本申请提供一种静电防护电路，包括泄放单元，泄放单元与电源焊盘、接地焊盘以及I/O焊盘连接，能够在电源焊盘、接地焊盘以及I/O焊盘中的任意一个焊盘上有静电脉冲时泄放静电电荷，泄放单元占用芯片面积较小，减少芯片成本。并且泄放单元包括第一泄放单元和第二泄放单元，第一泄放单元与第二泄放单元、电源焊盘以及I/O焊盘连接，第二泄放单元与接地焊盘以及I/O焊盘连接，则第一泄放单元和/或第二泄放单元能够分别泄放不同焊盘上的静电电荷，提高静电防护电路的泄放能力。护电路的泄放能力。护电路的泄放能力。
【技术实现步骤摘要】
静电防护电路
[0001]本申请涉及但不限于一种静电防护电路。
技术介绍
[0002]静电无处不在，假如没有静电防护电路，一块芯片很快会被由于各种各样原因而引入静电所损伤，并且几乎会被一击致命。随着半导体集成工艺的不断发展，半导体器件的特征尺寸越来越小，静电放电ESD（Electro
‑
Static discharge）对其影响越来越大。
[0003]因此，芯片中通常设有静电防护电路，静电防护电路用于及时泄放静电电荷，避免被保护电路由于承受静电电荷所带来高压而失效，甚至烧毁。
技术实现思路
[0004]本申请提供一种静电防护电路，旨在提供一种泄放能力增强且占用芯片面积减少的静电防护电路。
[0005]第一方面，本申请提供一种静电防护电路，芯片包括电源焊盘、接地焊盘以及I/O焊盘，所述静电防护电路包括：泄放单元，所示泄放单元与所示电源焊盘、所述接地焊盘以及所述I/O焊盘连接；在所述电源焊盘、所述接地焊盘以及所述I/O焊盘中任意一个有静电脉冲时通过所述泄放单元泄放静电电荷；其中，所述泄放单元包括第一泄放单元和第二泄放单元，所述第一泄放单元与所述第二泄放单元、所述电源焊盘、以及所述I/O焊盘连接，所述第二泄放单元与所述接地焊盘以及所述I/O焊盘连接。
[0006]在一实施例中，所述第一泄放单元包括：第一泄放三极管，其发射极连接所述电源焊盘；第二泄放三极管，其基极连接所述第一泄放三极管的集电极，其发射极连接所述I/O焊盘；第三泄放三极管，其发射极与所述电源焊盘连接，其基极连接所述第一泄放三极管（的基极。
[0007]在一实施例中，所述第一泄放单元还包括：第一电阻，其第一端连接所述电源焊盘，其第二端连接所述第二泄放三极管的集电极；第二电阻，其第一端连接所述第一泄放三极管的集电极，其第二端连接所述I/O焊盘。
[0008]在一实施例中，所述第二泄放单元包括：第四泄放三极管，其发射极与所述I/O焊盘连接；第五泄放三极管，其发射极与所述接地焊盘连接，其集电极与所述第四泄放三极管的集电极；
双向三极管，其第一端连接所述第四泄放三极管的基极，其第二端连接所述第五泄放三极管的基极。
[0009]在一实施例中，所述第二泄放单元包括：第三电阻，其第一端连接所述I/O焊盘，其第二端连接双向三极管的第一端；第四电阻，其第一端连接双向三极管的第二端；其第二端连接所述接地焊盘。
[0010]在一实施例中，所述双向三极管的基极连接所述第一泄放三极管的基极，所述第三泄放三极管的集电极连接所述双向三极管的第二端。
[0011]在一实施例中，所述静电防护电路还包括：触发单元，其连接于所述I/O焊盘和所述接地焊盘之间，其触发端连接所述双向三极管的基极，其触发端还连接所述第一泄放三极管的基极。
[0012]在一实施例中，所述第一泄放三极管、所述第三泄放三极管以及双向三极管为PNP型三极管；所述第二泄放三极管、所述第五泄放三极管以及所述第四泄放三极管为NPN型三极管。
[0013]在一实施例中，所述第二泄放单元包括：在所述I/O焊盘上有正电脉冲时双向三极管的第一端作为发射极；双向三极管在所述I/O焊盘上的正电脉冲的触发下导通，形成所述I/O焊盘到所述电源焊盘的第一泄放路径；其中，所述第一泄放路径包括第三电阻、所述双向三极管的发射极到所述双向三极管的基极、以及第一电阻。
[0014]在一实施例中，在所述I/O焊盘上有负电脉冲时触发单元产生第一触发信号；所述第一泄放三极管和所述第二泄放三极管在所述第一触发信号的触发下导通，形成所述电源焊盘和所述I/O焊盘之间的第二泄放路径。
[0015]在一实施例中，在所述I/O焊盘上有正电脉冲时触发单元产生第二触发信号；所述双向三极管和第五泄放三极管在所述第二触发信号的触发下导通，形成所述I/O焊盘到所述接地焊盘之间的第三泄放路径。
[0016]在一实施例中，所述双向三极管的第二端作为发射极；触发单元还用于在所述I/O焊盘上有负电脉冲时产生第三触发信号；所述双向三极管和第四泄放三极管在所述第三触发信号的触发下导通，形成接地焊盘到所述I/O焊盘之间的第四泄放路径。
