一种MOS管用散热型封装结构制造技术

技术编号:38979972 阅读:23 留言:0更新日期:2023-10-03 22:14
本实用新型专利技术公开了一种MOS管用散热型封装结构,涉及MOS管技术领域。包括底壳,所述底壳的两侧镶嵌有支承铜块,且支承铜块的一端延伸至底壳中,所述支承铜块上安置有引线框架,且引线框架的两侧设置有引脚,所述引线框架的底部贴附有导热硅胶片,且导热硅胶片的底部贴附有下导热铜片,所述下导热铜片的两折弯脚延伸至底壳外。该MOS管用散热型封装结构,利用引线框架作为中间热传媒介,联接外露的支承铜块和下导热铜片,从而增大与外面空气的接触面积,可以使内部封装的芯片快速散去热量,同时设置的上导热铜片可进一步增加与外面空气的接触面积,提高MOS管的散热面积,从而提高MOS管的散热性能,延长MOS管的使用寿命。延长MOS管的使用寿命。延长MOS管的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种MOS管用散热型封装结构


[0001]本技术涉及MOS管
,具体为一种MOS管用散热型封装结构。

技术介绍

[0002]MOS管在电路中一般用作电子开关,在开关电源中,常用MOS管的漏极开路电路,漏极原封不动地接负载,叫开路漏极,开路漏极电路中不管负载接多高的电压,都能够接通和关断负载电流,是理想的模拟开关器件。
[0003]目前一些MOS管通常通过贴合剂进行封装固定,但由于MOS管的外壳紧密连接,从而使外壳内的零件无法良好的散热,在MOS管长时间使用中,MOS管内的热量无法快速的挥发,从而影响到MOS管的使用寿命。

技术实现思路

[0004]本技术提供了一种MOS管用散热型封装结构,以解决
技术介绍
中的问题。
[0005]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种MOS管用散热型封装结构,包括底壳,所述底壳的两侧镶嵌有支承铜块,且支承铜块的一端延伸至底壳中,所述支承铜块上安置有引线框架,且引线框架的两侧设置有引脚,所述引线框架的底部贴附有导热硅胶片,且导热硅胶片的底部贴附有下导热铜片,所述下导热铜片的两折弯脚延伸至底壳外,所述底壳上卡接有顶盖,且顶盖上嵌装有上导热铜片。
[0006]进一步的,所述底壳的两侧开设有条形嵌口,所述支承铜块位于条形嵌口中。
[0007]进一步的,所述条形嵌口上开设有避位口,所述引脚的一端自避位口向外延伸。
[0008]进一步的,所述底壳的底部两端开设有通口,所述下导热铜片的两折弯脚自通口向外延伸。
[0009]进一步的,所述下导热铜片的两折弯脚与底壳底部平齐,并紧贴于底壳底部上。
[0010]进一步的,所述顶盖上设有阶梯嵌口,所述上导热铜片位于阶梯嵌口中。
[0011]与现有技术相比,本技术提供了一种MOS管用散热型封装结构,具备以下有益效果:
[0012]该MOS管用散热型封装结构,利用引线框架作为中间热传媒介,联接外露的支承铜块和下导热铜片,从而增大与外面空气的接触面积,可以使内部封装的芯片快速散去热量,同时设置的上导热铜片可进一步增加与外面空气的接触面积,提高MOS管的散热面积,从而提高MOS管的散热性能,延长MOS管的使用寿命。
附图说明
[0013]图1为本技术的结构示意图;
[0014]图2为本技术的侧视图;
[0015]图3为本技术的俯视图。
[0016]图中:1、底壳;2、支承铜块;3、引线框架;4、引脚;5、导热硅胶片;6、下导热铜片;7、
顶盖;8、上导热铜片;9、条形嵌口;10、避位口;11、通口;12、阶梯嵌口。
具体实施方式
[0017]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0018]请参阅图1

