【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种纳米结构Co(OH)2薄膜及其制备方法,属于纳米材料领域。
技术介绍
氢氧化钴、氧化钴、金属钴是制造MH-Ni,锂离子等可充电电池的几种关键材料之一。近年来研究认为氧化钴、氢氧化钴是一种性能优异的电池添加剂。它能够明显改善电池的性能提高电池的比容量和高输出功率,提高电池的充放电循环寿命,提高耐过充电能力及减少自放电现象等,使蓄电池向高能、小型、轻量、安全、无污染等方面发展成为可能。 钴氢氧化物膜电极具有较强的稳定性、重现性且对一些在生物和环境领域起重要作用的有机分子具有很强的催化活性。与普通微米球形Co (OH) 2相比,纳米Co (OH) 2具有更高的质子迁移速率、更小的晶粒电阻、更快的活化速度。薄膜式电极是纳米Co (OH)2在电池应用中的一种重要形式。因此,制备一种纳米结构的Co(OH)2薄膜对电极材料的发展具有十分重要的意义。化学溶液法由于具有工艺简单、成本低廉等优点常常用于纳米氢氧化物薄膜的制备。目前,在利用化学溶液法制备纳米Co(OH)2薄膜时,常用的方法是以氨水为配合剂,用一定浓度的钻盐溶液和氢氧化钠溶液反应,控制一定的温度和加入的氢氧化钠的量,制备出纳米Co(0H)2。这一方法的缺点是制备出的纳米Co(OH)2粒度不可控,尺寸不均勻,灵活性差。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有工艺原理简单,操作方便,易于生产,制备出的纳米 Co(OH)2粒度可控,粒径分布较窄等特点的方法。采用配位沉淀法制备纳米结构Co(OH)2薄膜。本专利技术采用氟原子作为配位原子,在钴盐的溶液中加入氢氟酸生成[CoFJ (!£_2)_,然后 ...
【技术保护点】
1.一种纳米结构氢氧化钴薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)基片预处理:将基片依次用硝酸、乙醇和蒸馏水超声洗涤,室温自然干燥,待用;2)将钴盐溶于水中配成钴离子浓度为0.01~0.10mol/L的钴盐溶液;3)将氢氟酸加入步骤2)中配制的钴盐溶液中得到混合溶液,其中,F与Co(II)的摩尔比为3∶1~9∶1;4)在步骤3)中得到的混合溶液中滴加氨水调节pH值为8.50~9.30;5)将步骤1)中预处理后的基片垂直放入步骤4)中配制的溶液后,于50~80℃的水浴中搅拌反应2~4小时得到覆有薄膜的基片;6)取出覆有薄膜的基片超声洗涤、室温自然干燥,得到Co(OH)2薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:聂祚仁,李群艳,解林艳,韦奇,王志宏,
申请(专利权)人:北京工业大学,
类型:发明
国别省市:11
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