本发明专利技术是有关于一种交流发光二极管封装结构，包括有一散热块、一交流发光二极管模块、一正极支架、一负极支架、及一绝缘子基板。交流发光二极管模块电性连接于正极支架与负极支架，绝缘子基板位于交流发光二极管模块与散热块之间，其中绝缘子基板具有耐电压值大于１０００Ｖ的特性。由此，可避免交流发光二极管装置发生高压击穿二极管芯片而使人触电的危险，产品亦可符合安规认证需求。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种交流发光二极管(AlternateCurrent Light Emitting Diode ； AC LED)，尤其是指一种具耐高压特性的交流发光二极管封装结构。
技术介绍
参考图1，是公知发光二极管封装结构示意图。图中示出公知发光二极管封装结构 主要是在一散热块(slug) 1上承载一 LED芯片(chip) 2，并从LED芯片2导接出两条金线3 以各自电性连接于正极支架4与负极支架5。上述正极支架4与负极支架5用以接置一电 源(图未示)使LED装置运作发光。AC LED产品于运作时因其中LED芯片是直接接触市电所供应的交流电压，相较于 以往直流发光二极管(DC LED)产生了一潜在问题，即可能会有高压击穿LED芯片的情形， 如此会导致当人体碰触到LED装置本体时触电。以UL耐高压安规为例，其规范的耐高压算式(1000+2U)伏特(Volt)，其中U为 装置工作电压。因此当电器装置要求输入电压为120Vrms时，需耐高压1.24KV。由于一般 DC LED的封装不须考虑此耐高压问题(因为经额外控制电路将交流供电转换成直流型态、 并降压至例如3. 5V)，而目前AC LED又大抵沿袭DC LED的封装方式，为了解决上述问题，急 需一种针对AC LED封装结构的改良设计，以期能符合相关的安全规范，有利于厂商的产品 销售。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种交流发光二极管封装结构，以克服公知技术中存在的缺 陷。为实现上述目的，本专利技术提供的交流发光二极管封装结构，包括一散热块、一交流 发光二极管模块、一正极支架、一负极支架、及一绝缘子基板，其中交流发光二极管模块电 性连接于正极支架与负极支架，绝缘子基板位于交流发光二极管模块与散热块之间，且绝 缘子基板具有耐电压值大于1000V的特性。由上述改良封装结构，交流发光二极管产品的耐高压特性提升至符合目前安全规 范(如UL、CE、TUV、FCC、CSA、PSE、BSMI等规范)，可避免LED击穿受损、危害人体。上述绝缘子基板可以是热传导系数大于100W/m · K，例如硅绝缘子基板，更佳为钻 石绝缘子基板。上述交流发光二极管模块可以是单一交流发光二极管芯片、或者复数个相互串接 或并联的交流发光二极管芯片、或者复数个相互串接或并联的直流发光二极管芯片、或者 复数个相互串接或并联的交流与直流发光二极管芯片混搭。上述绝缘子基板可以是单一绝 缘子基板、或者相互分散而对应复数交流发光二极管芯片的复数个子基板区块。上述交流发光二极管模块的芯片基板厚度可以是100微米以上(含)。上述散热 块可以是铜散热块或导热性佳的散热材制成的散热块。由本专利技术的实施，可避免交流发光二极管装置发生高压击穿二极管芯片而使人触 电的危险，附图说明图1是公知发光二极管封装结构示意图。图2是本专利技术一较佳实施例的交流发光二极管封装结构示意图。附图中主要组件符号说明散热块1，11金线3，20，21，22负极支架5，14交流发光二极管芯片121，122，123，124LED 芯片 2正极支架4，13交流发光二极管模块12绝缘子基板15子基板区块151，152，153，15具体实施例方式本专利技术主要将交流发光二极管芯片与其承载座(亦为散热块)间的距离加大，以 避免高压电源于金线与二极管芯片流通时造成电弧导通承载座，形成人体接触危安。参考图2，是本专利技术一较佳实施例的交流发光二极管封装结构示意图。图中示出一 交流发光二极管封装结构包括一散热块11、一交流发光二极管模块12、一绝缘子基板15、 一正极支架13、及一负极支架14。