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一种半导体装置及其形成方法，半导体装置形成方法包含：将部分的介电质填充材料转变为硬遮罩的工艺包含使用氮气处理或氮气电浆将部分的介电质填充材料转变为类氮层，以作为硬遮罩，以通过蚀刻工艺形成装置晶片的边缘区域。在形成边缘区域之后，在边缘区域中提...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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