一种抗IC腐蚀的LCD制造技术

技术编号:41186396 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-07 22:18
本技术公开了一种抗IC腐蚀的LCD,包括:LCD,LCD上设置有IC芯片,IC芯片与FPC连接,IC芯片的表面覆盖有第一防护层,第一防护层的表面设置有第二防护层。本技术的一种抗IC腐蚀的LCD通过在LCD的IC芯片表面设置全覆盖的第一防护层UV胶层,再在第一防护层的表面全覆盖第二防护层硅胶层,并且从第二防护层还扩散覆盖于与IC芯片相连接的FPC表面,在双层保护胶层防护下,可以有效防止在高温高湿的条件下,水汽进入IC的位置,导致水汽引起的电腐蚀问题,有效地提升产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及lcd领域,特别是涉及一种抗ic腐蚀的lcd。


技术介绍

1、cog液晶屏是控制芯片在液晶屏内部的一种显示设备,可以直接裸屏使用,所以大部分使用在生产车间等地方,通常内部的的控制芯片使用ic,在ic的表面通常会覆盖一层保护胶,把液晶屏玻璃与ic连接的ito保护起来,防止其裸露受到剐蹭或者被强酸强碱腐蚀,但是在高温高湿的使用条件下,长期在这种条件下使用,水汽还是会透过保护胶渗入到内部,当显示设备在通电的作用下,易发生电腐蚀现象,导致cog液晶屏的lcd显示异常。由此使得显示设备无法正常的使用,进而需要重新更换显示设备,造成资源的浪费。


技术实现思路

1、本技术的目的是克服现有技术中的不足之处,提供一种抗ic腐蚀的lcd。

2、本技术的目的是通过以下技术方案来实现的:

3、一种抗ic腐蚀的lcd,包括:lcd,所述lcd上设置有ic芯片,所述ic芯片与fpc连接,所述ic芯片的表面覆盖有第一防护层,所述第一防护层的表面设置有第二防护层。

4、在其中一个实施例中,所述lcd的一端面设置有盖板。

5、在其中一个实施例中,所述盖板远离lcd的一端面设置有前偏光片。

6、在其中一个实施例中,所述lcd远离盖板的一端面设置有后偏光片。

7、在其中一个实施例中,所述第一防护层为uv胶层。

8、在其中一个实施例中,所述第二防护层为硅胶层。

9、在其中一个实施例中,所述盖板为玻璃盖板。

>10、在其中一个实施例中,所述前偏光片及后偏光片的透过率为66.5%。

11、在其中一个实施例中,所述第二防护层还扩散覆盖于与ic芯片相连接的fpc表面。

12、在其中一个实施例中,所述前偏光片及后偏光片距离边缘的距离为0.5~1cm。

13、与现有技术相比,本技术至少具有以下优点:

14、本技术的一种抗ic腐蚀的lcd通过在lcd的ic芯片表面设置全覆盖的第一防护层uv胶层,再在第一防护层的表面全覆盖第二防护层硅胶层,并且从第二防护层还扩散覆盖于与ic芯片相连接的fpc表面,在双层保护胶层防护下,可以有效防止在高温高湿的条件下,水汽进入ic的位置,导致水汽引起的电腐蚀问题,有效地提升产品的可靠性。

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【技术保护点】

1.一种抗IC腐蚀的LCD,其特征在于,包括:LCD,所述LCD上设置有IC芯片,所述IC芯片与FPC连接,所述IC芯片的表面覆盖有第一防护层,所述第一防护层的表面设置有第二防护层。

2.根据权利要求1所述的抗IC腐蚀的LCD,其特征在于,所述LCD的一端面设置有盖板。

3.根据权利要求2所述的抗IC腐蚀的LCD,其特征在于,所述盖板远离LCD的一端面设置有前偏光片;所述LCD远离盖板的一端面设置有后偏光片。

4.根据权利要求1所述的抗IC腐蚀的LCD,其特征在于,所述第一防护层为UV胶层。

5.根据权利要求1所述的抗IC腐蚀的LCD,其特征在于,所述第二防护层为硅胶层。

6.根据权利要求2所述的抗IC腐蚀的LCD,其特征在于,所述盖板为玻璃盖板。

7.根据权利要求3所述的抗IC腐蚀的LCD,其特征在于,所述前偏光片及后偏光片的透过率为66.5%。

8.根据权利要求1所述的抗IC腐蚀的LCD,其特征在于,所述第二防护层还扩散覆盖于与IC芯片相连接的FPC表面。

9.根据权利要求3所述的抗IC腐蚀的LCD,其特征在于,所述前偏光片及后偏光片距离边缘的距离为0.5~1cm。

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【技术特征摘要】

1.一种抗ic腐蚀的lcd,其特征在于,包括:lcd,所述lcd上设置有ic芯片,所述ic芯片与fpc连接,所述ic芯片的表面覆盖有第一防护层,所述第一防护层的表面设置有第二防护层。

2.根据权利要求1所述的抗ic腐蚀的lcd,其特征在于,所述lcd的一端面设置有盖板。

3.根据权利要求2所述的抗ic腐蚀的lcd,其特征在于,所述盖板远离lcd的一端面设置有前偏光片;所述lcd远离盖板的一端面设置有后偏光片。

4.根据权利要求1所述的抗ic腐蚀的lcd,其特征在于,所述第一防护层为uv胶层。

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【专利技术属性】
技术研发人员:俞希轮刘智生魏世良
申请(专利权)人:信利半导体有限公司
类型:新型
国别省市:

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