一种半导体加工用连续多工艺传送反应腔室制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体加工用连续多工艺传送反应腔室，属于半导体设备技术领域，其包括有第一中转腔室，在第一中转腔室的一侧相独立地并排设置有第二中转腔室；在第一中转腔室和第二中转腔室的中心连线的两侧分别设置有第一中间腔室和第二中间腔室；第一中间腔室和第二中间腔室均分别通过门阀与第一中转腔室及第二中转腔室相连接；第一中间腔室和第二中间腔室内均具有工艺气体输入口；第一中转腔室和第二中转腔室上连接有至少一个反应腔室

【技术实现步骤摘要】
一种半导体加工用连续多工艺传送反应腔室


[0001]本技术属于半导体设备
，具体地涉及一种半导体加工用连续多工艺传送反应腔室
。

技术介绍

[0002]目前，多数半导体加工工艺是在设备的真空腔室内进行的，因此设备整体需要具有传送功能以控制晶圆在设备内移动以及移入
、
移出设备
。
现有申请公开号为
CN111926306A
的中国专利技术专利提出了一种基于多工艺腔传送的沉积设备，其具有一个较大的传送室，传送室内设置有两个机械手臂，传送室周围设置有若干腔室，从而实现一个晶圆依次进入多个腔室进行连续工艺的过程，但其在传送的工作效率和设备的占地面积等方面仍有待改进，并且由于只有一个传送室，对于各个工艺腔室所需工艺环境要求不同的复杂工艺情况，则无法很好地完成，例如两个工艺腔室压力不同，其在每次传送或者进行工艺前都需要调整压力，导致效率不高，或者由于环境不同而对工艺或传送产生干扰
。

