一种薰衣草快速生根壮苗的方法技术

本发明专利技术公开了一种薰衣草快速生根壮苗的方法，包括以下步骤：1）外植体选择：选取薰衣草种幼苗进行预处理，1

【技术实现步骤摘要】
一种薰衣草快速生根壮苗的方法


[0001]本专利技术涉及薰衣草培养
，特别涉及一种薰衣草快速生根壮苗的方法。

技术介绍

[0002]薰衣草（Lavandula angustifolia Mill.）为唇形科、薰衣草属半灌木或矮灌木，全株含有芳香气味，是一种国际性天然香料植物；薰衣草原产于地中海沿岸，现在欧洲、亚洲、大洋洲等均有栽培；新疆伊犁地区已经成为我国乃至亚洲最大的种植生产基地。薰衣草叶形以及花色优美典雅，可做是庭院花径丛植或条植，也可用作盆栽观赏；薰衣草花絮提取的精油，具有消散寒气、补胃理脑、燥湿止痛等功效，常用作芳香剂、驱虫剂及配制香精的原料，广泛勇于医药保健、化妆、食品等诸多行业，具有很高的社会经济效益。薰衣草种植也带动了其他相关产业的发展，对区域经济的发展也起到很大作用。
[0003]薰衣草的繁殖方法主要有播种、分根、扦插、组织培养，薰衣草种子发芽率低、遗传特性及性状不稳定，生产上很少采用播种、组织培养以及扦插可以很好保持原种苗的优良品质性状，但是生根较差、成苗率、移栽成活率不高。生产上现如今主要采用分根繁殖，但分根容易引起种苗退化、病虫害加重，而且分根繁殖的繁殖系数不高，很难达到规模化种植和工厂化生产需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是提供一种薰衣草快速生根壮苗的方法，以解决现有技术中组织培养及扦插生根差、移栽成活率不高、繁殖系数不高的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供一种薰衣草快速生根壮苗的方法，包括以下步骤：1）外植体选择：选取薰衣草种幼苗进行预处理，1
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2天后剪取薰衣草新生枝条茎段；2）生根与壮苗：将剪取的茎段下部叶片去除，保留上端2
‑
4片叶片，然后插入含有无糖培养液和激素的培养基质中，通过调节培养条件，培养20
‑
30天后进行移栽；3）移栽及种植：培养好的种苗预处理1
‑
2天后进行移栽或种植。进一步地，步骤1）在选取的薰衣草幼苗叶面喷施50
‑
100mg/L的苯醚甲环锉或30
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80mg/L的吡唑醚菌酯等含有苯醚甲环锉、吡唑醚菌酯的复配药剂进行预处理，1
‑
2天之后剪取2
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4cm的茎段。
[0006]进一步地，步骤2）中无糖培养液为不含蔗糖的1/2MS培养液，激素为0.1
‑
0.2 mg/L 的IBA（吲哚丁酸）。
[0007]进一步地，步骤2）中无糖培养液为配制营养溶液，配制营养液为含0.1%
‑
0.3%的三元复合肥水溶液；激素为0.1
‑
0.2 mg/L 的IBA（吲哚丁酸）。
[0008]进一步地，所述激素也可以为0.1
‑
0.3 mg/L 的NAA（萘乙酸）。
[0009]进一步地，步骤2）中培养基质为蛭石、珍珠岩、沙、泥炭土；无糖营养液与基质体积比为（600
‑
800）ml：（1000
‑
1500）ml。
[0010]进一步地，步骤2）薰衣草茎段插入基质后，在温度为20
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23℃，每天的光照时间为14
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16h，光照强度为2000
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5000lx的培养室中预培养1
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2天后，温度调整为23
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25℃，光照强度调整为6000
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10000lx，每天的光照时间调整为14
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16h。
[0011]进一步地，所述培养室内CO2浓度调整在1000
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2000 PPm，在光照时间内每供气15min暂停20
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30min后再供气15 min，如此反复；以后每隔两天供气量逐渐增加200 ml/min，一直增加到1600
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2000ml/min。
[0012]进一步地，步骤3）中培养好的种苗打开培养盒盖，培养室的温度为23
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27 ℃，培养室的光照强度为8000
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12000lx，培养室每天的光照时间为14
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16h，保持培养室内CO2浓度为1000
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2000 PPm，培养1
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2天后进行移栽和种植。
[0013]与现有技术相比，本专利技术产生了以下有益效果：本专利技术的一种薰衣草快速生根壮苗的方法，该方法以薰衣草种植种苗或盆栽种苗幼嫩顶端或茎段为外植体，通过外植体预处理，剪取茎段或顶端插入无糖培养液的基质中进行生根与炼苗，繁殖系数高、生根率高、操作简便，并且可以保持种苗的优良特性，使后代保持高度一致性，可以实现薰衣草种苗工厂化生产，有利于促进薰衣草规模化种植和生产。
