一种封装框架结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种封装框架结构，包括表面导电的载体，载体的表面设置第一绝缘层，第一绝缘层向内形成若干个第一金属焊盘，第一金属焊盘的表面与第一绝缘层的表面设置第二金属焊盘，第一金属焊盘与第二金属焊盘接触连接。本实用新型专利技术提供一种封装框架结构，令载体与第一金属焊盘、第二金属焊盘独立，以便后期制程完成后能够去除载体，并令第一金属焊盘与第二金属焊盘接触连接，使得整体厚度可控，尽量获得更薄的产品。量获得更薄的产品。量获得更薄的产品。

【技术实现步骤摘要】
一种封装框架结构


[0001]本技术设计半导体封装
，更具体地说，是涉及一种封装框架结构。

技术介绍

[0002]封装主要为框架、芯片、键合引线及塑封料等组成，在电子产品的轻薄化发展的趋势下，封装框架的尺寸也朝着超薄方向发展。现有技术中，传统封装框架是使用铜材进行双面蚀刻加工成型，在封装过程中，需要在铜材底部贴上高温胶带进行贴片、打线、塑封，然后剥离高温胶带，再进行表面涂覆形成电极。由于是通过双面蚀刻形成，因此铜材的厚度一旦过薄，在蚀刻过程铜材易变形，良品率下降，最终导致框架结构的厚度无法减小。除此之外，高温胶带的贴附也使得产品在制程中出现溢胶、残胶等问题。