技术实现思路

[0003]基于现有技术存在的技术问题，本技术提供一种半导体加工用连续多工艺传送反应腔室，解决现有方案工作效率低
、
占地面积大
、
各个工艺腔室之间易相互影响的问题，能够更好地实现复杂
、
高要求的半导体连续多工艺加工过程，提高半导体产品质量
、
降低整体生产成本
。
[0004]依据本技术的技术方案，本技术提供了一种半导体加工用连续多工艺传送反应腔室，包括有第一中转腔室，在第一中转腔室的一侧相独立地并排设置有第二中转腔室；在第一中转腔室和第二中转腔室的中心连线的两侧分别设置有第一中间腔室和第二中间腔室；第一中间腔室和第二中间腔室均分别通过门阀与第一中转腔室及第二中转腔室相连接；第一中间腔室和第二中间腔室内均具有工艺气体输入口；第一中转腔室和第二中转腔室上连接有至少一个反应腔室
。
[0005]进一步地，第一中转腔室内设置有第一机械手，第二中转腔室内设置有第二机械手；第一中转腔室至少连接有一个第一反应腔室；第二中转腔室至少连接有一个第二反应腔室
。
[0006]进一步地，第一中转腔室在与第二中转腔室相对的一侧设置有装载锁定装置
。
[0007]进一步地，装载锁定装置内部具有上下分布的双层结构，其中一层上具有冷却平台，冷却平台与冷却剂管路相紧贴
。
[0008]进一步地，第一反应腔室设置于装载锁定装置与第一中间腔室之间；第一中转腔室上还连接有第三反应腔室，第三反应腔室设置于装载锁定装置与第二中间腔室之间
。
[0009]进一步地，第一反应腔室为沉积工艺腔室，第二反应腔室为掺杂工艺腔室，第三反应腔室为退火工艺腔室
。
[0010]进一步地，装载锁定装置为并排设置的两个
。
[0011]进一步地，第一中间腔室和第二中间腔室内均设置有四个中间晶圆平台，四个中间晶圆平台呈正方形四个端点分布并通过连接件相连接，连接件在中心位置设置有转轴并连接有转动机构
。
[0012]进一步地，第一反应腔室内设置有两个第一反应平台；第二反应腔室内设置有一个第二反应平台，第二中转腔室上共连接有四个第二反应腔室
。
[0013]进一步地，第一机械手为双片双臂机械手，具有水平分布的两个可同步旋转及伸缩的机械臂；第二机械手为单片双臂机械手，具有上下分布的两个可分别独立旋转及伸缩的机械臂
。
[0014]与现有技术相比，本技术的有益技术效果如下：
[0015]1、
本技术的半导体加工用连续多工艺传送反应腔室中，将主要进行中转传送功能的腔室设置为相互独立地并排的第一中转腔室和第二中转腔室，二者之间通过位于两侧的第一中间腔室和第二中间腔室相连接，从而降低了整体占地的长度；第一中转腔室和第二中转腔室周围分别连接反应腔室，更能够灵活地适应不同的反应腔室工艺环境要求不同的情况，避免相互干扰；第一中间腔室和第二中间腔室具有工艺气体输入口，能够在进行中转的同时进行例如冷却降温等工艺，省去单独的冷却腔室，有助于进一步提高效率
、
减少占地面积
。
[0016]2、
本技术的半导体加工用连续多工艺传送反应腔室在原材料及加工的成本方面，采用第一中转腔室和第二中转腔室独立结构与一体式的大腔室相比也更具优势
。
[0017]3、
本技术的半导体加工用连续多工艺传送反应腔室更好地实现了晶圆在同一个机台上完成多种连续工艺的过程，一个机台可以匹配例如八个反应腔室，不论是单工艺还是多种连续工艺都可以实现，节省了晶圆的运转时间；并且结构更为紧凑，节省设备占地面积
。
[0018]4、
本技术的半导体加工用连续多工艺传送反应腔室可灵活匹配不同工艺，从具体各工艺时长的角度进行传送结构及方法的优化，可扩展性大，例如基于某工艺的产能比较低的特点，设置四个反应腔室，通过增加数量解决瓶颈点，其他反应腔室的数量根据同时处理的晶圆数量相应地匹配，实现显著提高整体生产效率
。
附图说明
[0019]图1是本技术一实施例的结构示意图
。
[0020]附图中的附图标记说明：
[0021]1、
第一中转腔室；
[0022]2、
第二中转腔室；
[0023]3、
第一中间腔室；
[0024]4、
第二中间腔室；
[0025]5、
工艺气体输入口；
[0026]6、
第一机械手；
[0027]7、
第二机械手；
[0028]8、
第一反应腔室；
[0029]9、
第二反应腔室；
[0030]10、
装载锁定装置；
[0031]11、
冷却平台；
[0032]12、
冷却剂管路；
[0033]13、
第三反应腔室；
[0034]14、
中间晶圆平台；
[0035]15、
连接件；
[0036]16、
设备前端模块
。
具体实施方式
[0037]为使本技术的目的
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术中的附图，对本技术中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围
。
[0038]另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关技术相关的部分
。
在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体加工用连续多工艺传送反应腔室，其特征在于，包括有第一中转腔室
(1)
，在所述第一中转腔室
(1)
的一侧相独立地并排设置有第二中转腔室
(2)
；在所述第一中转腔室
(1)
和所述第二中转腔室
(2)
的中心连线的两侧分别设置有第一中间腔室
(3)
和第二中间腔室
(4)
；所述第一中间腔室
(3)
和所述第二中间腔室
(4)
均分别通过门阀与所述第一中转腔室
(1)
及所述第二中转腔室
(2)
相连接；所述第一中间腔室
(3)
和所述第二中间腔室
(4)
内均具有工艺气体输入口
(5)
；所述第一中转腔室
(1)
和所述第二中转腔室
(2)
上连接有至少一个反应腔室
。2.
如权利要求1所述的半导体加工用连续多工艺传送反应腔室，其特征在于，所述第一中转腔室
(1)
内设置有第一机械手
(6)
，所述第二中转腔室
(2)
内设置有第二机械手
(7)
；所述第一中转腔室
(1)
至少连接有一个第一反应腔室
(8)
；所述第二中转腔室
(2)
至少连接有一个第二反应腔室
(9)。3.
如权利要求2所述的半导体加工用连续多工艺传送反应腔室，其特征在于，所述第一中转腔室
(1)
在与所述第二中转腔室
(2)
相对的一侧设置有装载锁定装置
(10)。4.
如权利要求3所述的半导体加工用连续多工艺传送反应腔室，其特征在于，所述装载锁定装置
(10)
内部具有上下分布的双层结构，其中一层上具有冷却平台
(11)
，所述冷却平台
(11)
与冷却剂管路
(12)
相紧贴
。5.
如权利要求3所述的半导体加...

【专利技术属性】
技术研发人员：衣凰，王晓晨，
申请(专利权)人：盛吉盛半导体科技北京有限公司，
类型：新型
国别省市：