具体实施方式
[0014]下面对本专利技术的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本专利技术，但并不构成对本专利技术的限定。此外，下面所描述的本专利技术各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
[0015]本专利技术的优选实施例提供了一种薰衣草快速生根壮苗的方法，包括以下步骤：1）外植体选择：述选取薰衣草种植苗或盆栽苗叶面喷施农药进行预处理，1
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2天之后剪取2
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4cm的新生顶端或茎段；2）生根与壮苗：将剪取的顶端或茎段下部叶片去除，保留上端2
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4片叶片，然后插入含有无糖培养液和激素的培养基质中，通过调节培养条件，培养20
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30天后进行移栽；3）移栽及种植：培养好的种苗预处理1
‑
2天后进行移栽或种植。优选地，步骤1）在选取的薰衣草幼苗叶面喷施50
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100mg/L的苯醚甲环锉或30
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80mg/L的吡唑醚菌酯等含有苯醚甲环锉、吡唑醚菌酯的复配药剂进行预处理，1
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2天之后剪取2
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4cm的茎段。
[0016]优选地，步骤2）中无糖培养液为不含蔗糖的1/2MS培养液，激素为0.1
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0.2 mg/L 的IBA（吲哚丁酸）。
[0017]优选地，步骤2）中无糖培养液为配制营养溶液，配制营养液为含0.1%
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0.3%的三元复合肥水溶液；激素为0.1
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0.2 mg/L 的IBA（吲哚丁酸）。
[0018]优选地，所述激素也可以为0.1
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0.3 mg/L 的NAA（萘乙酸）。
[0019]优选地，步骤2）中培养基质为蛭石、珍珠岩、沙、泥炭土；无糖营养液与基质体积比为（600
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800）ml：（1000
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1500）ml。
[0020]优选地，步骤2）薰衣草茎段插入基质后，在温度为20
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23℃，光照时间为14
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薰衣草快速生根壮苗的方法，其特征在于，包括以下步骤：1） 外植体选择：选取薰衣草种幼苗进行预处理，1
‑
2天后剪取薰衣草新生枝条茎段；2） 生根与壮苗：将剪取的茎段下部叶片去除，保留上端2
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4片叶片，然后插入含有无糖培养液和激素的培养基质中，通过调节培养条件，培养20
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30天后进行移栽；3） 移栽及种植：培养好的种苗预处理1
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2天后进行移栽或种植。2.根据权利要求1所述的一种薰衣草快速生根壮苗的方法，其特征在于：步骤1）在选取的薰衣草幼苗叶面喷施含有苯醚甲环锉、吡唑醚菌酯的复配药剂进行预处理，1
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2天之后剪取2
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4cm的茎段。3.根据权利要求1所述的一种薰衣草快速生根壮苗的方法，其特征在于：步骤2）中无糖培养液为不含蔗糖的1/2MS培养液，激素为0.1
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0.2 mg/L 的吲哚丁酸（IBA）。4.根据权利要求1所述的一种薰衣草快速生根壮苗的方法，其特征在于：步骤2）中无糖培养液为配制营养溶液，配制营养液为含0.1%
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0.3%的三元复合肥水溶液；激素为0.1
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0.2 mg/L 的吲哚丁酸（IBA）。5.根据权利要求3或4所述的一种薰衣草快速生根壮苗的方法，其特征在于：所述激素也可以为0.1
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0.3 mg/L 的萘乙酸（NAA）。6.根据权利要求1所述的一种薰衣草快速生根壮苗的方法，其特征在于： 步骤2）中培养基质为蛭石、珍珠岩、沙、泥炭土；无糖营养...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝小军，潘虹，周雨轩，
申请(专利权)人：新疆中亚果树产业研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：