【技术实现步骤摘要】
支撑机构及收纳装置
[0001]本申请涉及半导体运输包装
,尤其是涉及一种支撑机构及收纳装置
。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅片体,晶圆的原始材料是硅
。
高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅
。
硅晶棒在经过研磨
、
抛光以及切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆
。
[0003]国内晶圆生产线以8英寸和
12
英寸为主
。
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1片为片加工,同时加工多片晶圆为批加工
。
随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得晶圆加工出现了新的数据特点
。
同时,特征尺寸的减小,使得晶圆加工时,空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大,而随着洁净的提高,颗粒数也出现了新的数据特点
。
[0004]在大尺寸晶圆进行加工过程中,随着晶圆表面精细化加工,对晶圆表面的洁净度的要求提高
。
对于大尺寸的晶圆中使用
FOSB(
前开口运装箱
)
进行厂外的周转,因此在运输周转过程中,需要保证容器内部晶圆的安全,防止其在运输中发生破损,同时防止晶圆在内部发生磨损,产生颗粒影响
。
[0005]现有技术中,在晶圆运输过程中,使用晶圆支撑件,其中所用的支撑件需要使用盖体结构进行支撑,晶圆在弹性支持板的作用下进行
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种支撑机构,其特征在于,所述支撑机构用于支撑片体,所述支撑机构包括:基部;第一接触构件,包括用于支撑片体的第一接触部,所述第一接触构件设置于所述基部的一侧;第二接触构件,包括用于支撑片体的第二接触部,所述第二接触构件设置于所述基部的所述一侧,所述第一接触部与所述第二接触部在第一方向上间隔设置;其中,所述第二接触部相对于所述第一接触部更为靠近所述基部的所述一侧,其中,所述第一接触构件被配置为在受力时向着所述基部的所述一侧运动
。2.
根据权利要求1所述的支撑机构,其特征在于,所述第二接触构件还包括设置于所述第二接触部的第三接触部和第四接触部,所述第三接触部和所述第四接触部均用于支撑片体,所述第三接触部和所述第四接触部沿着所述第一方向间隔设置,其中,所述第四接触部相对于所述第三接触部更为靠近所述基部的所述一侧
。3.
根据权利要求2所述的支撑机构,其特征在于,所述第二接触构件包括设置于所述第二接触部的第一凹部,所述第一凹部向着所述基部所在侧凹陷,所述第三接触部和所述第四接触部设置于所述第一凹部内
。4.
根据权利要求3所述的支撑机构,其特征在于,所述第一凹部的在向所述基部所在侧凹陷的方向上的开放程度逐渐减少
。5.
根据权利要求3所述的支撑机构,其特征在于,所述第一凹部包括用于限定所述第一凹部的内侧部的引导面,所述引导面被配置为将与所述引导面接触的片体向所述第一凹部的底部引导
。6.
根据权利要求3所述的支撑机构,其特征在于,所述第二接触构件还包括设置于所述第一凹部内的第二凹部,所述第二凹部向所述基部所在侧凹陷,所述第三接触部和所述第四接触部均与所述第二凹部的底部连接
。7.
根据权利要求6所述的支撑机构,其特征在于,所述第三接触部延伸至所述第二凹部外,所述第四接触部设置于所述第二凹部内
。8.
根据权利要求6所述的支撑机构,其特征在于,所述第一凹部的在所述第一凹部的向所述基部所在侧凹陷的方向上的开放程度不变
。9.
根据权利要求1所述的支撑机构,其特征在于,所述第一接触构件在所述第一方向上成对设置,所述支撑机构包括在垂直于所述第一方向的第二方向上间隔设置的多对所述第一接触构件
。10.
根据权利要求9所述的支撑机构,其特征在于,所述支撑机构包括与每对所述第一接触构件在所述第一方向上对应设置的成对的所述第二接触构件
。11.
根据权利要求
10
所述的支撑机构,其特征在于,所述第一接触构件相对于所述第二接触构件更为靠近所述基部的在所述第一方向上的外侧;或者所述第二接触构件相对于所述第一接触构件更为靠近所述基部的在所述第一方向上的外侧
。12.
根据权利要求
11
所述的支撑机构,其特征在于,所述支撑机构还包括设置于所述基部的连接构件;在所述第一接触构件相...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘春峰,刘国华,黄秋凯,
申请(专利权)人:荣耀电子材料重庆有限公司,
类型:发明
国别省市:
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