一种大电流高压二极管封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大电流高压二极管封装结构，包括二极管芯片、阳极端部引线和阴极端部引线，所述阳极端部引线连接于所述二极管芯片的阳极端部，所述阴极端部引线连接于所述二极管芯片的阴极端部，有益效果：本申请的装置结构简单，增加与空气或者变压器油接触的面积，缩短了芯片到电路板上铜箔的距离，进而提升散热效果，相当于架设了快速通道。相当于架设了快速通道。相当于架设了快速通道。

【技术实现步骤摘要】
一种大电流高压二极管封装结构


[0001]本技术涉及高压二极管封装
，具体来说，涉及一种大电流高压二极管封装结构。

技术介绍

[0002]二极管是用半导体材料制成的一种电子器件，它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通，当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止；因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开，二极管具有单向导电性能，导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极，二极管是最早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。
[0003]现有的普通二极管散热主要是靠塑封的管体和引线，管体只占散热量的四分之一或三分之一，导热系数低。
[0004]针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现思路

[0005]针对相关技术中的问题，本技术提出一种大电流高压二极管封装结构，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
[0006]本技术的技术方案是这样实现的：
[0007]一种大电流高压二极管封装结构，包括二极管芯片，
[0008]阳极端部引线，连接于所述二极管芯片的阳极端部；
[0009]阴极端部引线，连接于所述二极管芯片的阴极端部；
[0010]加粗引线，连接于所述阳极端部引线与所述二极管芯片之间、和/或所述阴极端部引线与所述二极管芯片的之间。
[0011]优选的，所述阳极端部引线与所述二极管芯片之间、和/或所述阴极端部引线与所述二极管芯片的之间通过焊接点连接。
[0012]优选的，所述焊接点的焊接面上具有弧形倒角。
[0013]优选的，一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，还包括：
[0014]塑封外壳，覆盖于所述二极管芯片的外侧，且为柱状结构。
[0015]优选的，所述加粗引线为铜质柱状结构。
[0016]优选的，所述加粗引线的直径小于所述塑封外壳的直径。
[0017]优选的，所述加粗引线的一端位于所述塑封外壳内部，另一端位于所述塑封外壳的外部。
[0018]优选的，所述加粗引线的直径等于所述塑封外壳的直径。
[0019]优选的，所述加粗引线位于所述塑封外壳端部的外侧。
[0020]本技术提供了一种大电流高压二极管封装结构，有益效果如下：
[0021]通过在二极管芯片的两端设有阳极端部引线和阴极端部引线，且加粗引线连接于所述阳极端部引线与所述二极管芯片之间、和/或所述阴极端部引线与所述二极管芯片的之间，增加与环境的接触面积，主要增加跟空气或者变压器油接触，而且贴近管芯，与管芯距离近，散热效果好，加粗引线的热阻非常低，从而相当于缩短了芯片到电路板上铜箔的距离，进而提升散热效果，本申请的装置结构简单，增加与空气或者变压器油接触的面积，缩短了芯片到电路板上铜箔的距离，进而提升散热效果，相当于架设了快速通道。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是根据本技术实施例的一种大电流高压二极管封装结构的主视图；
[0024]图2是根据本技术实施例的一种大电流高压二极管封装结构的结构示意图；
[0025]图3是根据本技术实施例的一种大电流高压二极管封装结构中加粗引线直径小于塑封外壳直径的结构示意图。
[0026]图4是根据本技术实施例的一种大电流高压二极管封装结构中加粗引线直径等与塑封外壳直径的结构示意图。
[0027]图中：
[0028]1、二极管芯片；2、阳极端部引线；3、阴极端部引线；4、加粗引线；5、焊接点；6、弧形倒角；7、塑封外壳。
具体实施方式
[0029]为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。
[0030]请参阅图1
‑
4，根据本技术实施例的一种大电流高压二极管封装结构，包括二极管芯片1，
[0031]阳极端部引线2，连接于所述二极管芯片1的阳极端部；
[0032]阴极端部引线3，连接于所述二极管芯片1的阴极端部；
[0033]加粗引线4，连接于所述阳极端部引线2与所述二极管芯片1之间、和/或所述阴极端部引线3与所述二极管芯片1的之间，增加与环境的接触面积，主要增加跟空气或者变压器油接触，而且贴近管芯，与管芯距离近，散热效果好，加粗引线4的热阻非常低，从而相当于缩短了芯片到电路板上铜箔的距离，进而提升散热效果。
[0034]在一实施例中，请参阅说明书附图1和2所示，所述阳极端部引线2与所述二极管芯片1之间、和/或所述阴极端部引线3与所述二极管芯片1的之间通过焊接点5连接，所述焊接点5的焊接面上具有弧形倒角6。设置的弧形倒角6使电场分布比较均匀。
[0035]在一实施例中，请参阅说明书附图1
‑
4所示，一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，还包括：
[0036]塑封外壳7，覆盖于所述二极管芯片1的外侧，且为柱状结构，所述加粗引线4为铜质柱状结构，增加了散热的效果。
[0037]在一实施例中，请参阅说明书附图3所示，所述加粗引线4的直径小于所述塑封外壳7的直径，所述加粗引线4的一端位于所述塑封外壳7内部，另一端位于所述塑封外壳7的外部。
[0038]在一实施例中，请参阅说明书附图4所示，所述加粗引线4的直径等于所述塑封外壳7的直径，所述加粗引线4位于所述塑封外壳7端部的外侧。
[0039]在实际应用时，在二极管芯片1的两端设有阳极端部引线2和阴极端部引线3，加粗引线4连接于所述阳极端部引线2与二极管芯片1之间、和/或阴极端部引线3与二极管芯片1的之间，增加与环境的接触面积，主要增加跟空气或者变压器油接触，而且贴近管芯，与管芯距离近，散热效果好，加粗引线4的热阻非常低，从而相当于缩短了芯片到电路板上铜箔的距离，进而提升散热效果，本申请的装置结构简单，增加与空气或者变压器油接触的面积，缩短了芯片到电路板上铜箔的距离，进而提升散热效果，相当于架设了快速通道。
[0040]虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，包括：二极管芯片，阳极端部引线，连接于所述二极管芯片的阳极端部；阴极端部引线，连接于所述二极管芯片的阴极端部；加粗引线，连接于所述阳极端部引线与所述二极管芯片之间、和/或所述阴极端部引线与所述二极管芯片的之间。2.根据权利要求1所述的一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，所述阳极端部引线与所述二极管芯片之间、和/或所述阴极端部引线与所述二极管芯片的之间通过焊接点连接。3.根据权利要求2所述的一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，所述焊接点的焊接面上具有弧形倒角。4.根据权利要求1所述的一种大电流高压二极管封装结构，其特征在于，还包括：塑封外壳，覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：王诗雪，张裕，董春红，
申请(专利权)人：北京市天润中电高压电子有限公司，
类型：新型
国别省市：