温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器，属于薄膜光探测器设备技术领域，所要解决的技术问题是提供一种通过在斜切氧化物单晶基底上生长一层ｃ轴取向的错配层钴氧化合物热电薄膜所制成的光探测器，其技术方案是：它由斜切的氧化物单晶基片和ｃ轴取向...
该专利属于河北大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。