布线电路基板制造技术

布线电路基板具备金属支承基板，形成于金属支承基板上的绝缘层，形成于绝缘层上的、具有隔着间隔配置的１对配线的导体布图，以及形成于绝缘层上的、与金属支承基板及导体布图电连接的半导电性层；导体布图具有１对配线间的间隔狭小的第１区域和１对配线间的间隔比第１区域宽的第２区域；半导电性层被设置于第２区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及布线电路基板，具体涉及安装电子零部件的带电路的悬挂基板 等布线电路基板。
技术介绍
带电路的悬挂基板等布线电路基板例如具备由不锈钢箔等形成的金属支 承基板、形成于金属支承基板上的、由聚酰亚胺树脂等构成的基底绝缘层，形 成于基底绝缘层上的、由铜箔等构成的导体布图，以及形成于基底绝缘层上的、 由聚酰亚胺树脂构成的被覆导体布图的被覆绝缘层。该布线电路基板被广泛地 应用于各种电器或电子设备领域。为了防止在该布线电路基板上所安装的电子零部件的静电破坏，提出了在 带电路的悬挂基板的被覆绝缘层和基底绝缘层的表面依次层叠金属薄膜和氧 化金属层以形成半导电体层，利用该半导电体层除去所带静电的技术方案(例 如，参照日本专利特开2004-335700号公报)。此外，提出了在绝缘层的表面形成半导电体层后，形成贯通绝缘层和半导 电体层的贯通孔使导体层露出，在该贯通孔形成连接端子，使半导电体层和连 接端子接触，藉此除去绝缘层和导体层所带静电的技术方案(例如，参照曰本 专利特开2003-152383号公报)。
技术实现思路
但是，日本专利特开2004-335700号公报中，半导电体层仅形成于被覆绝 缘层和基底绝缘层的表面，因此导体层所带静电的除去不够充分，无法切实防 止所安装的电子零部件的静电破坏。此外，日本专利特开2003-152383号公报中，半导电体层不是导体层，与连接端子接触，连接端子未形成时，无法除去导体层所带静电。因此，如图12的斜线部分和图13所示，带电路的悬挂基板31中，半导电性层35在俯视下与被覆绝缘层36处于同一位置，在被覆绝缘层36和导体布图34、 基底绝缘层33及金属支承基板32的各表面之间连续形成，尝试利用该半导电性 层35除去导体布图34所带静电。但是，在形成有上述半导电性层35的带电路的悬挂基板31的1对配线37间 (l对配线37a及37b间或l对配线37c及37d间)，形成导体布图34的导体材料沿着 半导电性层35迁移(离子迁移)，结果造成1对配线37短路。此外，导体布图34通常在带电路的悬挂基板31的前端部及后端部之间的中 间区域Rl内以l对配线37a及b之间的间隔狭窄的状态形成，在前端部和后端部 的两端区域R2内以l对配线37a和b之间的间隔较宽的状态形成。因此，如果被 覆绝缘层36以包含第1区域R1及第2区域R2的状态形成，半导电性层35形成于与 该被覆绝缘层36相同的位置，则形成于第1区域R1的半导电性层35与第2区域R2 的半导电性层35相比，l对配线37a和b之间的间隔狭小，导体布图34出现早期 短路。本专利技术的目的是提供能够有效地除去静电带电，且可防止导体布图的早期 短路的布线电路基板。本专利技术的布线电路基板的特征在于，具备金属支承基板，形成于前述金属 支承基板上的绝缘层，形成于前述绝缘层上的、具有隔着间隔配置的1对配线 的导体布图，以及形成于前述绝缘层上的、与前述金属支承基板及前述导体布 图电连接的半导电性层；前述导体布图具有1对前述配线间的间隔狭小的第1 区域和1对前述配线间的间隔比前述第1区域宽的第2区域；前述半导电性层 被设置于前述第2区域。较好的是本专利技术的布线电路基板中，前述第2区域中的l对前述配线间的 间隔在20 u m以上。较好的是本专利技术的布线电路基板中，至少1对前述配线被相对配置，且电 位各异，在l对前述配线的对向区域的外侧一方，前述半导电性层与前述金属 支承基板电连接，被覆绝缘层被形成于前述半导电性层上。较好的是本专利技术的布线电路基板中，在1对前述配线的对向区域的外侧一 方，前述半导电性层与前述金属支承基板接触。较好的是本专利技术的布线电路基板中，在1对前述配线的对向区域的外侧一 方，贯通厚度方向的开口部形成于前述绝缘层，在从前述开口部露出的前述金 属支承基板上设置有与前述金属支承基板和前述半导电性层接触的接地连接5部。