【技术实现步骤摘要】
智能功率模块基底转模半导体封装装置
[0001]本技术涉及半导体封装
,具体涉及智能功率模块基底转模半导体封装装置。
技术介绍
[0002]智能功率模块基底转模半导体器件是一种先进的功率开关器件,具有GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点,以及MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。而且IPM内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路,使用起来方便,不仅减小了系统的体积以及开发时间,也大大增强了系统的可靠性,适应了当今功率器件的发展方向模块化、复合化和功率集成电路(PIC),在电力电子领域得到了越来越广泛的应用。
[0003]智能功率模块等于igbt功率模块+驱动+保护+制动,智能功率模块中的每个功率组件都设置有各自独立的驱动电路和多种保护电路,能够实现过电流、短路电流、控制电压降低及过热保护等功能。一旦发生负载事故或使用不当等异常情况,模块内部即以最快的速度进行保护,同时将保护信号送给外部CPU进行第二次保护。这种多重保护措施可保证智能功率模块自身不受损坏,与igb ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.智能功率模块基底转模半导体封装装置,包括封装模块(1),其特征在于,还包括:密封圈(8),设置于封装模块(1)的外侧,用于装置的密封;封装基板支撑柱(12),用于封装基板的支撑和固定;所述封装模块(1)包括型腔(2)和密封圈放置槽(4),所述型腔(2)设置有多个,每个所述型腔(2)对接有两条流道(3),所述密封圈放置槽(4)设置于型腔(2)的外侧;所述封装模块(1)包括多个吸真空气孔(5),所述吸真空气孔(5)设置于封装模块(1)的一侧外壁,用于型腔(2)内空气的排出;所述型腔(2)包含引脚槽(9)、封装基板支撑孔(10)和型腔顶针孔(11),所述封装基板支撑孔(10)设置于引脚槽(9)之间的空隙处,所述型腔顶针孔(11)设置于封装基板支撑孔(10)的两侧。2.根据权利要求1所述的智能功率模块基底转模半导体封装装置,其特征在于:所述密封圈(8)放置在密封圈放置槽(4)内,可将型腔(2)围绕起来形成一个密封的环境,所述吸真空气孔(5)可将型腔...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋岩,
申请(专利权)人:大连泰一半导体设备有限公司,
类型:新型
国别省市:
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