本发明专利技术涉及集成电路测试技术领域，尤其涉及一种IC老化测试方法、装置、设备及存储介质，本发明专利技术通过根据待测试IC芯片的规格参数确定不同IC老化测试下对应的测试参数，以便于控制测试的工作量，同时通过多种老化测试模型对待测试IC芯片进行测试，提高了老化测试的精度，避免了现有技术中集成电路芯片老化测试的精度不高的技术问题，对集成电路芯片的设计有正面影响。面影响。面影响。
【技术实现步骤摘要】
IC老化测试方法、装置、设备及存储介质
[0001]本专利技术涉及集成电路测试
，尤其涉及一种IC老化测试方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
[0002]市场对于集成电路芯片的集成度越来越高，集成电路芯片的工作性能和使用寿命除了受到集成电路芯片中各器件的使用寿命和性能的影响外，还受到集成电路芯片的老化程度影响，目前对于集成电路芯片的老化程度测试精度不高，对于集成电路芯片的设计帮助有限。
[0003]上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种IC老化测试方法、装置、设备及存储介质，旨在解决现有技术中集成电路芯片老化测试的精度不高的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了一种IC老化测试方法，所述方法包括以下步骤：
[0006]响应于IC老化测试指令，获取待测试IC芯片的规格参数；
[0007]根据所述规则参数确定IC老化测试模式对应的测试参数，所述IC老化测试模式包括：温度老化模式、湿度老化模式、超载老化模式以及循环老化模式；
[0008]根据所述温度老化模式、湿度老化模式、超载老化模式以及循环老化模式中的至少一种与对应的测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，得到老化测试结果。
[0009]可选地，所述IC老化测试模式包括：温度老化模式；
[0010]所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，包括：
[0011]在所述IC老化测试模式为温度老化模式时，根据所述待测试IC芯片的正常工作温度区间确定目标温度测试区间；
[0012]获取所述待测试IC芯片所处环境的当前环境温度；
[0013]在所述目标温度测试区间内，基于所述当前环境温度与预设温度调整策略调整所述待测试IC芯片的工作温度；
[0014]给所述待测试IC芯片施加第一输入信号，并统计不同工作温度下所述待测试IC芯片的第一输出信号；
[0015]根据所述第一输出信号与所述第一输入信号得到温度老化模式的老化测试结果。
[0016]可选地，所述IC老化测试模式还包括：湿度老化模式；
[0017]所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，还包括：
[0018]在所述IC老化测试模式为湿度老化模式时，根据所述待测试IC芯片的正常工作湿
度区间确定目标湿度测试区间；
[0019]给所述待测试IC芯片施加第二输入信号，并统计不同工作湿度下所述待测试IC芯片的第二输出信号；
[0020]根据所述第二输出信号与所述第二输入信号得到湿度老化模式的老化测试结果。
[0021]可选地，所述IC老化测试模式还包括：超载老化模式；
[0022]所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，还包括：
[0023]在所述IC老化测试模式为超载老化模式时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压确定目标电压测试区间，所述目标电压测试区间的最大值大于所述额定工作电压；
[0024]基于预设电压调整策略给所述待测试IC芯片施加初始电压；
[0025]增大所述初始电压，直至所述待测试IC芯片的电压不小于所述目标电压测试区间的最大值；
[0026]间隔预设时长后，统计所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率；
[0027]根据所述故障率确定超载老化模式的老化测试结果。
[0028]可选地，所述根据所述待测试IC芯片的额定工作电压确定目标电压测试区间，包括：
[0029]确定所述待测试IC芯片的芯片类型；
[0030]在所述芯片类型为高压芯片时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压与第一补偿系数确定目标电压测试区间；
[0031]在所述芯片类型为普通芯片时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压与第二补偿系数确定目标电压测试区间，所述第二补偿系数小于所述第一补偿系数。
[0032]可选地，所述间隔预设时长后，统计所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率，包括：
[0033]获取所述待测试IC芯片中各电子器件的总数；
[0034]根据所述待测试IC芯片的芯片规格参数确定故障电子器件数量；
[0035]根据所述预设时长、所述实际故障数量以及所述故障电子器件数量计算得到所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率。
[0036]可选地，所述IC老化测试模式还包括：循环老化模式；
[0037]所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，还包括：
