【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种利用错配层钴氧化合物热电薄膜制作的高灵敏宽频段光探测器，属于薄膜光探测器设备
技术介绍
当一束激光照射到沉积在倾斜单晶衬底上的薄膜表面上时，薄膜的上下表面就会 产生一个温度差，由于薄膜赛贝克系数的各项异性，则会在薄膜的两端产生一个横向电压 信号且电压信号的幅值和薄膜材料ab轴方向和c轴方向的赛贝克系数的差值Δ S成正比， 这一效应称之为激光诱导热电压效应。近年来，利用氧化物薄膜材料的激光诱导热电压效 应制作的新型光探测器备受关注。和传统的用半导体材料制成的光子探测器相比，基于氧 化物薄膜激光诱导热电压效应制备的光探测器价格低廉、信噪比好、不需要制冷、且可以工 作在很长的波段范围内。目前用于制备此类新型光探测器常用的氧化物薄膜材料包括以钇钡铜氧为代表 的高温超导薄膜和以镧钙锰氧为代表的巨磁阻薄膜。但这两种薄膜的AS值较小，使得探 测器的探测灵敏度较小，因此寻找具有较大△ S值的新型氧化物薄膜材料成为进一步发展 此类光探测器的关键所在。最近，日本科学家发现c轴取向生长的错配层钴氧化合物薄膜 具有很大的Δ S值，非常适用于制备高灵敏度的光探...
【技术保护点】
一种错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器，其特征在于：它由斜切的氧化物单晶基片（１）和ｃ轴取向的错配层钴氧化合物热电薄膜（２）组成，ｃ轴取向的错配层钴氧化合物热电薄膜（２）采用脉冲激光沉积技术或金属有机沉积技术生长在斜切的氧化物单晶基片（１）上，在薄膜表面有两个用热蒸发、磁控溅射或脉冲激光沉积技术沉积在薄膜表面的电极，两个电极分别通过电极引线与电压信号输出端相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王淑芳，陈景春，傅广生，陈明敬，何立平，于威，李晓苇，
申请(专利权)人：河北大学，
类型：发明
国别省市：13[中国|河北]
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