/Te×100(z)[式(z)中，Td表示固化图案的膜厚，Te表示光照射后的组合物层的膜厚。]解决课题的技术手段本专利技术包含以下的专利技术。[1]一种固化性组合物，其含有量子点、聚合引发剂、聚合性化合物及硫醇化合物。[2]根据[1]中记载的固化性组合物，硫醇化合物是分子内具有2个以上巯基的硫醇化合物。[3]根据[1]或[2]中记载的固化性组合物，其中，量子点包含从IIB族元素与ⅥA族元素的化合物、ⅢA族元素与VA族元素的化合物、以及ⅣA族元素与ⅥA族元素的化合物形成的群中选择的至少一种。[4]根据[1]～[3]的任一项中记载的固化性组合物，其中，进一步地含有树脂。[5]由[1]～[4]的任一项中记载的固化性组合物所形成的固化膜。[6]含有[5]中记载的固化膜的显示装置。专利技术效果根据本专利技术的固化性组合物，显影时能够以较高残膜率得到固化图案，而且该固化图案发光时的量子产率优异。具体实施方式本专利技术的固化性组合物包含量子点(A)、聚合性化合物(B)、聚合引发剂(C)、以及硫醇化合物(D)。＜量子点(A)＞量子点为粒径1nm～100nm左右的半导体微粒，是利用半导体的带隙，吸收紫外线或可见光而发光的微粒。作为量子点，分别可列举化学式为CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdHgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe以及HgZnSTe等IIB族元素与ⅥA族元素的化合物；GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs以及InAlPAs等ⅢA族元素与VA族元素的化合物；PdS以及PbSe等ⅣA族元素与ⅥA族元素的化合物等。量子点包含S(硫原子)或Se(硒原子)时，可以使用经金属氧化物或有机物表面改性的量子点。使用表面改性的量子点时，可以防止形成有机层的材料中的反应成分所引起的S或Se的脱离。此外量子点可以与上述化合物相组合形成核-壳结构。作为这样的组合，举例有核为CdSe(硒化镉)，壳为ZnS(硫化锌)的微粒等。量子点的能量状态与其大小有关，因此可能通过改变粒径可以自由地选择发光波长。可列举如：只由CdSe构成的量子点的场合下，粒径为2.3nm、3.0nm、3.8nm、4.6nm时的荧光光谱的峰波长分别为528nm、570nm、592nm、637nm。此外，量子点的发射光谱宽度较窄，通过与具有这样的陡峭的峰的光相组合，扩大了显示装置可显示色域。进一步地，量子点的响应性高，可以效率良好地利用由光源放射出的光。本专利技术的固化性组合物可以只含有根据光源放射出的光而发出特定波长的光的量子点，还可以组合含有2种以上的发出不同波长的光的量子点。作为上述特定波长的光，例如举例有红光、绿光以及蓝光。量子点(A)的含有率，相对于固体成分，优选为1～50质量％，更优选5～40质量％。本说明书中提到的固体成分，意味着除去了后述的溶剂(F)以及其他溶剂后的固化性组合物成分的总量。组合物中的固体成分的含有率，可以通过液相色谱法或气相色谱法等公知的分析手段来测定。＜聚合性化合物(B)＞聚合性化合物(B)可通过后述的聚合引发剂(C)中产生的活性基团、酸等聚合的化合物。作为这样的化合物，例如举例有具有烯型不饱和双键的化合物等，优选(甲基)丙烯酸酯化合物。另外，本说明书中，“(甲基)丙烯酸”表示丙烯酸以及甲基丙烯酸形成的群中选择的至少一种。“(甲基)丙烯酰基”以及“(甲基)丙烯酸酯”等表示，也具有同样的意思。其中，聚合性化合物(B)，优选为具有3个以上的烯属不饱和键的聚合性化合物。作为这样的聚合性化合物，可列举如：三(甲基)丙烯酸三羟甲基丙烷酯、三(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、四(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、五(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯、六(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯、八(甲基)丙烯酸三季戊四醇酯、七(甲基)丙烯酸三季戊四醇酯、十(甲基)丙烯酸四季戊四醇酯、九(甲基)丙烯酸四季戊四醇酯、三聚异氰酸三(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)酯、乙二醇改质四(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、乙二醇改性六(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯、丙二醇改性四(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、丙二醇改性六(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯、己内酯改性四(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、己内酯改性六(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯等。聚合性化合物(B)的重均分子量，优选150～2，900，更优选250～1，500。聚合性化合物(B)的含有率相对于固体成分，优选7～65质量％，更优选13～60质量％，进一步优选17～55质量％。聚合性化合物(B)的含有率在上述范围内时，固化图案的残膜率以及固化图案的耐化学药品性倾向于进一步提高。＜聚合引发剂(C)＞聚合引发剂(C)只要是含有可经光或热的作用产生活性自由基、酸等，引发聚合反应的化合物的聚合引发剂，就没有特别限制，可以使用公知的聚合引发剂。作为可以产生活性自由基的聚合引发剂，可举例如：烷基苯酮化合物、O-酰基肟化合物、联咪唑化合物、三嗪化合物以及酰基膦氧化物化合物。作为烷基苯酮化合物，优选胺基烷基苯酮化合物。烷基苯酮化合物的具体例可列举如：二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-(4-甲基硫烷基苯基)-2-吗啉基丙烷-1-酮、2-二甲基胺基-1-(4-吗啉基苯基)-2-苯甲基丁烷-1-酮、2-二甲基胺基-1-(4-吗啉基苯基)-2-(4-甲基苯基甲基)丁烷-1-酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、苯甲基二甲基缩酮、2-羟基-2-甲基-1-〔4-(2-羟基乙氧基)苯基〕丙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-〔4-(1-甲基乙烯基)苯基〕丙烷-1-酮的低聚物等。优选2-甲基-1-(4-甲基硫烷基苯基)-2-吗啉基丙烷-1-酮、2-二甲基胺基-1-(4-吗啉基苯基)-2-苯甲基丁烷-1-酮。也可以使用Irgacure369、907(以上为汽巴日本社制)等市售品。上述O-酰基肟化合物可以是具有式(d1)所示的部分结构的化合物。以下的＊表示键结基。作为上述肟化合物，可列举如：N-苯甲酰氧基-1-(4-苯基巯基苯基)丁本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固化性组合物，其特征在于，含有量子点、聚合引发剂、聚合性化合物及硫醇化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.05 JP 2014-1809571.一种固化性组合物，其特征在于，含有量子点、聚合引发剂、聚合性化合物及硫醇化合物。2.根据权利要求1所述的固化性组合物，其中，硫醇化合物是分子内具有2个以上巯基的硫醇化合物。3.根据权利要求1或2中所述的固化性组合物，其中，量...

【专利技术属性】
技术研发人员：城内公之，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP