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本发明涉及一种等离子工艺腔室及其半导体设备，所述等离子工艺腔室在腔室本体底部居中位置上方设置有基板支座，基板支座的侧面开设有若干排气通孔；基板升降单元包括有水平设置的环形气道，环形气道上分布设置有三个升降组件，每一个升降组件均包括有一个外套...
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