【技术实现步骤摘要】
处理液供给装置及其检查方法、基板处理装置
[0001]本专利技术涉及一种处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给装置的检查方法。
技术介绍
[0002]在制造半导体或平板显示器等的制造工序中,使用如下的处理装置,其通过对设在半导体晶片或玻璃基板等基板的表面的膜供给蚀刻用的处理液来进行蚀刻,以形成所期望的电路图案。
[0003]例如,对旋转的基板供给处理液以逐片地进行处理的逐片式处理装置比起使多片浸渍于处理液中而统一进行处理的批次式的处理装置,能够使针对各基板的处理的均匀性高度一致,因此伴随近年的电路图案的微细化而得到广泛利用。
[0004]但是,在逐片式的处理装置中,由于是逐片地进行处理,因此若不缩短一片一片的处理时间,则生产性将比批次式差。因此,若既要维持高处理性能,又要提高生产性,则必须以短时间进行偏差少的处理。在批次式中,处理液的温度、浓度等参数的变动只要在处理前的处理槽内耗费时间来调整后浸渍即可。但是,在逐片式中,供给至基板的处理液必须以影响工艺性能的参数始终成为固定状态的方式来供给。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种处理液供给装置,向利用处理液对基板进行处理的处理装置供给所述处理液,所述处理液供给装置具有:储槽,储存所述处理液;供给路径,从所述储槽向所述处理装置供给所述处理液;加热部,对所述处理液进行加热;温度计,对所述处理液的温度进行测定;浓度计,对所述处理液的浓度进行测定;以及检查部,对所述浓度计进行检查,所述检查部具有:温度设定部,基于设置有所述处理液供给装置的场所的大气压、与预先设定的所述处理液的蒸气压曲线,将达到规定浓度的沸点温度设定为规定温度;加热控制部,通过利用所述加热部对所述处理液进行加热,达到以所述规定温度为基准的规定范围内的目标温度;以及判定部,判定由所述浓度计测定的达到所述目标温度的所述处理液的浓度是否为以所述规定浓度为基准的规定范围内的目标浓度。2.根据权利要求1所述的处理液供给装置,其中所述加热控制部在由所述判定部判定为并非所述目标浓度而是比所述目标浓度高的情况下,通过所述处理液的稀释,在所述处理液达到比所述目标浓度低的浓度、比所述目标温度低的温度后,利用所述加热部使所述处理液再次加热而达到所述目标温度,所述判定部再次判定利用所述浓度计测定的达到所述目标温度的所述处理液的浓度是否为所述目标浓度。3.根据权利要求2所述的处理液供给装置,具有输出部,所述输出部在由所述判定部再次判定为并非所述目标浓度的情况下,输出通知所述情况的信息。4.根据权利要求1至3中任一项所述的处理液供给装置,具有清洗处理部,所述清洗处理部...
【专利技术属性】
技术研发人员:古矢正明,小林浩秋,森秀树,
申请(专利权)人:芝浦机械电子装置株式会社,
类型:发明
国别省市:
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