一种等离子工艺腔室及其半导体设备制造技术

本发明专利技术涉及一种等离子工艺腔室及其半导体设备，所述等离子工艺腔室在腔室本体底部居中位置上方设置有基板支座，基板支座的侧面开设有若干排气通孔；基板升降单元包括有水平设置的环形气道，环形气道上分布设置有三个升降组件，每一个升降组件均包括有一个外套管，外套管内密封地滑动连接有活塞滑块，活塞滑块的下方设置有复位拉簧，复位拉簧的两端分别与活塞滑块及外套管相连接；活塞滑块的顶端连接有顶针；环形气道的一侧连接有气体输送管，气体输送管穿过排气通孔及腔室本体底部后在腔室本体外部连接气路模块单元。本发明专利技术将真空泵的中心轴移至与腔室基板中心轴重合，从而优化基板上等离子流场，提高工艺均匀性的效果，降低基板上颗粒产生的可能性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体等离子工艺设备，具体地涉及一种等离子工艺腔室及其半导体设备。

技术介绍

1、传统的半导体等离子工艺设备的腔室为偏移泵设计，其结构如图1所示，图中箭头所示为工艺气体流动方向，工艺气体在进入腔室后电离产生等离子体，泵a2的中心轴与基板支撑件a1的中心轴为不同的轴，这种偏移泵的结构设计使得腔室整体空间偏大，从而整体机台占地面积大，一定程度影响机台的竞争性；并且由于腔室整体结构的固有不对称性，从而引起基板上等离子流场不均和颗粒问题。

技术实现思路

1、基于现有技术存在的技术问题，本专利技术提供一种等离子工艺腔室及其半导体设备，其解决现有偏移泵设计存在的占地面积大、结构不对称等问题，改善基板上的流场分布均匀性，从而提高基板的工艺均匀性，降低颗粒产生的可能性。

2、依据本专利技术技术方案的第一方面，本专利技术提供了一种等离子工艺腔室，其包括有腔室主体及基板固定单元、基板升降单元、腔室进气单元、腔室排气单元和等离子体产生单元；

3、腔室主体及基板固定单元包括有腔室本体，腔室本体上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子工艺腔室，其特征在于，包括有腔室主体及基板固定单元、基板升降单元、腔室进气单元、腔室排气单元和等离子体产生单元；

2.根据权利要求1所述的等离子工艺腔室，其特征在于，排气通孔(6)为水平设置的条形孔，沿基板支座(3)的侧面周向均匀分布，且沿轴向设置有多层。

3.根据权利要求1所述的等离子工艺腔室，其特征在于，气路模块单元(18)包括有依次相连接的气源、通断阀(19)、调压阀(20)，调压阀(20)的输出端和两位三通阀(22)的第一端相连接，在两位三通阀(22)与调压阀(20)之间设置有压力表(21)；两位三通阀(22)的第二端通过单向调速阀(23)连...

【技术特征摘要】

1.一种等离子工艺腔室，其特征在于，包括有腔室主体及基板固定单元、基板升降单元、腔室进气单元、腔室排气单元和等离子体产生单元；

2.根据权利要求1所述的等离子工艺腔室，其特征在于，排气通孔(6)为水平设置的条形孔，沿基板支座(3)的侧面周向均匀分布，且沿轴向设置有多层。

3.根据权利要求1所述的等离子工艺腔室，其特征在于，气路模块单元(18)包括有依次相连接的气源、通断阀(19)、调压阀(20)，调压阀(20)的输出端和两位三通阀(22)的第一端相连接，在两位三通阀(22)与调压阀(20)之间设置有压力表(21)；两位三通阀(22)的第二端通过单向调速阀(23)连接至气体输送管(13)；两位三通阀(22)的第三端为排气端(28)。

4.根据权利要求1所述的等离子工艺腔室，其特征在于，升降组件(7)的外套管(29)具有顶板，顶板具有用于顶针(27)穿过的顶针孔。

5.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的等离子工艺腔室，其特征在于，腔室本体(1)内侧设置有内衬(2)，内衬(2)与腔室本体(1)相对应地开设有用于基板传输的槽口。

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【专利技术属性】
技术研发人员：何金群，李景舒，刘闻敏，贾海立，祁广杰，李士昌，
申请(专利权)人：盛吉盛半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：