一种电镀防激光烧穿单向导通晶圆片制造技术

本技术公开了一种电镀防激光烧穿单向导通晶圆片，所述电镀防激光烧穿单向导通晶圆片包括晶圆层、UV层、铜箔和电镀金属层。所述晶圆层一面含有光刻电路，所述单通道芯片以所述光刻电路所在面为正面；所述UV层紧贴所述晶圆层背面一侧设置；所述铜箔一端位于所述UV层和晶圆层之间，另一端延伸出所述晶圆层边缘外侧，以用于与电镀装置内整流机的阳极连接；所述电镀金属层位于所述晶圆层上层，并紧贴光刻电路面，所述电镀金属层厚度大于0.3μm。本技术中电镀金属层是通过在晶圆的背面增加设置的UV层，以及在单通道芯片和UV层之间增设的铜箔，经电镀方式获得。电镀金属层加厚芯片表面电极能有效抵御激光能量，且电镀成本低廉，批量加工效率高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及芯片加工，尤其涉及一种电镀防激光烧穿单向导通晶圆片。

技术介绍

1、芯片，又称微电路，是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分，在电子学中是一种把电路(主要包括半导体设备，也包括被动组件等)小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。而一个晶圆表面上可以制备数百个芯片，为了后续的芯片的正常使用，需要对晶圆进行镀膜、分割等一系列的后续处理操作，以制备出可直接在电子设备上使用的的芯片产品。

2、为使得芯片内包含的集成电路与外部其他电子器件之间形成正常的电路连通，需要对芯片电极引出。在目前的面板级封装的工艺流程中，对芯片电极的引出方式主要是以激光钻盲孔加沉铜电镀的方式，将芯片电极和要与之互联的焊盘引出，但激光打孔对芯片焊盘的要求较高，一般的材料无法承受激光镭射的能量，容易受到损伤导致芯片损坏，局限性较大。

3、为解决局限性较大的问题，通常需要在芯片表面增加一层镀层保护芯片，以降低面板级封装的工艺流程中芯片的局限性。在芯片表面一般采用蒸镀方案在晶圆片上进行镀膜处理，一般蒸镀方案中金、银厚度可控制在0.075μm左右，但0.075μm左右厚度偏薄，激光的能量还是容易烧穿表面金属，需要对激光能量严格把控，以保证芯片生产的良品率；但如果把金、银厚度提升，生产成本会成倍增加。

技术实现思路

1、为了克服蒸镀在芯片表面形成较厚的金、银层成本较高的不足，本技术提供一种电镀防激光烧穿单向导通晶圆片。

2、本技术技术方案如下所述：</p>

3、一种电镀防激光烧穿单向导通晶圆片，所述电镀防激光烧穿单向导通晶圆片包括，

4、晶圆层，所述晶圆层包括有单向导通的光刻电路，所述晶圆层以光刻电路一面为正面；

5、uv层，所述uv层紧贴所述晶圆层背面一侧设置；

6、铜箔，所述铜箔一端位于所述uv层和晶圆层之间，另一端延伸出所述晶圆层边缘外侧，所述铜箔伸出一端用于与电镀装置内整流机的阳极连接；

7、电镀金属层，所述电镀金属层位于所述晶圆层上层，并紧贴光刻电路一面，所述电镀金属层厚度大于0.3μm。

8、进一步地，在一实施例中，所述铜箔厚度大于等于5um。

9、进一步地，在一实施例中，所述电镀金属层材质包括铜、金、银、镍和铁中的一种或多种。

10、进一步地，在一实施例中，所述电镀金属层包括电镀铜层、电镀银层、电镀金层、电镀镍层和电镀铁层中的一种或多种组合。

11、进一步地，在一实施例中，所述铜箔一端上表面紧贴所述晶圆层背面。

12、进一步地，在一实施例中，所述uv层覆盖所述晶圆层，所述uv层覆盖所述晶圆层背面，所述uv层半径与所述晶圆层半径的差值为l1，l1＞0。

13、进一步地，在一实施例中，所述铜箔伸出晶圆层长度值为l2，l2＞l1。

14、进一步地，在一实施例中，所述电镀金属层上方还设有保护膜层，所述保护膜层由有机焊料防护药水浸泡成膜制成。

15、根据上述方案的本技术，其有益效果在于：

16、1)、本申请中晶圆片正面上形成有厚度大于0.3um的电镀金属层。电镀金属层是通过晶圆层的背面增加设置的uv层，以及在晶圆层和uv层之间增设的铜箔，经电镀方式获得。电镀金属层加厚芯片表面电极，成本低廉，批量加工效率高。

17、2)、电镀金属层厚度高，能有效抵御激光能量，使得后续激光加工对看激光能量控制要求不高，有利于降低整个芯片生产线的生产投入，降低生产成本。

18、3)、电镀金属层的金属材质可以自由选择，厚度可以调节，选择性较强。

19、4)、电镀金属层与芯片电镀结合，结合力会较强，有利于后面沉镀铜结合，使其结合力更强。

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【技术保护点】

1.一种电镀防激光烧穿单向导通晶圆片，其特征在于，所述电镀防激光烧穿单向导通晶圆片包括，

2.根据权利要求1所述的电镀防激光烧穿单向导通晶圆片，其特征在于，所述铜箔厚度大于等于5um。

3.根据权利要求1所述的电镀防激光烧穿单向导通晶圆片，其特征在于，所述电镀金属层包括电镀铜层、电镀银层、电镀金层、电镀镍层和电镀铁层中的一种或多种组合。

4.根据权利要求1所述的电镀防激光烧穿单向导通晶圆片，其特征在于，所述铜箔一端上表面紧贴所述晶圆层背面。

5.根据权利要求1所述的电镀防激光烧穿单向导通晶圆片，其特征在于，所述UV层覆盖所述晶圆层背面，所述UV层半径与所述晶圆层半径的差值为L1，L1＞0。

6.根据权利要求5所述的电镀防激光烧穿单向导通晶圆片，其特征在于，所述铜箔伸出所述晶圆层长度值为L2，L2＞L1。

7.根据权利要求1所述的电镀防激光烧穿单向导通晶圆片，其特征在于，所述电镀金属层上方还设有保护膜层，所述保护膜层由有机焊料防护药水浸泡成膜制成。

【技术特征摘要】

1.一种电镀防激光烧穿单向导通晶圆片，其特征在于，所述电镀防激光烧穿单向导通晶圆片包括，

2.根据权利要求1所述的电镀防激光烧穿单向导通晶圆片，其特征在于，所述铜箔厚度大于等于5um。

3.根据权利要求1所述的电镀防激光烧穿单向导通晶圆片，其特征在于，所述电镀金属层包括电镀铜层、电镀银层、电镀金层、电镀镍层和电镀铁层中的一种或多种组合。

4.根据权利要求1所述的电镀防激光烧穿单向导通晶圆片，其特征在于，所述铜箔一端上表面紧贴所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张博威，
申请(专利权)人：深圳市芯友微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：