[0038]在所述IC老化测试模式为循环老化模式时，确定所述待测试IC芯片的目标温度测试区间、目标湿度测试区间以及目标电压测试区间；
[0039]给所述待测试IC芯片施加第三输入信号；
[0040]间隔预设调整周期，控制所述待测试IC芯片的工作温度、工作湿度以及工作电压中的至少一项在其对应的测试区间内进行循环调整，并统计对应调整周期内的第三输出信号；
[0041]根据所述第三输入信号与所述第三输出信号得到循环老化模式的老化测试结果。
[0042]此外，为实现上述目的，本专利技术还提出一种IC老化测试装置，所述IC老化测试装置包括：
[0043]获取模块，用于响应于IC老化测试指令，获取待测试IC芯片的规格参数；
[0044]确定模块，用于根据所述规则参数确定IC老化测试模式对应的测试参数；
[0045]测试模块，用于根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，得到老化测试结果。
[0046]此外，为实现上述目的，本专利技术还提出一种IC老化测试设备，所述IC老化测试设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的IC老化测试程序，所述IC老化测试程序配置为实现如上文所述的IC老化测试方法的步骤。
[0047]此外，为实现上述目的，本专利技术还提出一种存储介质，所述存储介质上存储有IC老化测试程序，所述IC老化测试程序被处理器执行时实现如上文所述的IC老化测试方法的步骤。
[0048]本专利技术公开了一种IC老化测试方法，所述IC老化测试方法包括：响应于IC老化测试指令，获取待测试IC芯片的规格参数；根据所述规则参数确定IC老化测试模式对应的测试参数；根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，得到老化测试结果，与现有技术相比，本专利技术通过根据待测试IC芯片的规格参数确定不同IC老化测试下对应的测试参数，以便于控制测试的工作量，同时通过多种老化测试模型对待测试IC芯片进行测试，提高了老化测试的精度，避免了现有技术中集成电路芯片老化测试的精度不高的技术问题，对集成电路芯片的设计有正面影响。
附图说明
[0049]图1是本专利技术实施例方案涉及的硬本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种IC老化测试方法，其特征在于，所述IC老化测试方法包括：响应于IC老化测试指令，获取待测试IC芯片的规格参数；根据所述规则参数确定IC老化测试模式对应的测试参数，所述IC老化测试模式包括：温度老化模式、湿度老化模式、超载老化模式以及循环老化模式；根据所述温度老化模式、湿度老化模式、超载老化模式以及循环老化模式中的至少一种与对应的测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，得到老化测试结果。2.如权利要求1所述的IC老化测试方法，其特征在于，所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，包括：在所述IC老化测试模式为温度老化模式时，根据所述待测试IC芯片的正常工作温度区间确定目标温度测试区间；获取所述待测试IC芯片所处环境的当前环境温度；在所述目标温度测试区间内，基于所述当前环境温度与预设温度调整策略调整所述待测试IC芯片的工作温度；给所述待测试IC芯片施加第一输入信号，并统计不同工作温度下所述待测试IC芯片的第一输出信号；根据所述第一输出信号与所述第一输入信号得到温度老化模式的老化测试结果。3.如权利要求1所述的IC老化测试方法，其特征在于，所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，还包括：在所述IC老化测试模式为湿度老化模式时，根据所述待测试IC芯片的正常工作湿度区间确定目标湿度测试区间；给所述待测试IC芯片施加第二输入信号，并统计不同工作湿度下所述待测试IC芯片的第二输出信号；根据所述第二输出信号与所述第二输入信号得到湿度老化模式的老化测试结果。4.如权利要求1所述的IC老化测试方法，其特征在于，所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，还包括：在所述IC老化测试模式为超载老化模式时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压确定目标电压测试区间，所述目标电压测试区间的最大值大于所述额定工作电压；基于预设电压调整策略给所述待测试IC芯片施加初始电压；增大所述初始电压，直至所述待测试IC芯片的电压不小于所述目标电压测试区间的最大值；间隔预设时长后，统计所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率；根据所述故障率确定超载老化模式的老化测试结果。5.如权利要求4所述的IC老化测试方法，其特征在于，所述根据所述待测试IC芯片的额定工作电压确定目标电压测试区间，包括：确定所述待测试...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄想念，蒋岳敏，余超，吴飞龙，刘志波，
申请(专利权)人：深圳市研测科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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