【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造，更具体地说，是涉及一种进气结构及半导体工艺设备。
技术介绍
1、cvd(化学气相沉积)使用金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等热分解，氢还原在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等材料，主要应用包括浅沟槽隔离sti、金属间电介质imd、金属层间电介质ild和钝化保护层。原位水汽生成工艺是一种新型的半导体器件制造工艺，用于集成电路制造深纳米工艺中栅极氧化物薄膜的生长。在半导体技术向深亚微米发展的今天，先进制程机械设计要求也越来越严格，而如何提高晶圆薄膜均匀性至关重要。目前，原位水汽生成工艺设备的进气装置采用单孔自动分流及多个小孔进气的方式向工艺腔室内通入反应气体，即反应气体由一个进气孔进入进气插件，再由进气插件上的多个出气小孔扩散至工艺腔室内，由于进气位置气流分布不均匀，尤其靠近进气孔位置的气体流速较大，因此，晶圆的中心气流与边缘气流不均匀，从而导致晶圆薄膜的均匀性较差。
技术实现思路
1、本专利技术实施例的目的在于提供一种进气结构及半导体工艺设备，旨在解决现有技术中的进气位置气流分布不均匀，影响晶圆薄膜的均匀性的问题。
2、为实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种进气结构，包括进气插件和多个进气管，进气插件内部设有气室，进气插件的顶部外壁设置有多个与气室连通的进气孔，多个进气孔相互间隔设置，进气插件的底部外壁设置有多个与气室连通的出气孔，多个出气孔相互间隔且均匀分布，出气孔用于与半导体工艺腔室连通；多个进气孔与多个进气管一一对
3、可选地，多个进气孔沿进气插件的顶部外壁的长度方向上均匀分布。
4、可选地，进气插件的内部设置有第一隔板，第一隔板分别与气室的顶壁、气室的底壁相间隔设置，第一隔板上设置有多个第一通孔。
5、可选地，进气孔不正对第一通孔。
6、可选地，进气插件的内部还设置有第二隔板，第二隔板分别与第一隔板、气室的底壁相间隔设置，第二隔板上设置多个相互间隔的第二通孔。
7、可选地，多个第二通孔均匀分布。
8、可选地，第一通孔的孔径大于第二通孔的孔径，第二通孔的孔径大于出气孔的孔径。
9、可选地，出气孔的深度为8mm至30mm。
10、根据本专利技术的另一个方面，提供了一种半导体工艺设备，包括腔体和设置在腔体上的进气结构，进气结构为上述的进气结构；腔体内具有半导体工艺腔室，腔体上还开设有与半导体工艺腔室分别连通的进气口和出气口。
11、可选地，出气口的尺寸大于半导体工艺腔室内加工的晶圆的半径尺寸。
12、本专利技术提供的进气结构的有益效果在于：与现有技术相比，本专利技术所提供的进气结构通过设置多个进气管以及在进气插件的顶部外壁间隔设置有多个与其内部气室连通的进气孔，使多个进气孔分别与多个进气管一一对应地连通，实现通过多个进气管分流，避免气流集中在某一区域，从而使进气气流分布均匀，同时，通过设置在进气插件上相互间隔且均匀分布的多个出气孔，且多个出气孔与半导体工艺腔室连通，能够提高半导体工艺腔室的气流均匀性，从而提高晶圆薄膜的均匀性。
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1.一种进气结构，其特征在于，包括进气插件和多个进气管，所述进气插件内部设有气室，所述进气插件的顶部外壁设置有多个与所述气室连通的进气孔，多个所述进气孔相互间隔设置，所述进气插件的底部外壁设置有多个与所述气室连通的出气孔，多个所述出气孔相互间隔且均匀分布，所述出气孔用于与半导体工艺腔室连通；
2.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，多个所述进气孔沿所述进气插件的顶部外壁的长度方向上均匀分布。
3.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，所述进气插件的内部设置有第一隔板，所述第一隔板分别与所述气室的顶壁、所述气室的底壁相间隔设置，所述第一隔板上设置有多个第一通孔。
4.根据权利要求3所述的进气结构，其特征在于，所述进气孔不正对所述第一通孔。
5.根据权利要求3所述的进气结构，其特征在于，所述进气插件的内部还设置有第二隔板，所述第二隔板分别与所述第一隔板、所述气室的底壁相间隔设置，所述第二隔板上设置多个相互间隔的第二通孔。
6.根据权利要求5所述的进气结构，其特征在于，多个所述第二通孔均匀分布。
7.根据
8.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，所述出气孔的深度为8mm至30mm。
9.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括腔体和设置在所述腔体上的进气结构，所述进气结构为如权利要求1至8任意一项所述的进气结构；
10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述出气口的尺寸大于所述半导体工艺腔室内加工的晶圆的半径尺寸。
...【技术特征摘要】
1.一种进气结构，其特征在于，包括进气插件和多个进气管，所述进气插件内部设有气室，所述进气插件的顶部外壁设置有多个与所述气室连通的进气孔，多个所述进气孔相互间隔设置，所述进气插件的底部外壁设置有多个与所述气室连通的出气孔，多个所述出气孔相互间隔且均匀分布，所述出气孔用于与半导体工艺腔室连通；
2.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，多个所述进气孔沿所述进气插件的顶部外壁的长度方向上均匀分布。
3.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，所述进气插件的内部设置有第一隔板，所述第一隔板分别与所述气室的顶壁、所述气室的底壁相间隔设置，所述第一隔板上设置有多个第一通孔。
4.根据权利要求3所述的进气结构，其特征在于，所述进气孔不正对所述第一通孔。
5.根据权利要求3所述的进气结构，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：王美玲，刘杰，祁广杰，李景舒，李士昌，
申请(专利权)人：盛吉盛半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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