一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路制造技术

技术编号:34410579 阅读:18 留言:0更新日期:2022-08-03 22:02
本发明专利技术公开了一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路,涉及保护电路技术领域,包括电源输入电路、电源输出电路、集成电路DW01、DW01供电电路、电流取样电路以及开关保护电路,所述集成电路DW01进一步包括6个引脚,6个引脚分别为第1脚OD、第2脚CSI、第3脚OC、第4脚NC、第5脚电源VDD以及第6脚VSS。该应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路,充分利用了集成电路DW01高精确度的电压电流检测性能和过充、过放、过流、自恢复功能,拓展集成电路DW01的应用范围,提高了供电电路的电源电压,而不仅限于单节锂电池的工作电压,直流电源输入过压保护、输出过流保护、短路保护电路保护性能良好。性能良好。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路


[0001]本专利技术涉及保护电路
,具体为一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路。

技术介绍

[0002]锂电池保护电路,是为了避免锂电池因过充电、过放电、电流过大导致电池寿命缩短或电池被损坏而设计的电路。
[0003]现有技术中,由于锂电池保护电路的工作电压低,所以常规应用仅限于单节锂电保护电路,很难对锂电池保护电路的应用范围进行拓展。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路,包括电源输入电路、电源输出电路、集成电路DW01、DW01供电电路、电流取样电路以及开关保护电路;
[0006]所述开关保护电路分别连接于电源输入电路的负端VIN

和电源输出电路的负端VOUT

,所述开关保护电路的控制端连接于集成电路DW01的第1脚OD或第3脚OC;所述电源输入电路的正电源V+通过DW01供电电路连接到集成电路DW01的第5脚VDD,所述集成电路DW01的第6脚VSS接电源输入电路的地VIN

;所述电流取样电路连接于电源输出电路的负端VOUT

和集成电路DW01的第2脚CSI。
[0007]进一步优化本技术方案,所述集成电路DW01进一步包括6个引脚,6个引脚分别为第1脚OD、第2脚CSI、第3脚OC、第4脚NC、第5脚电源VDD以及第6脚VSS。
[0008]进一步优化本技术方案,所述集成电路DW01进一步包括7个功能模块,7个功能模块分别为时钟电路模块、过放检测模块、过充检测模块、短路检测模块、过流检测模块、充电检测模块以及控制逻辑模块;所述短路检测模块、过流检测模块、充电检测模块、过放检测模块以及过充检测模块的输出端均连接在时钟电路模块的输入端,所述时钟电路模块的输出端连接在逻辑控制模块的输入端。
[0009]进一步优化本技术方案,所述6个引脚进一步包括以下具体内容:
[0010]第1脚OD,用于放电控制、FET门限连接管脚;
[0011]第2脚CSI,用于电流感应输入管脚以及充电器检测;
[0012]第3脚OC,用于充电控制、FET门限连接管脚;
[0013]第4脚NC,用于限于封装形式,无连接;
[0014]第5脚VDD,用于正电源输入管脚;
[0015]第6脚VSS,用于负电源输入管脚。
[0016]进一步优化本技术方案,所述锂电池集成电路在进行直流输出过流保护、短路保
护应用时,所述DW01供电电路由电阻R1和R4、稳压二极管D1、滤波电容C1组成;所述开关保护电路由MOSFET Q1组成;所述电流取样电路由电阻R2组成。
[0017]进一步优化本技术方案,所述锂电池集成电路在进行直流输出过流保护、短路保护应用时,所述DW01供电电路由稳压电源U2、电阻R1、滤波电容C1和C2组成;所述开关保护电路由MOSFET Q1组成;所述电流取样电路由电阻R2和R3构成。
[0018]进一步优化本技术方案,所述锂电池集成电路在进行直流输出过流保护、短路保护应用时,所述DW01供电电路由稳压电源U2、电阻R1、R4、R5、R6、电容C1、C2、C3组成;所述开关保护电路由MOSFET Q1组成;所述电流取样电路由电阻R2和R3组成。
[0019]进一步优化本技术方案,所述直流输出过流保护、短路保护的过流保护点与集成电路DW01的过电流1检测电压、过电流2检测电压和MOSFET Q1的内阻有关,计算方法如下所示:
[0020]过流点=集成电路DW01的过电流1检测电压/MOSFET Q1的导通内阻;
[0021]短路过流点=集成电路DW01的过电流2检测电压/MOSFET Q1的导通内阻。
[0022]进一步优化本技术方案,所述直流输出过流保护、短路保护的过流保护点除与集成电路DW01的过电流1检测电压、过电流2检测电压和MOSFET Q1的内阻有关外,还与稳压电源U2、电阻R2、R3有关,稳压电源U2的稳定电压通过R2、R3分压接到DW01的第2脚,计算方法如下所示:
[0023]过流点=[集成电路DW01的过电流1检测电压

