本技术公开了一种功率器件封装结构，包括塑封体、封装在塑封体内的芯片，其中，芯片下方通过金属基岛来承载，金属基岛通过第一导电连接柱与第一金属焊盘连接；芯片上方设置有互联结构，互联结构一端连接于芯片的上端面，互联结构另一端通过第二导电连接柱...

本技术公开了一种电镀防激光烧穿单向导通晶圆片，所述电镀防激光烧穿单向导通晶圆片包括晶圆层、UV层、铜箔和电镀金属层。所述晶圆层一面含有光刻电路，所述单通道芯片以所述光刻电路所在面为正面；所述UV层紧贴所述晶圆层背面一侧设置；所述铜箔一端...

本实用新型公开了一种封装框架结构，包括表面导电的载体，载体的表面设置第一绝缘层，第一绝缘层向内形成若干个第一金属焊盘，第一金属焊盘的表面与第一绝缘层的表面设置第二金属焊盘，第一金属焊盘与第二金属焊盘接触连接。本实用新型提供一种封装框架结...

本发明公开了一种焊盘芯片PLP封装方法，通过在晶圆上直接塑封后进行激光切割的方式，使得芯片塑封不受PCB基板涨缩影响，也不受装片精度影响，降低了芯片在PCB基板上的偏移几率，从而使得芯片激光对位满足要求；其次，通过在PCB基板上进行开槽...

本实用新型公开了一种小尺寸芯片焊点剪切力的测试装置，所述小尺寸芯片焊点剪切力的测试装置包括手持式测力计、测试冶具和放大装置，所述测试冶具一端与手持式测力计传感器连接，手持式测力计显示所述测试冶具顶端推力值，所述放大装置用于观察芯片与焊点...

本发明公开了一种MOS芯片的板级封装结构，包括板状的载体结构，载体结构的一端面设置金属层，金属层设置结构凸出的金属基岛或MOS芯片含有源极、栅极的一端面设置凸出的金属基岛，使得MOS芯片含有源极、栅极的一端面通过金属基岛与金属层连接，M...

本发明公开了一种半导体封装结构，包括布局走线及设置在布局走线上的引出电极，其中一个引出电极设置芯片，另一个与芯片相邻的引出电极设置导电导热体，芯片与导电导热体的位置对称，导电导热体的厚度与芯片的厚度相同，设置第一塑封体包覆芯片与导电导热...

本发明公开了一种微小型封装的加工结构及加工方法，包括金属基岛，部分或部分的金属基岛上设置芯片，塑封体包裹金属基岛与芯片的表面，金属基岛的底部设置可除去的基底结构，金属基岛底部周边设置临时阻隔层或金属引线层，使得金属基岛的底部低于塑封体的...

实用新型本实用新型一种PTC器件的封装结构，包括PTC元件，PTC元件包含依次层叠的正面电极、PTC片材和背面电极；所述PTC元件的侧边包围有镂空框架，所述镂空框架与所述PTC元件的侧边的空隙之间填充有绝缘材料；所述PTC元件的正面电极...

本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种分立器件的封装结构。包括塑封层、双面有源芯片以及多个第一金属焊盘，若干第一金属焊盘通过第一导电通路与芯片的正面电极相连，若干第一金属焊盘通过第二导电通路与芯片的背面电极连接；第一导电通路由连接第...