ＴＦＴ液晶显示器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种ＴＦＴ液晶显示器的制造方法。该方法包括：在ＴＦＴ－ＬＣＤ玻璃基板上形成薄膜场效应晶体管、功能薄膜及电极图形，获得Ａｒｒａｙ基板；采用电磁波对所述Ａｒｒａｙ基板进行照射；将所述Ａｒｒａｙ基板与ＣＦ基板贴合成盒；进入后段模组组装，形成ＴＦＴ液晶显示器。本发明专利技术实施例通过在ＴＦＴ液晶显示器的制造过程中增加电磁波照射的步骤，使得ＴＦＴ－ＬＣＤ玻璃基板上的功能薄膜在电磁波的作用下，表面性质发生改变，使得膜与膜之间更加密接，减少了膜层间的气泡、污染物等，从而减小了后续气泡等障碍物对光线的传播和叠加产生的影响，使后续制作的液晶显示器显示画面更均匀，对比度一致性好，提高了ＴＦＴ液晶显示器显示画面品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及移动显示器制造
，尤其涉及一种TFT液晶显示器的制造方法。
技术介绍
TFT (Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)液晶显示器，属于有源矩阵液晶 显示器，显示器上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动，TFT为每个像 素都设有一个半导体开关，每个像素都可以通过点脉冲直接控制，因而每个节点都相对独 立，并可以连续控制，不仅提高了显示屏的反应速度，同时可以精确控制显示色阶。TFT液晶 显示器，可以做到高速度、高亮度、高对比度地显示屏幕信息。现有的TFT液晶显示器的制造过程包括前段Array制程、中段Cell制程和后段 模组组装等。前段 Array 制程主要是在 TFT-LCD (Thin FilmTransistor—Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示屏)玻璃基板上形成薄膜场效应晶体管、多层功能薄膜，例 如Gate薄膜、Island薄膜、SD薄膜、Contact薄膜、IT0薄膜等，并通过光刻胶曝光、刻蚀的 方法形成电极图形以控制液晶分子的运动，最终形成Array基板(Array Plate，阵列基板) 的过程；中段Cell制程是将Array基板和对应的CF基板(Color Filter Plate，彩色滤光 片基板)涂布定向膜、密封胶、喷洒垫料、贴合成盒、注入液晶的过程，后段模组组装是将驱 动IC/印刷电路板压合的过程。然而，采用上述TFT液晶显示器的制造方法制作的显示器，如图1所示，其显示区 11存在局部显示对比度不一致的缺陷，从而影响了显示画面的品质。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种TFT液晶显示器的制造方法，能够改善显示区域对比度的 一致性，提高显示画面的品质。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例的技术方案如下一种TFT液晶显示器的制造方法，包括在TFT-LCD玻璃基板上形成薄膜场效应晶体管、功能薄膜及电极图形，获得Array 基板；采用电磁波对所述Array基板进行照射；将所述Array基板与CF基板贴合成盒；进入后段模组组装，形成TFT液晶显示器。进一步，所述采用电磁波对所述Array基板进行照射，包括对所述Array基板的朝向所述CF基板的表面进行电磁波照射；和/或，对Array 基板的所述表面的背面进行电磁波照射。进一步，所述对所述Array基板的朝向所述CF基板的表面进行电磁波照射，包 括采用波长范围为100 780纳米，光强范围为20 lOOOmw/cm2，光积量范围为 100 lOOOOmj/cm2，入射角度范围为30 150度的电磁波对所述Array基板的朝向所述 CF基板的表面照射1 90秒。进一步，所述对Array基板的所述表面的背面进行电磁波照射，包括采用波长范围为100 780纳米，光强范围为20 lOOOmw/cm2，光积量范围为 100 lOOOOmj/cm2，入射角度范围为30 150度的电磁波对Array基板的所述表面的背 面照射1 90秒。进一步，在所述将所述ARRAY基板与CF基板贴合成盒之后，还包括对成盒后的Array基板和CF基板整体进行电磁波照射。进一步，所述对成盒后的Array基板和CF基板整体进行电磁波照射，包括采用波长范围为100 780纳米，光强范围为20 lOOOmw/cm2，光积量范围为 100 lOOOOmj/cm2，入射角度范围为30 150度的电磁波对成盒后的Array基板和CF基 板整体照射1 90秒。