一种覆铜陶瓷基板结构制造技术

本发明专利技术涉及模块陶瓷基板结构技术领域，具体为一种覆铜陶瓷基板结构，包括：直角覆铜陶瓷基板本体，所述直角覆铜陶瓷基板本体主要由陶瓷基板层、直角覆铜层一、直角覆铜层二、直角覆铜层三以及直角覆铜层四构成，且所述陶瓷基板层表面开设有若干个等距分布的散热孔。本发明专利技术通过设置直角覆铜层一、直角覆铜层二、直角覆铜层三以及直角覆铜层四，形成拐角处为直角的直角覆铜陶瓷基板，能够有效减低了由于覆铜陶瓷基板设计的不合理，而产生的电场不均匀、电流密度不均匀和电磁场不均匀等问题，从而可避免造成介质击穿、导电层烧穿、绝缘失效和效率的降低等情况，进而不影响覆铜陶瓷基板的使用效果。用效果。用效果。

【技术实现步骤摘要】
一种覆铜陶瓷基板结构


[0001]本专利技术涉及模块陶瓷基板结构
，具体为一种覆铜陶瓷基板结构。

技术介绍

[0002]覆铜陶瓷基板简称为DBC，DBC是现代高功率电子器件中常见的封装技术之一，广泛用于IGBT模块中，且DBC技术在IGBT模块中起到了电流传导、热散热和电绝缘的作用，提高了模块的功率密度、散热性能和可靠性；现有技术中的覆铜陶瓷基板，其涂覆铜层的拐角处一般均为圆角结构，当电场线经过至圆角拐角处时，电场线的流动会发生弯曲和聚集，使得电场强度过强，从而造成电场分布不均匀，电流密度不均匀和电磁场不均匀，进而使得覆铜陶瓷基板会出现介质击穿、导电层烧穿、绝缘失效和效率的降低等情况，影响覆铜陶瓷基板的使用效果。鉴于此，我们提出一种覆铜陶瓷基板结构。