稳压电源U2稳压值*R2/(R2+R3)]/MOSFET Q1的导通内阻;
[0024]短路过流点=[集成电路DW01的过电流2检测电压

稳压电源U2稳压值*R2/(R2+R3)]/MOSFET Q1的导通内阻。
[0025]进一步优化本技术方案,所述锂电池集成电路在进行直流输入过压保护应用时,所述DW01供电电路由电阻R1、R7、电容C1组成;所述开关保护电路由MOSFET Q1组成。
[0026]与现有技术相比,本专利技术提供了一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路,具备以下有益效果:
[0027]该应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路,充分利用了集成电路DW01高精确度的电压电流检测性能和过充、过放、过流、自恢复功能,拓展集成电路DW01的应用范围,提高了供电电路的电源电压,而不仅限于单节锂电池的工作电压;同时输入过压保护的电压值可设置,输出过流保护的过流值可设置,直流电源输入过压保护、输出过流保护、短路保护电路保护性能良好。
附图说明
[0028]图1为本专利技术提出的一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路的电路图;
[0029]图2为本专利技术提出的一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路的直流输出过流保护、短路保护应用电路图之一;
[0030]图3为本专利技术提出的一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路的直流输出过流保护、短路保护应用电路图之二;
[0031]图4为本专利技术提出的一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路的直流输出过流保护、短路保护应用电路图之三;
[0032]图5为本专利技术提出的一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路的直流输入过压保护应用电路图;
[0033]图6为本专利技术在一种实施例下集成电路DW01的典型应用电路图;
[0034]图7为本专利技术中的集成电路DW01引脚排布图;
[0035]图8为本专利技术提出的一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路的功能框图;
[0036]图9为本专利技术中的集成电路DW01的电气特性参数图。
具体实施方式
[0037]下面将结合本专利技术的实施例,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0038]实施例一:
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路,其特征在于,包括电源输入电路、电源输出电路、集成电路DW01、DW01供电电路、电流取样电路以及开关保护电路;所述开关保护电路分别连接于电源输入电路的负端VIN

和电源输出电路的负端VOUT

,所述开关保护电路的控制端连接于集成电路DW01的第1脚OD或第3脚OC;所述电源输入电路的正电源V+通过DW01供电电路连接到集成电路DW01的第5脚VDD,所述集成电路DW01的第6脚VSS接电源输入电路的地VIN

;所述电流取样电路连接于电源输出电路的负端VOUT

和集成电路DW01的第2脚CSI。2.根据权利要求1所述的一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路,其特征在于,所述集成电路DW01进一步包括6个引脚,6个引脚分别为第1脚OD、第2脚CSI、第3脚OC、第4脚NC、第5脚电源VDD以及第6脚VSS。3.根据权利要求1所述的一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路,其特征在于,所述集成电路DW01进一步包括7个功能模块,7个功能模块分别为时钟电路模块、过放检测模块、过充检测模块、短路检测模块、过流检测模块、充电检测模块以及控制逻辑模块;所述短路检测模块、过流检测模块、充电检测模块、过放检测模块以及过充检测模块的输出端均连接在时钟电路模块的输入端,所述时钟电路模块的输出端连接在逻辑控制模块的输入端。4.根据权利要求2所述的一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路,其特征在于,所述6个引脚进一步包括以下具体内容:第1脚OD,用于放电控制、FET门限连接管脚;第2脚CSI,用于电流感应输入管脚以及充电器检测;第3脚OC,用于充电控制、FET门限连接管脚;第4脚NC,用于限于封装形式,无连接;第5脚VDD,用于正电源输入管脚;第6脚VSS,用于负电源输入管脚。5.根据权利要求1所述的一种应用于直流电源电路保护的锂电池集成电路,其特征在于,所述锂电池集成电路在进行直流输出过流保护、短路保护应用时,所述DW01供电电路由电阻R1和R4、稳压二极管D1、滤波电容C1组成;所述开关保护电路由MOSFET Q1...

【专利技术属性】
技术研发人员:王佳琳林榕林松周国平卢帅卫陈斌
申请(专利权)人:深圳市拓锋半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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