本例中，交流发光二极管模块12是以复数个交流发光二 极管芯片121 124相互串接所构成，而绝缘子基板15包括复数个子基板区块151 154 对应于上述交流发光二极管芯片121 124。上述复数绝缘子基板区块151 154形成在散热块11上，并对应承载着复数交流 发光二极管芯片121 124。各交流发光二极管芯片之间通过金线20电性连接，其中二最 外侧的交流发光二极管芯片121，124亦各自通过金线21，22电性连接到正极支架13及负 极支架14。特别的是，绝缘子基板15的耐电压值大于1000V。同时，若考虑匹配散热块11 ( 一 般为金属材例如铜，热传导系数约380W/m □ K)的热传能力，则可选择材料具有导热良好的 特性者，较佳可选择热传导系数大于100W/m · K的材料例如硅(约120W/m · K)。更佳地可 选择钻石材质。本实施例中所采用的绝缘子基板15厚度大于100微米。针对耐高压问题，本专利技术亦建议另一种解决方案，亦即将交流发光二极管芯片的 芯片基板(一般为蓝宝石基板)厚度由公知常用的100 150微米提高至100微米以上 (含)，如此也能够有效预防电弧导通的意外。可想而知，更佳的实施模式中，除了采用额外 形成一绝缘子基板的封装结构外，亦同时采用增厚的芯片基板，以此更为确保抑制漏电危 险。上述实施例仅是为了方便说明而举例而已，本专利技术所主张的权利范围自应以申请的权利要求范围所述为准，而非仅限于上述实施例。权利要求一种交流发光二极管封装结构，包括有一散热块、一交流发光二极管模块、一正极支架、及一负极支架，该交流发光二极管模块电性连接于该正极支架与该负极支架；其特征在于该交流发光二极管封装结构包括一绝缘子基板，该绝缘子基板位于该交流发光二极管模块与该散热块之间，其中该绝缘子基板具有耐电压值大于1000V的特性。2.如权利要求1所述的交流发光二极管封装结构，其特征在于该绝缘子基板的热传 导系数大于100W/m · K。3.如权利要求1所述的交流发光二极管封装结构，其特征在于该绝缘子基板为硅绝 缘子基板。4.如权利要求1所述的交流发光二极管封装结构，其特征在于该绝缘子基板为钻石 绝缘子基板。5.如权利要求1所述的交流发光二极管封装结构，其特征在于该交流发光二极管模 块包括复数个相互串接的交流发光二极管芯片。6.如权利要求5所述的交流发光二极管封装结构，其特征在于该绝缘子基板包括复 数个子基板区块，对应于该复数个交流发光二极管芯片。7.如权利要求1所述的交流发光二极管封装结构，其特征在于该交流发光二极管模 块的芯片基板厚度为100微米以上。8.如权利要求1所述的交流发光二极管封装结构，其特征在于该散热块为铜散热块。全文摘要本专利技术是有关于一种交流发光二极管封装结构，包括有一散热块、一交流发光二极管模块、一正极支架、一负极支架、及一绝缘子基板。交流发光二极管模块电性连接于正极支架与负极支架，绝缘子基板位于交流发光二极管模块与散热块之间，其中绝缘子基板具有耐电压值大于1000V的特性。由此，可避免交流发光二极管装置发生高压击穿二极管芯片而使人触电的危险，产品亦可符合安规认证需求。文档编号H01L25/075GK101882614SQ20091013799公开日2010年11月10日 申请日期2009年5月5日 优先权日2009年5月5日专利技术者杨仁华, 蓝培轩, 蓝钰邴, 陈瑞鸿 申请人:福华电子股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种交流发光二极管封装结构，包括有一散热块、一交流发光二极管模块、一正极支架、及一负极支架，该交流发光二极管模块电性连接于该正极支架与该负极支架；其特征在于：该交流发光二极管封装结构包括一绝缘子基板，该绝缘子基板位于该交流发光二极管模块与该散热块之间，其中该绝缘子基板具有耐电压值大于１０００Ｖ的特性。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蓝培轩，陈瑞鸿，杨仁华，蓝钰邴，
申请(专利权)人：福华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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