【技术实现步骤摘要】
本揭露涉及半导体装置及其形成方法。
技术介绍
1、半导体装置被用于各种电子装置(例如，个人计算机、手机、数字相机和其他电子设备)。半导体装置的制造通常通过在半导体基材上依序地沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层的材料，并使用微影术图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件。
2、半导体工业通过不断地减小最小特征尺寸来继续提高各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集积密度，这允许将更多元件集积到给定的区域中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了应该解决的其他问题。
技术实现思路
1、依据本揭露的部分实施例，提供一种半导体装置形成方法，包含：形成凹槽于第一晶体管的第一栅极区域和第二栅极区域之间，凹槽将第一栅极区域与第二栅极区域电分离；沉积介电质衬垫在凹槽中以及在第一栅极区域和第二栅极区域的上表面上方；沉积介电质填充材料在凹槽中以及在第一栅极区域和第二栅极区域的上表面上方；通过第一处理工艺处理介电质填充材料，第一处理工艺改变介电质填充材料的一部分，以在介电质填充材料中...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该富氮层形成在该介电质填充材料的一上表面下方，还包含：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一处理工艺包含一氨气浸泡。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中蚀刻该第二栅极区域形成邻近该第一栅极区域的一第二凹槽，还包含：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中沉积该介电质填充材料会在该第一栅极区域和该第二栅极区域之间的该介电质填充材料中形成一气隙。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该富氮层形成在该介电质填充材料的一上表面下方，还包含：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一处理工艺包含一氨气浸泡。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中蚀刻该第二栅极区域形成邻近该第一栅极区域的一第二凹槽，还包含：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中沉积该介电质填充材料会在该第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏恒佳，林立峰，吴振诚，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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