本专利技术的布线电路基板具备与金属支承基板和导体布图电连接的半导电 性层。因此，导体布图介以半导电性层与金属支承基板电连接，能够有效除去 导体布图所带静电。而且，本专利技术的布线电路基板中，半导电性层在导体布图 中被设置于1对配线间的间隔较宽的第2区域。所以，在l对配线间形成导体布 图的导体材料即使沿着半导电性层迁移，但由于它们的间隔比第l区域的该间 隔宽，因此导体布图的短路被延迟，可防止导体布图的早期短路。其结果是，可切实地防止所安装的电子零部件的静电破坏，而且可长期实 现布线电路基板的连接可靠性的提高。另外，本专利技术的布线电路基板的其特征在于，具备金属支承基板，形成于 前述金属支承基板上的绝缘层，形成于前述绝缘层上的、具有隔着间隔配置的 l对配线的导体布图，以及形成于前述绝缘层上的、与前述金属支承基板及前 述导体布图电连接的半导电性层；前述半导电性层在l对前述配线间确保20iim 以上的长度而形成。本专利技术的布线电路基板中，半导电性层在l对配线间确保20y m以上的长度 而形成。因此，形成导体布图的导体材料即使沿着半导电性层迁移，也可延迟 导体布图的短路，可有效防止导体布图的早期短路。其结果是，可切实地防止所安装的电子零部件的静电破坏，而且可长期有 效地实现布线电路基板的连接可靠性的提高。附图说明图l为表示作为本专利技术的布线电路基板的实施方式之一(半导电性层介以 接地连接部与金属支承基板电连接的形态)的带电路的悬挂基板的平面示意图。图2为图1所示的带电路的悬挂基板的宽度方向的截面图，左侧图为后端区 域的图1的A-A线截面图，右侧图为中间区域的图1的B-B线截面图。图3为表示图2所示的带电路的悬挂基板的制造工序的截面图，左侧图与后 端区域的图1的A-A线截面图对应，右侧图与中间区域的图1的B-B线截面图对 应，(a)为准备金属支承基板的工序，(b)为在金属支承基板上形成基底绝缘层 并形成基底开口部的工序，(c)为同时形成导体布图和接地连接部的工序，(d) 为在导体布图、接地连接部、基底绝缘层和金属支承基板的整个面连续形成半导电性层的工序。图4接续图3，为表示图2所示的带电路的悬挂基板的制造工序的截面图， 左侧图与后端区域的图1的A-A线截面图对应，右侧图与中间区域的图1的B-B线 截面图对应，(e)为在后端区域中，在半导电性层上以布图形成第l被覆绝缘层 的工序，(f)为除去从第l被覆绝缘层露出的半导电性层的工序，(g)为在第l被 覆绝缘层及基底绝缘层上以布图形成第2被覆绝缘层的工序。图5为表示作为图3及图4所示的带电路的悬挂基板的制造工序的一部分的 其它制造工序的截面图，(a)为在后端区域中，在半导电性层上以布图形成蚀 刻保护膜的工序，(b)为除去从蚀刻保护膜露出的半导电性层的工序，(c)为除 去蚀刻保护膜的工序，(d)为在半导电性层及基底绝缘层上以布图形成被覆绝 缘层的工序。图6为作为本专利技术的布线电路基板的另一实施方式(半导电性层与金属支 承基板直接接触的形态，且半导电性层介于导体布图和被覆绝缘层之间的形态) 的带电路的悬挂基板的宽度方向的截面图，左侧图为与后端区域的图1的A-A线 截面图对应的截面图，右侧图为与中间区域的图1的B-B线截面图对应的截面图。图7为作为本专利技术的布线电路基板的另一实施方式(半导电性层与金属支 承基板直接接触的形态，且半导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
布线电路基板，其特征在于，具备　金属支承基板，　形成于前述金属支承基板上的绝缘层，　形成于前述绝缘层上的、具有隔着间隔配置的两个１对配线的导体布图，所述导体布图具有第１个１对配线以及第２个１对配线，以及　形成于前述绝 缘层上的、与前述金属支承基板及前述导体布图电连接的半导电性层；　前述第１个１对配线上形成第１半导电性层，　前述第２个１对配线上形成第２半导电性层，　前述第１半导电性层以及前述第２半导电性层分别独立形成，　前述第１半导 电性层以及前述第２半导电性层分别与前述金属支承基板电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：石井淳，大薮恭也，V塔维普斯皮波恩，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]