一种半导体测试探头制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体探针技术领域，尤其为一种半导体测试探头，包括MEMS半导体探针安装板，所述MEMS半导体探针安装板底端内侧封装固定设置有MEMS半导体探针基体，所述MEMS半导体探针基体外侧电镀设置有导电层，所述导电层四周外侧涂覆设置有绝缘层，所述导电层底端外侧电镀设置有导电纳米钻石镀膜，所述绝缘层前端设置有一维码打印区，本实用新型专利技术通过MEMS半导体探针安装板、MEMS半导体探针基体、导电层、绝缘层以及导电纳米钻石镀膜用于增强MEMS半导体探针底部的耐磨以及增强散热的功能。导体探针底部的耐磨以及增强散热的功能。导体探针底部的耐磨以及增强散热的功能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体测试探头


[0001]本技术涉及半导体探针
，具体为一种半导体测试探头。

技术介绍

[0002]MEMS半导体测试探头通过底部安装的探针对集成电路凸块进行引脚的电能测试，其针尖处电镀有导电层,与集成电路凸块的引脚进行接触时,由于针尖处长时间通电使得针尖外侧产生静电，对集成电路凸块的金属碎屑进行吸附,累积于针尖处,长时间运作后,累积于探针针尖的杂质容易掉落，影响探针功能的稳定性，需要定期进行“清针”动作,清除杂质。
[0003]现有的MEMS半导体测试探头的探针结构包括探针基体、电镀包覆于探针基体外侧的导电层以及涂覆于导电层中部外侧的绝缘层结构，其探针针尖因长时间使用，使得针尖外侧产生静电对金属碎屑的吸附较为明显，影响探针的测试效率。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种半导体测试探头，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的MEMS半导体测试探头的探针结构包括探针基体、电镀包覆于探针基体外侧的导电层以及涂覆于导电层中部外侧的绝缘层结构，其探针针尖因长时间使用，使得针尖外侧产生静电对金属碎屑的吸附较为明显，影响探针的测试效率的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种半导体测试探头，包括MEMS半导体探针安装板，所述MEMS半导体探针安装板底端内侧封装固定设置有MEMS半导体探针基体，所述MEMS半导体探针基体外侧电镀设置有导电层，所述导电层四周外侧涂覆设置有绝缘层，所述导电层底端外侧电镀设置有导电纳米钻石镀膜，所述绝缘层前端设置有一维码打印区。
[0007]优选的，所述导电层、绝缘层以及导电纳米钻石镀膜的水平剖面均呈方环结构设置。
[0008]优选的，所述绝缘层的水平剖面厚度与导电纳米钻石镀膜的水平剖面厚度相同。
[0009]优选的，所述一维码打印区呈竖状条形区域分布。
[0010]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0011]本技术中，通过设置的MEMS半导体探针安装板、MEMS半导体探针基体、导电层、绝缘层、导电纳米钻石镀膜以及一维码打印区，导电纳米钻石镀膜为共价键结构不易与金属碎屑附着，同时表面孔隙度小不易粘附杂质，镀膜本身的热传导系数为铜材的5倍，有助于长时间使用时针尖的散热，以解决上述提出的现有的MEMS半导体测试探头的探针结构包括探针基体、电镀包覆于探针基体外侧的导电层以及涂覆于导电层中部外侧的绝缘层结构，其探针针尖因长时间使用，使得针尖外侧产生静电对金属碎屑的吸附较为明显，影响探针的测试效率的问题。
附图说明
[0012]图1为本技术的整体结构示意图；
[0013]图2为本技术探针基体剖面结构示意图；
[0014]图3为本技术导电层剖面结构示意图；
[0015]图4为本技术导电纳米钻石镀膜剖面结构示意图。
[0016]图中：1
‑
MEMS半导体探针安装板、2
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MEMS半导体探针基体、3
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导电层、4
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绝缘层、5
‑
导电纳米钻石镀膜、6
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一维码打印区。
具体实施方式
[0017]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0018]请参阅图1
‑
4，本技术提供一种技术方案：
[0019]一种半导体测试探头，包括MEMS半导体探针安装板1，MEMS半导体探针安装板1底端内侧封装固定设置有MEMS半导体探针基体2，MEMS半导体探针基体2外侧电镀设置有导电层3，导电层3四周外侧涂覆设置有绝缘层4，导电层3底端外侧电镀设置有导电纳米钻石镀膜5，绝缘层4前端设置有一维码打印区6。
[0020]如图2、3以及4所示，通过设置的MEMS半导体探针安装板1、MEMS半导体探针基体2、导电层3、绝缘层4、导电纳米钻石镀膜5以及一维码打印区6，导电纳米钻石镀膜5为共价键结构不易与金属碎屑附着，同时表面孔隙度小不易粘附杂质，其中导电层3、绝缘层4以及导电纳米钻石镀膜5的水平剖面均呈方环结构设置；绝缘层4的水平剖面厚度与导电纳米钻石镀膜5的水平剖面厚度相同；一维码打印区6呈竖状条形区域分布。
[0021]工作流程：本技术在导电层3底部外侧电镀的导电纳米钻石镀膜5为CVD制程的，使其薄膜成长温度在600
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800度制成的硬度为8000千克每平方毫米以及密度为3.2
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3.4克每立方厘米的可镀于复杂表面的导电纳米钻石镀膜5，导电纳米钻石镀膜5为共价键结构不易与金属碎屑附着，同时表面孔隙度小不易粘附杂质，镀膜本身的热传导系数为铜材的5倍，有助于长时间使用时针尖的散热，一维码打印区6便于对探针的制造信息进行源头到使用寿命末的打印记录的作用，提高半导体探针的物联信息使用度。
[0022]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体测试探头，包括MEMS半导体探针安装板(1)，其特征在于：所述MEMS半导体探针安装板(1)底端内侧封装固定设置有MEMS半导体探针基体(2)，所述MEMS半导体探针基体(2)外侧电镀设置有导电层(3)，所述导电层(3)四周外侧涂覆设置有绝缘层(4)，所述导电层(3)底端外侧电镀设置有导电纳米钻石镀膜(5)，所述绝缘层(4)前端设置有一维码打印区(6)。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊烱声，李圣，
申请(专利权)人：扬州奕丞科技有限公司，
类型：新型
国别省市：