本实用新型专利技术提供了一种多腔室的薄膜沉积装置，包括：集成于同一外壳中的多个反应腔室，该外壳连接有抽气泵，该多个反应腔室均通过该抽气泵排气；每个该反应腔室连接有一路或多路进气管路，该进气管路在前端设有阀门，用于通过该阀门控制该多个反应腔室内部保持相同的气体压力，以使该多个反应腔室同时进行薄膜沉积工艺。积工艺。积工艺。
【技术实现步骤摘要】
一种多腔室的薄膜沉积装置
[0001]本技术涉及一种多腔室的薄膜沉积装置。
技术介绍
[0002]半导体工艺中，薄膜沉积工艺用于在完成刻蚀工艺的晶片上沉积薄膜以产生相应的电学特性。现有技术中，用于进行半导体薄膜沉积工艺的装置可以仅设有单个反应腔室或者设有多个反应腔室以同时进行多个晶圆的薄膜沉积工艺。
[0003]然而，现有技术中的该些设有多个腔室的薄膜沉积设备，其内的多个腔室通常只能同时沉积同一种薄膜，如果需要沉积多种薄膜，不可避免地需要配置多个设备，就存在着设备占地大，工艺成本高，制造周期长等缺陷问题。
[0004]因而，本领域亟需一种多腔室的薄膜沉积装置，多个腔室间可同时沉积多种薄膜，仅需要通过简单地切换即可实现不同需求的工艺加工，为半导体产品的新品开发或小批量生产提供便利。
技术实现思路
[0005]为了克服上述缺陷，本技术提供了一种多腔室的薄膜沉积装置，包括：集成于同一外壳中的多个反应腔室，外壳连接有抽气泵，多个反应腔室均通过抽气泵排气；每个反应腔室连接有一路或多路进气管路，进气管路在前端设有阀门，用于通过阀门控制多个反应腔室内部保持相同的气体压力，以使多个反应腔室同时进行薄膜沉积工艺。
[0006]在一实施例中，优选地，该薄膜沉积装置还包括与进气管路的另一端相连接的吹扫气体进气单元和反应气体进气端，反应气体进气端用于向反应腔室内输入反应气体或惰性气体。
[0007]在一实施例中，可选地，该薄膜沉积装置还包括至少一个吹扫气体进气单元和多个反应气体进气端，单个吹扫气体进气单元和单个反应气体进气端配置连接多个反应腔室，以使该多个反应腔室同时沉积相同的薄膜。
[0008]在一实施例中，可选地，一个反应腔室配置连接一个吹扫气体进气单元和多个反应气体进气端，不同的反应气体进气端用于输入不同的反应气体以沉积不同的薄膜。
[0009]在一实施例中，可选地，该薄膜沉积装置还包括多个吹扫气体进气单元和多个反应气体进气端，单个吹扫气体进气单元和单个反应气体进气端只配置连接一个反应腔室，不同的反应腔室之间配置连接不同的吹扫气体进气单元和反应气体进气端，以使该多个反应腔室之间顺次沉积不同的薄膜。
[0010]在一实施例中，可选地，单个反应腔室配置连接一个吹扫气体进气单元和至少两个反应气体进气端，该至少两个反应气体进气端分别用于输入惰性气体和至少一种反应气体，以使一个反应腔室在通过与之连接的一个反应气体进气端通入反应气体沉积薄膜的同时，其他反应腔室通过其中一个反应气体进气端通入惰性气体以保持相同的腔室压力。
[0011]在一实施例中，优选地，每个吹扫气体进气单元和每个反应气体进气端在连接反
应腔室的同时，还设有旁路管路以与抽气泵相连接。
[0012]在一实施例中，优选地，每个吹扫气体进气单元和每个反应气体进气端在连接至反应腔室的管路前端以及每一旁路管路的前端均设有阀门。
[0013]在一实施例中，优选地，吹扫气体进气单元内设有并列的高流量吹扫进气端和低流量吹扫进气端。
[0014]在一实施例中，优选地，每个高流量吹扫进气端和每个低流量吹扫进气端在连接至反应腔室的同时，也均设有旁路管路以与抽气泵相连接，且在连接至反应腔室的管路前端以及每一旁路管路的前端也均设有阀门。
[0015]本技术提供的多腔室的薄膜沉积装置中，多个反应腔室间可以同时开展薄膜沉积工作，进一步地，多个腔室之间可以同时沉积多种相同的薄膜，或依次沉积不同的薄膜，仅需要通过简单地切换即可满足各种类型的工艺加工需求，为半导体产品的新品开发或小批量生产提供便利。
附图说明
[0016]在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本技术的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
[0017]图1是根据本技术的一实施例绘示的多腔室的薄膜沉积装置的装置结构示意图；以及
[0018]图2是根据本技术的另一实施例绘示的多腔室的薄膜沉积装置的装置结构示意图。
[0019]为清楚起见，以下给出附图标记的简要说明：
[0020]11第一反应腔室
[0021]12第二反应腔室
