【技术实现步骤摘要】
半导体互连结构
[0001]本专利技术是关于半导体互连结构
。
技术介绍
[0002]集成电路装置
(
半导体芯片
)
可以包含数百万个晶体管和其他电路元件,这些晶体管和其他电路元件制造在单个硅晶体基板
(
晶圆
)
上
。
为了使集成电路装置发挥作用,通常会路由复杂的信号路径网络以连接分布在器件表面上的电路元件
。
随着电路元件的复杂性和数量的增加,这些信号在设备上的有效路由会变得更加困难
。
因此,多级或多层互连方案的形成,例如双镶嵌布线
(
互连
)
结构,由于它们在复杂集成电路上的大量晶体管和其他电路元件之间提供高速信号路由模式的功效,因此变得更受欢迎
。
技术实现思路
[0003]本专利技术提出一种创新的半导体互连结构,解决先前技术的问题
。
[0004]于本专利技术的一些实施例中,一种半导体互连结构包括设置在衬底上方的下层间介电层;下金属连通柱,设置在下层间介电层中;第一水平介电层,设置在下层间介电层和下金属连通柱上方;上层间介电层,设置于第一水平介电层上且介电常数小于第一水平介电层的介电常数;上金属连通柱,设置于上层间介电层与第一水平介电层中,并电性连接下金属连通柱;扩散阻挡层,设置在上金属连通柱周围,并设置在上层间介电层和上金属连通柱之间;及介电侧壁,设置于扩散阻挡层与上层间介电层之间
。
[00
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种半导体互连结构,其特征在于,包括:下层间介电层,位于基板上方;下金属连通柱,设置在该下层间介电层中;第一水平介电层,设置在该下层间介电层和该下金属连通柱上方;上层间介电层,设置于该第一水平介电层上,且该上层间介电层的介电常数小于该第一水平介电层的介电常数;上金属连通柱,设置于该上层间介电层与该第一水平介电层中,并电性连接该下金属连通柱;扩散阻挡层,设置在该上金属连通柱周围,并设置在该上层间介电层和该上金属连通柱之间;以及介电侧壁,设置在该扩散阻挡层和该上层间介电层之间
。2.
根据权利要求1所述的半导体互连结构,其中该介电侧壁具有比该上层间介电层更高的刚性
。3.
根据权利要求1所述的半导体互连结构,其中该第一水平介电层具有比该上层间介电层更高的刚性
。4.
根据权利要求1所述的半导体互连结构,其中该介电侧壁的介电常数大于该上层间介电层的介电常数
。5.
根据权利要求1所述的半导体互连结构,其中该介电侧壁的热膨胀系数小于该上层间介电层的热膨胀系数
。6.
根据权利要求1所述的半导体互连结构,其中该第一水平介电层的热膨胀系数小于该上层间介电层的热膨胀系数
。7.
根据权利要求1所述的半导体互连结构,其中该上金属连通柱具有
T
形横截面
。8.
根据权利要求1所述的半导体互连结构,其中该介电侧壁的热膨胀系数小于该上金属连通柱的热膨胀系数
。9.
根据权利要求1所述的半导体互连结构,其中该第一水平介电层的热膨胀系数小于该上金属连通柱的热膨胀系数
。10.
根据权利要求1所述的半导体互连结构,其中该介电侧壁是原子层沉积氧化物层
。11.
根据权利要求1所述的半导体互连结构,其中该介电侧壁是原子层沉积氮化物层
。12.
一种半导体互连结构,其特征在于,包括:下层间介电层,位于基板上方;下金属连通柱,设置在该下层间介电层中;第一水平介电层,设置在该下层间介电层和该下金属连通柱上方;上层间介电层,设置于该第一水平介电层上,且该上层间介电层的介电常数小于该第一水平介...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄圣富,
申请(专利权)人:南亚科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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