【技术实现步骤摘要】
一种多腔室的薄膜沉积装置
[0001]本技术涉及一种多腔室的薄膜沉积装置。
技术介绍
[0002]半导体工艺中,薄膜沉积工艺用于在完成刻蚀工艺的晶片上沉积薄膜以产生相应的电学特性。现有技术中,用于进行半导体薄膜沉积工艺的装置可以仅设有单个反应腔室或者设有多个反应腔室以同时进行多个晶圆的薄膜沉积工艺。
[0003]然而,现有技术中的该些设有多个腔室的薄膜沉积设备,其内的多个腔室通常只能同时沉积同一种薄膜,如果需要沉积多种薄膜,不可避免地需要配置多个设备,就存在着设备占地大,工艺成本高,制造周期长等缺陷问题。
[0004]因而,本领域亟需一种多腔室的薄膜沉积装置,多个腔室间可同时沉积多种薄膜,仅需要通过简单地切换即可实现不同需求的工艺加工,为半导体产品的新品开发或小批量生产提供便利。
技术实现思路
[0005]为了克服上述缺陷,本技术提供了一种多腔室的薄膜沉积装置,包括:集成于同一外壳中的多个反应腔室,外壳连接有抽气泵,多个反应腔室均通过抽气泵排气;每个反应腔室连接有一路或多路进气管路,进气管路在前端 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多腔室的薄膜沉积装置,其特征在于,包括:集成于同一外壳中的多个反应腔室,所述外壳连接有抽气泵,所述多个反应腔室均通过所述抽气泵排气;每个所述反应腔室连接有一路或多路进气管路,所述进气管路在前端设有阀门,用于通过所述阀门控制所述多个反应腔室内部保持相同的气体压力,以使所述多个反应腔室同时进行薄膜沉积工艺。2.如权利要求1所述的薄膜沉积装置,其特征在于,还包括与所述进气管路的另一端相连接的吹扫气体进气单元和反应气体进气端,所述反应气体进气端用于向所述反应腔室内输入反应气体或惰性气体。3.如权利要求2所述的薄膜沉积装置,其特征在于,还包括至少一个所述吹扫气体进气单元和多个反应气体进气端,单个所述吹扫气体进气单元和单个所述反应气体进气端配置连接多个反应腔室,以使该多个反应腔室同时沉积相同的薄膜。4.如权利要求3所述的薄膜沉积装置,其特征在于,一个所述反应腔室配置连接一个所述吹扫气体进气单元和多个反应气体进气端,不同的反应气体进气端用于输入不同的反应气体以沉积不同的薄膜。5.如权利要求2所述的薄膜沉积装置,其特征在于,还包括多个所述吹扫气体进气单元和多个反应气体进气端,单个所述吹扫气体进气单元和单个所述反应气体进气端只配置连接一个反应腔室,不同的反应腔室之间配置连接不同的吹扫气体进气单元和反应气体进气端,以使该...
【专利技术属性】
技术研发人员:董文惠,吴凤丽,邓浩,郭月,魏有雯,
申请(专利权)人:拓荆科技上海有限公司,
类型:新型
国别省市:
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