功率电阻表面贴封三极管半导体器件封装模具制造技术

本实用新型专利技术公开了功率电阻表面贴封三极管半导体器件封装模具，涉及半导体封装技术领域，包括注料中心块，还包括封装模盒，所述封装模盒包括固定板，所述固定板顶部中间位置设有中心注料流道，所述中心注料流道两侧均设有封装模块，两个所述封装模块外壁均设有侧边注料流道，所述封装模块顶部设有多组型腔。本实用新型专利技术通过中心注料流道和侧边注料流道可以对封装填充料进行引流操作，经过双流道与同侧浇口之间的连通以及单流道与同侧浇口之间的连通，同时一组型腔对应一组浇口，使得填充料可以稳定的对三极管进行封装操作，通过多组型腔的设置使得封装模具可以同时对不同型号的三极管进行封装操作，可以提高三极管封装的效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
功率电阻表面贴封三极管半导体器件封装模具


[0001]本技术涉及半导体封装
，具体涉及功率电阻表面贴封三极管半导体器件封装模具。

技术介绍

[0002]三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
[0003]功率电阻表面贴封三极管半导体器件不仅可以装入碳化硅MOSFET裸芯片，还可以选择IGBT或者氮化镓HEMT作为其核心芯片。这意味着功率电阻表面贴封三极管半导体器件不仅可以作为一款高性能的碳化硅驱动模块，还可以成为一款高性价比的IGBT功率模块，甚至在车规大功率氮化镓技术成熟后，无缝接入氮化镓裸芯片成为高频功率开关器件。
[0004]现有技术存在以下不足：现有的三极管封装模具在对三极管进行封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.功率电阻表面贴封三极管半导体器件封装模具，包括注料中心块（1），其特征在于，还包括：封装模盒（2），设置有两个，分别设置于注料中心块（1）的两端，用于三极管的封装操作；所述封装模盒（2）包括固定板（201），所述固定板（201）的顶部中间位置设置有中心注料流道（203），所述中心注料流道（203）的两侧均设置有封装模块（202），两个所述封装模块（202）的外壁均设置有侧边注料流道（204）；所述封装模块（202）的顶部设置有多组型腔（205），所述封装模块（202）的两侧均开设有多个浇口（206），两侧的多个所述浇口（206）分别与中心注料流道（203）和侧边注料流道（204）连通。2.根据权利要求1所述的功率电阻表面贴封三极管半导体器件封装模具，其特征在于：所述封装模盒（2）包括双流道（207），所述双流道（207）设置有多个，多个所述双流道（207）等间距开设于中心...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋岩，
申请(专利权)人：大连泰一半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：