【技术实现步骤摘要】
本申请涉及真空电子器件，特别是涉及一种过模慢波结构和行波管。
技术介绍
1、太赫兹波是指频率在0.1thz到10thz范围的电磁波，波长大概在0.03到3mm范围，介于微波与红外之间，太赫兹技术在医疗、安检、通信等领域具有广泛的应用前景，而太赫兹波的广泛应用受制于太赫兹源的产生。
2、行波管是一种常见的真空电子器件，在行波管中，高速电子束通过一系列磁场和慢波结构装置，以产生太赫兹辐射。慢波结构作为行波管的核心器件，直接决定了行波管的器件性能。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种过模慢波结构和行波管，能够提升行波管的器件性能。
2、一种过模慢波结构，所述过模慢波结构包括：相对设置的第一周期性波导和第二周期性波导；
3、在第一方向，所述第一周期性波导和所述第二周期性波导相对设置的端面分别为具有周期性变化波动起伏的端面；
4、所述第一周期性波导的波谷部设有第一开口和第二开口，所述第二周期性波导的波峰部设有第三开口和第四开口，所述第一开口与所述第三开口相对设置，各所述第一开口与各所述第三开口在所述第一方向上连通形成第一带状电子注通道；所述第二开口与所述第四开口相对设置，各所述第二开口与各所述第四开口在所述第一方向上连通形成第二带状电子注通道。
5、在其中一个实施例中，所述过模慢波结构沿第二方向的波导宽边长度大于所述过模慢波结构沿第三方向的波导窄边长度的两倍，其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向互相
6、在其中一个实施例中，所述第一周期性波导的端面与所述第二周期性波导的端面的形状相同、波动振幅相同、波动周期相同。
7、在其中一个实施例中，所述第一周期性波导和所述第二周期性波导分别为正弦波导。
8、在其中一个实施例中，所述第一周期性波导和所述第二周期性波导的间距为所述波导窄边长度与二倍的所述第一周期性波导和所述第二周期性波导的正弦线周期性起伏的高度之差。
9、在其中一个实施例中，所述第一带状电子注通道和所述第二带状电子注通道在所述第二方向的间距小于所述波导宽边长度的一半。
10、在其中一个实施例中，所述过模慢波结构沿第二方向的波导宽边长度为a，所述过模慢波结构沿第三方向的波导窄边长度为b，其中，a=3.5mm，b=1.55mm，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向互相相交。
11、在其中一个实施例中，所述第一周期性波导和所述第二周期性波导的正弦线周期性起伏的周期长度分别为p，所述第一周期性波导和所述第二周期性波导的正弦线周期性起伏的高度分别为h，所述第一周期性波导和所述第二周期性波导的间距为hb，其中，p=1.45mm，h=0.6mm，hb=0.35mm。
12、在其中一个实施例中，所述第一带状电子注通道和所述第二带状电子注通道在第二方向的间距为m，所述第一带状电子注通道和所述第二带状电子注入通道在所述第二方向的宽度为t，所述第一带状电子注通道和所述第二带状电子注入通道在第三方向的宽度分别为s，其中，m=1.45mm，t=0.3mm，s=1.0mm，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向互相相交。
13、一种行波管，包括上述任意一项实施例中所述的过模慢波结构。
14、上述过模慢波结构，包括相对设置的第一周期性波导和第二周期性波导，且第一周期性波导和第二周期性波导相对设置的端面分别为具有周期性变化波动起伏的端面，通过将第一周期性波导和第二周期性波导相对的端面设置为周期性变化波动起伏的端面，可以使得慢波结构的电导率损耗减小且易于加工，通过在第一周期性波导和第二周期性波导间形成第一带状电子注通道和第二带状电子注通道，在增加了电子注通道数量的同时增大了过模慢波结构的横向尺寸，使得本申请的过模慢波结构能够提供更大的工作电流及提高互作用耦合阻抗，进而提升行波管器件的输出性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种过模慢波结构，其特征在于，包括：相对设置的第一周期性波导和第二周期性波导；
2.根据权利要求1所述的过模慢波结构，其特征在于，所述过模慢波结构沿第二方向的波导宽边长度大于所述过模慢波结构沿第三方向的波导窄边长度的两倍，其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向互相相交。
3.根据权利要求1所述的过模慢波结构，其特征在于，所述第一周期性波导的端面与所述第二周期性波导的端面的形状相同、波动振幅相同、波动周期相同。
4.根据权利要求1所述的过模慢波结构，其特征在于，所述第一周期性波导和所述第二周期性波导分别为正弦波导。
5.根据权利要求2所述的过模慢波结构，其特征在于，所述第一周期性波导和所述第二周期性波导的间距为所述波导窄边长度与二倍的所述第一周期性波导和所述第二周期性波导的正弦线周期性起伏的高度之差。
6.根据权利要求2所述的过模慢波结构，其特征在于，所述第一带状电子注通道和所述第二带状电子注通道在所述第二方向的间距小于所述波导宽边长度的一半。
7.根据权利要求1所述的过模慢波结构，其特征在于，所述
8.根据权利要求1所述的过模慢波结构，其特征在于，所述第一周期性波导和所述第二周期性波导的正弦线周期性起伏的周期长度分别为p，所述第一周期性波导和所述第二周期性波导的正弦线周期性起伏的高度分别为h，所述第一周期性波导和所述第二周期性波导的间距为hb，其中，p=1.45，h=0.6，hb=0.35。
9.根据权利要求1所述的过模慢波结构，其特征在于，所述第一带状电子注通道和所述第二带状电子注通道在第二方向的间距为m，所述第一带状电子注通道和所述第二带状电子注入通道在所述第二方向的宽度为t，所述第一带状电子注通道和所述第二带状电子注入通道在第三方向的宽度分别为s，其中，m=1.45，t=0.3，s=1.0，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向互相相交。
10.一种行波管，其特征在于，包括权利要求1至9中任意一项所述的过模慢波结构。
...【技术特征摘要】
1.一种过模慢波结构，其特征在于，包括：相对设置的第一周期性波导和第二周期性波导；
2.根据权利要求1所述的过模慢波结构，其特征在于，所述过模慢波结构沿第二方向的波导宽边长度大于所述过模慢波结构沿第三方向的波导窄边长度的两倍，其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向互相相交。
3.根据权利要求1所述的过模慢波结构，其特征在于，所述第一周期性波导的端面与所述第二周期性波导的端面的形状相同、波动振幅相同、波动周期相同。
4.根据权利要求1所述的过模慢波结构，其特征在于，所述第一周期性波导和所述第二周期性波导分别为正弦波导。
5.根据权利要求2所述的过模慢波结构，其特征在于，所述第一周期性波导和所述第二周期性波导的间距为所述波导窄边长度与二倍的所述第一周期性波导和所述第二周期性波导的正弦线周期性起伏的高度之差。
6.根据权利要求2所述的过模慢波结构，其特征在于，所述第一带状电子注通道和所述第二带状电子注通道在所述第二方向的间距小于所述波导宽边长度的一半。
7.根据权利要求1所述的过模慢波...
【专利技术属性】
技术研发人员：方栓柱，王铁羊，张秋镇，罗军，王之哲，李元晟，庞水全，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。