图3,本技术公开了一种MOS管用散热型封装结构,包括底壳1,所述底壳1的两侧镶嵌有支承铜块2,且支承铜块2的一端延伸至底壳1中,所述支承铜块2上安置有引线框架3,且引线框架3的两侧设置有引脚4,所述引线框架3的底部贴附有导热硅胶片5,且导热硅胶片5的底部贴附有下导热铜片6,所述下导热铜片6的两折弯脚延伸至底壳1外,所述底壳1上卡接有顶盖7,且顶盖7上嵌装有上导热铜片8,利用引线框架3作为中间热传媒介,联接外露的支承铜块2和下导热铜片6,从而增大与外面空气的接触面积,可以使内部封装的芯片快速散去热量,同时设置的上导热铜片8可进一步增加与外面空气的接触面积,提高MOS管的散热面积,从而提高MOS管的散热性能,延长MOS管的使用寿命。
[0019]具体的,所述底壳1的两侧开设有条形嵌口9,所述支承铜块2位于条形嵌口9中。
[0020]本实施方案中,条形嵌口9为装配结构,用于对安装的支承铜块2起到限位和固定的作用。
[0021]具体的,所述条形嵌口9上开设有避位口10,所述引脚4的一端自避位口10向外延伸。
[0022]本实施方案中,避位口10为避位结构,以便于通过引脚4联接外部电路。
[0023]具体的,所述底壳1的底部两端开设有通口11,所述下导热铜片6的两折弯脚自通口11向外延伸。
[0024]本实施方案中,通口11为避位结构,以便于下导热铜片6能够将内部热量向外导出。
[0025]具体的,所述下导热铜片6的两折弯脚与底壳1底部平齐,并紧贴于底壳1底部上。
[0026]本实施方案中,下导热铜片6的两折弯脚紧贴于底壳1的底部,使其能够与封装外壳契合在一起。
[0027]具体的,所述顶盖7上设有阶梯嵌口12,所述上导热铜片8位于阶梯嵌口12中。
[0028]本实施方案中,阶梯嵌口12为装配结构,用于对安装的上导热铜片8起到限位和固定的作用。
[0029]在使用时,利用引线框架3(其作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架3)作为中间热传媒介,联接外露的支承铜块2和下导热铜片6,从而增大与外面空气的接触面积,可以使内部封装的芯片快速散去热量,同时设置的上导热铜片8可进一步增加与外面空气的接触面积,提高MOS管的散热面积,从而提高MOS管的散热性能,延长MOS管的使用寿命。
[0030]综上所述,该MOS管用散热型封装结构,利用引线框架3作为中间热传媒介,联接外露的支承铜块2和下导热铜片6,从而增大与外面空气的接触面积,可以使内部封装的芯片
快速散去热量,同时设置的上导热铜片8可进一步增加与外面空气的接触面积,提高MOS管的散热面积,从而提高MOS管的散热性能,延长MOS管的使用寿命。
[0031]尽管已经示出和描述了本技术的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS管用散热型封装结构,包括底壳(1),其特征在于:所述底壳(1)的两侧镶嵌有支承铜块(2),且支承铜块(2)的一端延伸至底壳(1)中,所述支承铜块(2)上安置有引线框架(3),且引线框架(3)的两侧设置有引脚(4),所述引线框架(3)的底部贴附有导热硅胶片(5),且导热硅胶片(5)的底部贴附有下导热铜片(6),所述下导热铜片(6)的两折弯脚延伸至底壳(1)外,所述底壳(1)上卡接有顶盖(7),且顶盖(7)上嵌装有上导热铜片(8)。2.根据权利要求1所述的一种MOS管用散热型封装结构,其特征在于:所述底壳(1)的两侧开设有条形嵌口(9),所述支承铜块(2)位于条形嵌口(9)中。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:林松陈金松王佳琳
申请(专利权)人:深圳市拓锋半导体科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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