一种芯片封装方法及芯片封装结构技术

本申请实施例提供的芯片封装方法及芯片封装结构，涉及封装技术领域。在上述方法中，提供第一基板，所述第一基板包括芯片放置侧，所述第一基板还包括芯片放置区及围绕所述芯片放置区的非芯片放置区；在所述第一基板的所述芯片放置侧制作粘合层；将芯片放置于所述粘合层远离所述第一基板的一侧，在所述粘合层远离所述第一基板的一侧制作一用于封装所述芯片的封装层。其中，所述封装层至少包括位于所述芯片放置区的第一封装层和位于所述非芯片放置区的第二封装层，所述第一封装层的热膨胀系数大于所述第二封装层的热膨胀系数。采用具有不同的热膨胀系数的封装材料在基板的不同区域制作封装层能有效降低芯片封装结构的翘曲度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装方法及芯片封装结构


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种芯片封装方法及芯片封装结构。

技术介绍

[0002]在半导体封装加工的制程中封装是必不可少的步骤。封装(Molding)的主要目的是为防止湿气由外部侵入、与外部电气绝缘、有效地将内部产生的热排出于外部并提供能够手持的形体。一般封装过程大体上为将分布有封装材料的模具置于一具有芯片或电子组件的基板上，将固态的封装材料(比如，环氧塑封料(Epoxy Molding Compound；EMC))覆盖在芯片上，再加热溶融成液态，使得封装材料密封住该基板上的芯片或电子组件以形成一完全气密的封胶体，待封胶体硬化之后，再进行脱模完成封装制程得到封装层。在上述封装过程中时常会发生基板翘曲的问题，这会影响后续重布线层以及植入导电球的步骤，从而导致封装不良。

