【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体设备，具体涉及一种用于反应腔体的气浮旋转机构。
技术介绍
1、碳化硅外延生长是指在碳化硅衬底上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段。生长外延层的方法有多种，其中最常用的是化学气相沉积工艺，具体是把衬底放在反应室内加热，并通入含硅反应气体进行高温反应，使含硅反应气体还原或热分解，所产生的硅原子在衬底硅表面上外延生长。化学气相沉积工艺中，沉积薄膜的均匀性极为重要，而薄膜的均匀性主要受到炉内气体分布的影响。化学气相沉积过程是一个极为复杂的化学过程，气体是否均匀分布会对工艺的沉积速率、膜层的致密性、薄膜均匀性等产生较大影响。通常来说化学气相沉积受气体流场等工艺因素影响均匀性难以保证，为了提高涂层均匀性一般采用气浮托盘旋转工艺，以达到稳定生产的目的。
2、半导体设备加工技术中，在快速热处理工艺时，为使硅片受热均匀，需要通过转台带动硅片匀速转动，为了避免接触式传动形成颗粒污染硅片，需要使用非接触式传动方式。目前，转台通常使用磁悬浮旋转电机作为驱动电机，定子置于反应腔体外部，转子置...
【技术保护点】
1.一种用于反应腔体的气浮旋转机构，其特征在于，其包括气浮组件、磁致联轴器和驱动组件，气浮组件包括转子组件和定子，所述定子呈环状套设于所述转子组件外侧，所述定子设置有输送气体的气道，气体通过气道在定子与转子组件之间形成气膜；
2.根据权利要求1所述的用于反应腔体的气浮旋转机构，其特征在于，定子上设有供气通道、匀气通道和轴向气浮孔，定子朝向外凸缘的端面上设置有轴向回气槽，轴向回气槽沿定子的周向延伸形成环形；轴向回气槽的槽底设置有向外凸缘方向凸起的多个定子轴向气浮面，多个定子轴向气浮面沿轴向回气槽的周向相互间隔且均匀分布。
3.根据权利要求2所述的...
【技术特征摘要】
1.一种用于反应腔体的气浮旋转机构，其特征在于，其包括气浮组件、磁致联轴器和驱动组件，气浮组件包括转子组件和定子，所述定子呈环状套设于所述转子组件外侧，所述定子设置有输送气体的气道，气体通过气道在定子与转子组件之间形成气膜；
2.根据权利要求1所述的用于反应腔体的气浮旋转机构，其特征在于，定子上设有供气通道、匀气通道和轴向气浮孔，定子朝向外凸缘的端面上设置有轴向回气槽，轴向回气槽沿定子的周向延伸形成环形；轴向回气槽的槽底设置有向外凸缘方向凸起的多个定子轴向气浮面，多个定子轴向气浮面沿轴向回气槽的周向相互间隔且均匀分布。
3.根据权利要求2所述的用于反应腔体的气浮旋转机构，其特征在于，供气通道的进气口形成于定子的外侧壁，供气通道沿定子的径向向定子的侧壁内部延伸，使供气通道与沿定子的周向呈环形设置于定子的侧壁内部的匀气通道连通，轴向气浮孔设置于定子轴向气浮面并沿定子的轴向向定子的侧壁内部延伸，使轴向气浮孔与匀气通道连通，供气通道、匀气通道和轴向气浮孔形成所述第一气道。
4.根据权利要求3所述的用于反应腔体的气浮旋转机构，其特征在于，各定子轴向气浮面上设置有多个轴向气浮孔，多个轴向气浮孔沿所在的定子轴向气浮面的周向相互间隔且均匀分布；
5.根据权利要求4所述的用于反应腔体的气浮旋转机构，其特征在于，定子上设置有径向气浮孔，定子的内侧壁设置有径向回气槽，径向回气槽沿定子的周向延伸形成环形；径向回气槽的槽底设置有向...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾海立，祁广杰，田才忠，李士昌，郭月娥，田沐野，
申请(专利权)人：盛吉盛半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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