一种TFT液晶显示器的制造方法，包括在TFT-LCD玻璃基板上形成薄膜场效应晶体管、功能薄膜及电极图形，获得Array 基板；将所述Array基板和CF基板贴合成盒；对成盒后的Array基板和CF基板整体进行电磁波照射；进入后段模组组装，形成TFT液晶显示器。进一步，所述对成盒后的Array基板和CF基板整体进行电磁波照射，包括采用波长范围为100 780纳米，光强范围为20 lOOOmw/cm2，光积量范围为 100 lOOOOmj/cm2，入射角度范围为30 150度的电磁波对成盒后的Array基板和CF基 板整体照射1 90秒。本专利技术实施例通过在TFT液晶显示器的制造过程中增加电磁波照射的步骤，使得 TFT-LCD玻璃基板上的功能薄膜在电磁波的作用下，表面性质发生改变，使得膜与膜之间更 加密接，减少了膜层间的气泡、污染物等，从而减小了后续气泡等障碍物对光线的传播和叠 加产生的影响，使后续制作的液晶显示器显示画面更均勻，对比度一致性好，提高了 TFT液 晶显示器显示画面品质。附图说明通过附图所示，本专利技术的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中 相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示 出本专利技术的主旨。图1是现有技术中TFT液晶显示器的显示区示意图；图2是本专利技术实施例一的方法流程图；图3是本专利技术实施例中电磁波照射的结构示意图(一)；图4是本专利技术实施例中电磁波照射的结构示意图(二)；图5是本专利技术实施例中TFT液晶显示器的显示区示意图；图6是本专利技术实施例二的方法流程图7是本专利技术实施例中电磁波照射的结构示意图(三)；图8是本专利技术实施例三的方法流程图。具体实施例方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术 的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以 采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限 制。其次，本专利技术结合示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表 示装置结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应 限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。现有技术中，采用传统的TFT液晶显示器制造方法制作的显示器，其显示区存在 如图1所示的局部显示对比度不一致的缺陷，从而影响了显示画面的品质。专利技术人经过多 次实验研究发现，造成显示区对比度不一致缺陷的重要原因存在于形成Array基板的过程 中多层功能薄膜之间贴合不紧密，例如存在气泡或进入污染物等，进而在光线经过这些气 泡等障碍物时，对光线的传播和叠加均产生了影响，从而导致了最终形成的TFT显示器在 显示时存在显示区局部不规则，面积大小不等，对比度不一致的问题。基于此，本专利技术实施例提供了一种TFT液晶显示器的制造方法，通过在TFT液晶显 示器的制造过程中，增加电磁波照射的步骤，改善功能薄膜之间的密接程度，从而使制作的 液晶显示器显示画面更均勻，对比度一致性好，提高了 TFT液晶显示器显示画面品质。下面结合附图和实施例，对本专利技术的技术方案进行描述。参见图2，为本专利技术实施例一的方法流程图。该TFT液晶显示器的制造可以包括步骤201，在TFT-IXD玻璃基板上形成薄膜场效应晶体管、功能薄膜及电极图形， 获得Array基板。在本步骤中，首先，需要在TFT-LCD玻璃基板上形成薄膜场效应晶体管、功能薄膜 和电极图形，其中，TFT-LCD玻璃基板，是指用于制作Array基板的专用玻璃，该功能薄膜根 据液晶显示器的需求可以包括Gate薄膜、Island薄膜、SD薄膜、Contact本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＴＦＴ液晶显示器的制造方法，其特征在于，包括：在ＴＦＴ－ＬＣＤ玻璃基板上形成薄膜场效应晶体管、功能薄膜及电极图形，获得Ａｒｒａｙ基板；采用电磁波对所述Ａｒｒａｙ基板进行照射；将所述Ａｒｒａｙ基板与ＣＦ基板贴合成盒；进入后段模组组装，形成ＴＦＴ液晶显示器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖从雄，谢凡，胡君文，于春崎，何基强，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]