技术实现思路

[0003]为了至少克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种芯片封装方法及芯片封装结构。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种芯片封装方法，所述芯片封装方法包括：提供第一基板，所述第一基板包括相对的第一侧和第二侧，所述第一基板还包括芯片放置区及围绕所述芯片放置区的非芯片放置区，在所述第一基板的第一侧制作粘合层，将芯片放置于所述粘合层远离所述第一基板的一侧，且位于所述芯片放置区对应的区域，在所述粘合层远离所述第一基板的一侧制作一用于封装所述芯片的封装层，其中，所述封装层至少包括位于所述芯片放置区的第一封装层和位于所述非芯片放置区的第二封装层，所述第一封装层的热膨胀系数大于所述第二封装层的热膨胀系数。
[0005]在一种可能的实现方式中，所述芯片包括从所述芯片一侧裸露的导接端，所述芯片放置于所述粘合层远离所述第一基板的一侧，且位于所述芯片放置区对应的区域的步骤，包括：将所述芯片的导接端所在一侧朝向所述粘合层放置于所述粘合层远离所述第一基板的一侧，且位于所述芯片放置区对应的区域。
[0006]在一种可能的实现方式中，在所述粘合层远离所述第一基板的一侧制作一用于封装所述芯片的封装层的步骤，包括：在所述芯片放置区对应的区域撒放第一封装材料，所述第一封装材料至少填充相邻所述芯片之间的间隙；在所述非芯片放置区对应的区域撒放第二封装材料；对所述第一封装材料和所述第二封装材料进行热熔处理，所述第一封装材料热熔后形成所述第一封装层，所述第二封装材料热熔后形成第二封装层。
[0007]在一种可能的实现方式中，所述封装层还包括位于所述芯片放置区和所述非芯片放置区的第三封装层，在所述粘合层远离所述第一基板的一侧制作一用于封装所述芯片的封装层的步骤，包括：在所述芯片放置区对应的区域撒放第一封装材料，所述第一封装材料至少填充相邻所述芯片之间的间隙；在所述非芯片放置区对应的区域撒放第二封装材料；
在所述芯片放置区和所述非芯片放置区对应的区域撒放第三封装材料；对所述第一封装材料、所述第二封装材料和所述第三封装材料进行热熔处理，所述第一封装材料热熔后形成所述第一封装层，所述第二封装材料热熔后形成第二封装层，所述第三封装材料热熔后形成第三封装层，其中，所述第三封装层的热膨胀系数小于所述第一封装层的热膨胀系数。
[0008]在一种可能的实现方式中，所述芯片包括从所述芯片一侧裸露的导接端，所述将芯片放置于所述粘合层远离所述第一基板的一侧，且位于所述芯片放置区对应的区域的步骤，包括：将所述芯片中背离所述导接端的一侧朝向所述粘合层放置于所述粘合层远离所述第一基板的一侧，且位于所述芯片放置区对应的区域。
[0009]在一种可能的实现方式中，在所述粘合层远离所述第一基板的一侧制作一用于封装所述芯片的封装层的步骤，包括：在所述芯片放置区对应的区域撒放第一封装材料，所述第一封装材料至少填充相邻所述芯片之间的间隙；在所述非芯片放置区对应的区域撒放第二封装材料；对所述第一封装材料和所述第二封装材料进行热熔处理，所述第一封装材料热熔后形成所述第一封装层，所述第二封装材料热熔后形成第二封装层。
[0010]在一种可能的实现方式中，所述封装层还包括位于所述芯片放置区和所述非芯片放置区的第三封装层，在所述粘合层远离所述第一基板的一侧制作一用于封装所述芯片的封装层的步骤，包括：在所述芯片放置区对应的区域撒放第一封装材料，所述第一封装材料至少对应相邻所述芯片之间的间隙；在所述非芯片放置区对应的区域撒放第二封装材料；在所述芯片放置区和所述非芯片放置区对应的区域撒放第三封装材料。对所述第一封装材料、所述第二封装材料和所述第三封装材料进行热熔处理，所述第一封装材料热熔后形成所述第一封装层，所述第二封装材料热熔后形成第二封装层，所述第三封装材料热熔后形成第三封装层，其中，所述第三封装层的热膨胀系数小于所述第一封装层的热膨胀系数。
[0011]在一种可能的实现方式中，在所述粘合层远离所述第一基板的一侧制作一用于封装所述芯片的封装层的步骤之后，所述方法还包括：提供第二基板，将所述封装层远离所述第一基板的一侧与所述第二基板粘合；将所述芯片与所述第一基板分离，露出所述芯片的导接端；在所述芯片的导接端一侧制作重布线层；在所述重布线层远离所述第一基板的一侧进行植球处理，形成通过所述重布线层中走线与所述芯片的导接端连接的导电球。
[0012]在一种可能的实现方式中，在所述在所述粘合层远离所述第一基板的一侧制作一用于封装所述芯片的封装层的步骤之后，所述方法还包括：将所述封装层进行研磨处理，将所述芯片的导接端暴露；在所述封装层远离所述第一基板的一侧形成重布线层；在所述重布线层远离所述第一基板的一侧进行植球处理，形成通过所述重布线层中走线与所述芯片的导接端连接的导电球。
[0013]第二方面，本申请实施例还提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构采用第一方面中任意一种可能的实现方式中芯片封装方法制作得到。
[0014]基于上述任意一个方面，本申请实施例提供的一种芯片封装方法及芯片封装结构，在所述第一基板的芯片放置区设置所述第一封装层，在所述非芯片放置区设置所述第二封装层，其中，第一封装层的热膨胀系数大于第二封装层的热膨胀系数。通过上述设置，可以解决封装层在芯片放置区和非芯片放置区的体积不同引起的热膨胀形变量不同，使得芯片放置区和非芯片放置区在封装过程中热膨胀平衡，进而降低第一基板在封装过程中的翘曲度。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要调用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
[0016]图1示例了本申请实施例提供的芯片封装结构制作方法的流程示意图之一；
[0017]图2示例了图1对应的工艺制程图；
[0018]图3示例的第一基板的区域分布示意图；
[0019]图4示例了实现图1中步骤S14的流程示意图之一；
[0020]图5示例了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一基板，所述第一基板包括芯片放置侧，所述第一基板还包括芯片放置区及围绕所述芯片放置区的非芯片放置区；在所述第一基板的所述芯片放置侧制作粘合层；将芯片放置于所述粘合层远离所述第一基板的一侧，且位于所述芯片放置区对应的区域；在所述粘合层远离所述第一基板的一侧制作一用于封装所述芯片的封装层，其中，所述封装层至少包括位于所述芯片放置区的第一封装层和位于所述非芯片放置区的第二封装层，所述第一封装层的热膨胀系数大于所述第二封装层的热膨胀系数。2.如权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述芯片包括从所述芯片一侧裸露的导接端，所述芯片放置于所述粘合层远离所述第一基板的一侧，且位于所述芯片放置区对应的区域的步骤，包括：将所述芯片的导接端所在一侧朝向所述粘合层放置于所述粘合层远离所述第一基板的一侧，且位于所述芯片放置区对应的区域。3.如权利要求2所述的芯片封装方法，其特征在于，在所述粘合层远离所述第一基板的一侧制作一用于封装所述芯片的封装层的步骤，包括：在所述芯片放置区对应的区域撒放第一封装材料，所述第一封装材料至少对应相邻所述芯片之间的间隙；在所述非芯片放置区对应的区域撒放第二封装材料；对所述第一封装材料和所述第二封装材料进行热熔处理，所述第一封装材料热熔后形成所述第一封装层，所述第二封装材料热熔后形成第二封装层。4.如权利要求2所述的芯片封装方法，其特征在于，所述封装层还包括位于所述芯片放置区和所述非芯片放置区的第三封装层，在所述粘合层远离所述第一基板的一侧制作一用于封装所述芯片的封装层的步骤，包括：在所述芯片放置区对应的区域撒放第一封装材料，所述第一封装材料至少对应相邻所述芯片之间的间隙；在所述非芯片放置区对应的区域撒放第二封装材料；在所述芯片放置区和所述非芯片放置区对应的区域撒放第三封装材料；对所述第一封装材料、所述第二封装材料和所述第三封装材料进行热熔处理，所述第一封装材料热熔后形成所述第一封装层，所述第二封装材料热熔后形成第二封装层，所述第三封装材料热熔后形成第三封装层，其中，所述第三封装层的热膨胀系数小于所述第一封装层的热膨胀系数。5.如权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述芯片包括从所述芯片一侧裸露的导接端，所述将芯片放置于所述粘合层远离所述第一基板的一侧，且位于所述芯片放置区对应的区域的步骤，包括：将所述芯片中背离所述导接端的一侧朝向所述粘合层放置于所述粘合层...

【专利技术属性】
技术研发人员：章霞，李高林，
申请(专利权)人：成都奕成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：