技术实现思路

[0003]为了解决现有框架结构因双面蚀刻易变形无法减薄的问题，本技术提供一种封装框架结构，令载体与第一金属焊盘、第二金属焊盘独立，以便后期制程完成后能够去除载体，并令第一金属焊盘与第二金属焊盘接触连接，使得整体厚度可控，尽量获得更薄的产品。
[0004]本技术技术方案如下所述：
[0005]一种封装框架结构，包括表面导电的载体，载体的表面设置第一绝缘层，第一绝缘层向内形成若干个第一金属焊盘，第一金属焊盘的表面与第一绝缘层的表面设置第二金属焊盘，第一金属焊盘与第二金属焊盘接触连接。
[0006]载体与第一金属焊盘、第二金属焊盘而言均为独立结构，这样第一金属焊盘与第二金属焊盘可以在载体的基础上增设而非蚀刻形成，同时令第一金属焊盘与第二金属焊盘接触直接连接，有利于厚度的降低。
[0007]上述的一种封装框架结构，第一金属焊盘与第二金属焊盘错位设置。
[0008]上述的一种封装框架结构，第二金属焊盘与第一金属焊盘、第一绝缘层之间设置导电层。
[0009]上述的一种封装框架结构，第二金属焊盘被第二绝缘层包围且第二金属焊盘显露。
[0010]进一步的，第二绝缘层的材料为光固性绝缘材料。
[0011]上述的一种封装框架结构，第一绝缘层的材料为光固性绝缘材料或热固性绝缘材料。
[0012]上述的一种封装框架结构，第一金属焊盘对第一绝缘层呈显露状态且第一金属焊盘与第一绝缘层平齐。
[0013]上述的一种封装框架结构，载体包括基材层与表面导电金属层。
[0014]上述的一种封装框架结构，第一金属焊盘为多层金属焊盘。
[0015]进一步的，第一金属焊盘贴近载体的一层的材料为金、银或锡。
[0016]进一步的，第一金属焊盘自下而上的材料分别为金
‑
镍
‑
铜，或者是金
‑
银
‑
铜，或者是金
‑
银
‑
铜，或者是金
‑
锡
‑
铜。
[0017]根据上述方案的本技术，其有益效果在于，
[0018]1.第一金属焊盘与第二金属焊盘直接接触连接，有利于控制整体厚度，令其能够保持在0.06
‑
0.12毫米的尺寸范围，从而令框架结构的厚度(第一金属焊盘的厚度+第二金属焊盘的厚度)得到控制，实现超薄器件的封装。
[0019]2.载体结构为基材层与表面导电金属层构成，且与第一金属焊盘、第二金属焊盘所在层独立，因此在完成整个器件的封装制程后可通过物理或化学方法除去载体，令在中间的封装过程中，能够有效解决因框架过薄带来的制程中焊接良率低、打线拉力不足等问题。同时，在去除载体后，第一金属焊盘显露的部分为易于焊接且抗氧化的金、银、锡等金属结构，提前完成电极涂覆，后期无需再进行表面处理，结构更为稳定，生产制造效率更高。
[0020]3.第一金属焊盘与第二金属焊盘的周围是填充由复合绝缘材料形成的绝缘层，成本与传统贴高温胶带相差无几，且能够解决产品塑封过程中的溢胶情况。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本技术其中一种实施例的结构示意图。
[0023]图2为本技术另一种实施例的结构示意图。
[0024]其中，图中各附图标记：
[0025]1.第一金属焊盘；2.第二金属焊盘；3.第一绝缘层；4.第二绝缘层；5.载体。
具体实施方式
[0026]为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0027]一种封装框架结构，如图1、图2所示，包括导电的载体5，载体5的表面设置第一绝缘层3，第一绝缘层3向内形成若干个第一金属焊盘1，第一金属焊盘1的表面与第一绝缘层3的表面设置第二金属焊盘2，第一金属焊盘1与第二金属焊盘2接触连接。
[0028]如图1所示，载体5厚度为0.4
‑
2.0毫米，由基材层和表面导电金属层构成。
[0029]基材层的材料为绝缘材料或导电材料，优选的为导电材料。
[0030]表面导电金属层的材料为单一金属或合金金属，单一金属包括为铜、镍等，合金金属为不锈钢等，优选材料为430不锈钢、304不锈钢等。
[0031]第一金属焊盘1的厚度等于第一绝缘层3的厚度，第一金属焊盘1的表面与第一绝缘层3的高度平齐。第一金属焊盘1的厚度控制在20
‑
50微米。第一金属焊盘1可为多层金属焊盘，电镀构成从下到上依次为金
‑
镍
‑
铜，或者是金
‑
银
‑
铜，或者是金
‑
银
‑
铜，或者是金
‑
锡
‑
铜，优选结构为金
‑
镍
‑
铜与金
‑
锡
‑
铜。具体的，以金
‑
镍
‑
铜为例，第一金属焊盘1各层的
金属厚度分别为金材料层的厚度为0.03
‑
0.05微米，镍材料层的厚度为3
‑
8微米，铜材料层的厚度为15
‑
45微米。
[0032]第二金属焊盘2与第一金属焊盘1、第一绝缘层3之间设置导电层。
[0033]第二金属焊盘2的厚度为40
‑
100微米。
[0034]在其他实施例中，如图2所示，第二金属焊盘2的周围设置第二绝缘层4，第二金属焊盘2与第二绝缘层4平齐，且第二金属焊盘2显露出来。
[0035]第二绝缘层4的高度与第二金属焊盘2的高度平齐或高于第二金属焊盘2。
[0036]如图1所示，实施例一：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装框架结构，其特征在于，包括表面导电的载体，载体的表面设置第一绝缘层，第一绝缘层向内形成若干个第一金属焊盘，第一金属焊盘的表面与第一绝缘层的表面设置第二金属焊盘，第一金属焊盘与第二金属焊盘接触连接。2.根据权利要求1中所述的一种封装框架结构，其特征在于，第一金属焊盘与第二金属焊盘错位设置。3.根据权利要求1中所述的一种封装框架结构，其特征在于，第二金属焊盘与第一金属焊盘、第一绝缘层之间设置导电层。4.根据权利要求1中所述的一种封装框架结构，其特征在于，第二金属焊盘被第二绝缘层包围且第二金属焊盘显露。5.根据权利要求4中所述的一种封装框架结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张博威，
申请(专利权)人：深圳市芯友微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：