技术实现思路

[0003]为了弥补以上不足，本专利技术提供了一种覆铜陶瓷基板结构，以解决上述
技术介绍
中提出当电场线经过至圆角拐角处时，电场线的流动会发生弯曲和聚集，使得电场强度过强，从而造成电场分布不均匀，电流密度不均匀和电磁场不均匀的缺陷。
[0004]本专利技术的技术方案是：一种覆铜陶瓷基板结构，包括：直角覆铜陶瓷基板本体，所述直角覆铜陶瓷基板本体主要由陶瓷基板层、直角覆铜层一、直角覆铜层二、直角覆铜层三以及直角覆铜层四构成；散热结构，所述散热结构设置于所述陶瓷基板层上，用于所述直角覆铜陶瓷基板本体的散热；绝缘结构，所述绝缘结构设置于所述直角覆铜层一、直角覆铜层二、直角覆铜层三以及直角覆铜层四上，用于所述直角覆铜陶瓷基板本体的绝缘。r/>[0005]优选的，所述直角覆铜层一、直角覆铜层二、直角覆铜层三以及直角覆铜层四设置于陶瓷基板层表面，且所述直角覆铜层一、直角覆铜层二、直角覆铜层三以及直角覆铜层四的材质均为铜。
[0006]优选的，所述直角覆铜层二表面焊接有芯片一以及芯片二，所述芯片一设置于芯片二左侧，且所述芯片一和芯片二的材质均为硅。
[0007]优选的，所述直角覆铜层三表面焊接有芯片三以及芯片四，所述芯片三设置于芯片四左侧，且所述芯片三和芯片三的材质也均为硅。
[0008]优选的，所述直角覆铜层一、直角覆铜层二、直角覆铜层三以及直角覆铜层四拐角处均为直角，且所述直角覆铜层一、直角覆铜层二、直角覆铜层三以及直角覆铜层四上设置有信号传输件。
[0009]优选的，所述信号传输件主要由若干个排列分布的短键合线以及若干个排列分布
的长键合线构成，且若干个所述短键合线以及若干个长键合线的材质均为铝。
[0010]优选的，若干个所述短键合线设置于直角覆铜层一、芯片一以及芯片二上表面，且分别依次和直角覆铜层一、芯片一以及芯片二上表面焊接。
[0011]优选的，若干个所述长键合线设置于直角覆铜层二、芯片三、芯片四以及直角覆铜层四上表面，且分别依次和直角覆铜层二、芯片三、芯片四以及直角覆铜层四上表面焊接。
[0012]优选的，所述散热结构为若干个散热孔，若干个所述散热孔开设于陶瓷基板层上未设置直角覆铜层一、直角覆铜层二、直角覆铜层三以及直角覆铜层四处。
[0013]优选的，所述绝缘结构为聚酰亚胺防护层，所述聚酰亚胺防护层设置于直角覆铜层一、直角覆铜层二、直角覆铜层三以及直角覆铜层四表面。
[0014]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：1.本专利技术通过设置直角覆铜层一、直角覆铜层二、直角覆铜层三以及直角覆铜层四，形成拐角处为直角的直角覆铜陶瓷基板，能够有效减低了由于覆铜陶瓷基板设计的不合理，而产生的电场不均匀、电流密度不均匀和电磁场不均匀等问题，从而可避免造成介质击穿、导电层烧穿、绝缘失效和效率的降低等情况，进而不影响覆铜陶瓷基板的使用效果。
[0015]2.本专利技术通过在陶瓷基板层上未设置直角覆铜层一、直角覆铜层二、直角覆铜层三以及直角覆铜层四处设置若干个散热孔，其可增加整个直角覆铜陶瓷基板的散热路径和散热面积，从而进一步提高整个直角覆铜陶瓷基板热量的传导和扩散效率，进而有助于降低电子器件的工作温度，提高系统的散热性能。
[0016]3.本专利技术通过在直角覆铜层一、直角覆铜层二、直角覆铜层三以及直角覆铜层四上设置聚酰亚胺防护层，其具有一定的绝缘效果，从而在使用直角覆铜陶瓷基板时，能够有效防止电路之间发生短路，起到保护电路的作用。
附图说明
[0017]图1为本专利技术的整体结构示意图；图2为本专利技术的直角覆铜陶瓷基板本体结构示意图；图3为本专利技术的直角覆铜层一截面图；图4为本专利技术的直角覆铜层结构示意图；图5为本专利技术的信号传输件结构示意图；图6为现有技术中的圆角覆铜陶瓷基板；图7为本专利技术的直角覆铜陶瓷基板本体仿真结果示意图；图8为现有技术中的圆角覆铜陶瓷基板仿真结果示意图。
[0018]图中：1、直角覆铜陶瓷基板本体；11、陶瓷基板层；12、散热孔；13、直角覆铜层一；131、聚酰亚胺防护层；14、直角覆铜层二；141、芯片一；142、芯片二；15、直角覆铜层三；151、芯片三；152、芯片四；16、直角覆铜层四；2、信号传输件；21、短键合线；22、长键合线。
具体实施方式
[0019]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0020]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0021]请参阅图1
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8，本专利技术通过以下实施例来详述上述技术方案：一种覆铜陶瓷基板结构，包括：直角覆铜陶瓷基板本体1，直角覆铜陶瓷基板本体1主要由陶瓷基板层11、直角覆铜层一13、直角覆铜层二14、直角覆铜层三15以及直角覆铜层四16构成，直角覆铜层一13、直角覆铜层二14、直角覆铜层三15以及直角覆铜层四16设置于陶瓷基板层11表面，且直角覆铜层一13、直角覆铜层二14、直角覆铜层三15以及直角覆铜层四16的材质均为铜，直角覆铜层二14表面焊接有芯片一141以及芯片二142，芯片一141设置于芯片二142左侧，且芯片一141和芯片二142的材质均为硅，直角覆铜层一13、直角覆铜层二14、直角覆铜层三15以及直角覆铜层四16拐角处均为直角。
[0022]本实施例中，将直角覆铜层一13、直角覆铜层二14、直角覆铜层三15以及直角覆铜层四16的拐角处设计成直角，并进行电仿真后，可从图6和图7的仿真结果对比中，直观的看出直角覆铜层一13、直角覆铜层二14、直角覆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种覆铜陶瓷基板结构，其特征在于，包括：直角覆铜陶瓷基板本体（1），所述直角覆铜陶瓷基板本体（1）主要由陶瓷基板层（11）、直角覆铜层一（13）、直角覆铜层二（14）、直角覆铜层三（15）以及直角覆铜层四（16）构成；散热结构，所述散热结构设置于所述陶瓷基板层（11）上，用于所述直角覆铜陶瓷基板本体（1）的散热；绝缘结构，所述绝缘结构设置于所述直角覆铜层一（13）、直角覆铜层二（14）、直角覆铜层三（15）以及直角覆铜层四（16）上，用于所述直角覆铜陶瓷基板本体（1）的绝缘。2.如权利要求1所述的覆铜陶瓷基板结构，其特征在于：所述直角覆铜层一（13）、直角覆铜层二（14）、直角覆铜层三（15）以及直角覆铜层四（16）设置于陶瓷基板层（11）表面，且所述直角覆铜层一（13）、直角覆铜层二（14）、直角覆铜层三（15）以及直角覆铜层四（16）的材质均为铜。3.如权利要求2所述的覆铜陶瓷基板结构，其特征在于：所述直角覆铜层二（14）表面焊接有芯片一（141）以及芯片二（142），所述芯片一（141）设置于芯片二（142）左侧，且所述芯片一（141）和芯片二（142）的材质均为硅。4.如权利要求2所述的覆铜陶瓷基板结构，其特征在于：所述直角覆铜层三（15）表面焊接有芯片三（151）以及芯片四（152），所述芯片三（151）设置于芯片四（152）左侧，且所述芯片三（151）和芯片三（151）的材质也均为硅。5.如权利要求2所述的覆铜陶瓷基板结构，其特征在于：所述直角覆铜层一（13）、直角覆铜层二（14）、直角覆铜层三（15）以及直角覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：高崇文，任杰，
申请(专利权)人：烟台台芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：