[0022]13抽气泵
[0023]14吹扫气体进气单元
[0024]141高流量吹扫进气端
[0025]142低流量吹扫进气端
[0026]15a、15b、15c、15d反应气体进气端
[0027]21第一反应腔室
[0028]22第二反应腔室
[0029]23抽气泵
[0030]24a、24b吹扫气体进气单元
[0031]241高流量吹扫进气端
[0032]242低流量吹扫进气端
[0033]25a、25b、25c、25d反应气体进气端
[0034]26a、26b旁路管路
具体实施方式
[0035]以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。虽然本技术的描述将结合优选实施例一起介绍，但这并不代表此技术的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作技术介绍的目的是为了覆盖基于本技术的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本技术的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本技术也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本技术的重点，有些具体细节将在描述中被省略。
[0036]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0037]另外，在以下的说明中所使用的“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“水平”、“垂直”应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作，因此不应理解为对本技术的限制。
[0038]能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种组件、区域、层和/或部分，这些组件、区域、层和/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、区域、层和/或部分。因此，以下讨论的第一组件、区域、层和/或部分可在不偏离本技术一些实施例的情况下被称为第二组件、区域、层和/或部分。
[0039]为了克服现有技术中存在的上述缺陷，本技术提供了一种多腔室的薄膜沉积装置，多个反应腔室间可以同时开展薄膜沉积工作，进一步地，多个腔室之间可以同时沉积多种相同的薄膜，或依次沉本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多腔室的薄膜沉积装置，其特征在于，包括：集成于同一外壳中的多个反应腔室，所述外壳连接有抽气泵，所述多个反应腔室均通过所述抽气泵排气；每个所述反应腔室连接有一路或多路进气管路，所述进气管路在前端设有阀门，用于通过所述阀门控制所述多个反应腔室内部保持相同的气体压力，以使所述多个反应腔室同时进行薄膜沉积工艺。2.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，还包括与所述进气管路的另一端相连接的吹扫气体进气单元和反应气体进气端，所述反应气体进气端用于向所述反应腔室内输入反应气体或惰性气体。3.如权利要求2所述的薄膜沉积装置，其特征在于，还包括至少一个所述吹扫气体进气单元和多个反应气体进气端，单个所述吹扫气体进气单元和单个所述反应气体进气端配置连接多个反应腔室，以使该多个反应腔室同时沉积相同的薄膜。4.如权利要求3所述的薄膜沉积装置，其特征在于，一个所述反应腔室配置连接一个所述吹扫气体进气单元和多个反应气体进气端，不同的反应气体进气端用于输入不同的反应气体以沉积不同的薄膜。5.如权利要求2所述的薄膜沉积装置，其特征在于，还包括多个所述吹扫气体进气单元和多个反应气体进气端，单个所述吹扫气体进气单元和单个所述反应气体进气端只配置连接一个反应腔室，不同的反应腔室之间配置连接不同的吹扫气体进气单元和反应气体进气端，以使该...
【专利技术属性】
技术研发人员：董文惠，吴凤丽，邓浩，郭月，魏有雯，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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