[0017]在一实施例中，触发单元还用于在所述电源焊盘上有静电脉冲时产生第四触发信号；第三泄放三极管和所述第五泄放三极管在所述第四触发信号的触发下导通，形成所述电源焊盘到所述接地焊盘之间的第五泄放路径。
[0018]在一实施例中，在所述接地焊盘上有静电脉冲时所述双向三极管导通，形成所述接地焊盘和所述电源焊盘之间的第六泄放路径。
[0019]在一实施例中，触发单元包括：级联二极管，其正极端作为所述触发单元的触发端；第一二极管，其负极端连接所述I/O焊盘，其正极端连接所述级联二极管的负极
端；第二二极管，其正极端连接所述第一二极管的负极端，其负极端连接所述接地焊盘。
[0020]在一实施例中，所述级联二极管包括多个第三二极管；上一个第三二极管的正极端连接下一个第三二极管的负极端，位于头部的所述第三二极管的正极端作为所述级联二极管的正极端，位于尾部的所述第三二极管的负极端作为所述级联二极管的负极端。
[0021]本申请实施例提供一种静电防护电路，包括泄放单元，泄放单元与电源焊盘、接地焊盘以及I/O焊盘连接，能够在电源焊盘、接地焊盘以及I/O焊盘中的任意一个焊盘上有静电脉冲时泄放静电电荷，泄放单元占用芯片面积较小，减少芯片成本。并且泄放单元包括第一泄放单元和第二泄放单元，第一泄放单元与第二泄放单元、电源焊盘以及I/O焊盘连接，第二泄放单元与接地焊盘以及I/O焊盘连接，则第一泄放单元和/或第二泄放单元能够分别泄放不同焊盘上的静电电荷，提高静电防护电路的泄放能力。
附图说明
[0022]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
[0023]图1为本申请一实施例提供的静电防护电路的具体电路图；图2为本申请另一实施例提供的静电防护电路的具体电路图；图3为本申请一实施例提供的静电防护电路的具体电路图；图4为本图3所示实施例提供的静电防护电路的半导体结构的剖面图；图5为本图3所示实施例提供的静电防护电路的半导体结构的俯视图。
[0024]通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。
具体实施方式
[0025]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0026]本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的专利技术后，将容易想到本申请的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种静电防护电路，其特征在于，芯片包括电源焊盘、接地焊盘以及I/O焊盘，所述静电防护电路包括：泄放单元，所述泄放单元与所述电源焊盘、所述接地焊盘以及所述I/O焊盘连接；在所述电源焊盘、所述接地焊盘以及所述I/O焊盘中任意一个有静电脉冲时通过所述泄放单元泄放静电电荷；其中，所述泄放单元包括第一泄放单元和第二泄放单元，所述第一泄放单元与所述第二泄放单元、所述电源焊盘以及所述I/O焊盘连接，所述第二泄放单元与所述接地焊盘以及所述I/O焊盘连接。2.根据权利要求1所述的静电防护电路，其特征在于，所述第一泄放单元包括：第一泄放三极管，其发射极连接所述电源焊盘；第二泄放三极管，其基极连接所述第一泄放三极管的集电极，其发射极连接所述I/O焊盘；第三泄放三极管，其发射极与所述电源焊盘连接，其基极连接所述第一泄放三极管的基极。3.根据权利要求2所述的静电防护电路，其特征在于，所述第一泄放单元还包括：第一电阻，其第一端连接所述电源焊盘，其第二端连接所述第二泄放三极管的集电极；第二电阻，其第一端连接所述第一泄放三极管的集电极，其第二端连接所述I/O焊盘。4.根据权利要求2所述的静电防护电路，其特征在于，所述第二泄放单元包括：第四泄放三极管，其发射极与所述I/O焊盘连接；第五泄放三极管，其发射极与所述接地焊盘连接，其集电极与所述第四泄放三极管的集电极；双向三极管，其第一端连接所述第四泄放三极管的基极，其第二端连接所述第五泄放三极管的基极。5.根据权利要求4所述的静电防护电路，其特征在于，所述第二泄放单元包括：第三电阻，其第一端连接所述I/O焊盘，其第二端连接双向三极管的第一端；第四电阻，其第一端连接双向三极管的第二端；其第二端连接所述接地焊盘。6.根据权利要求4所述的静电防护电路，其特征在于，所述双向三极管的基极连接所述第一泄放三极管的基极，所述第三泄放三极管的集电极连接所述双向三极管的第二端。7.根据权利要求4所述的静电防护电路，其特征在于，所述静电防护电路还包括：触发单元，其连接于所述I/O焊盘和所述接地焊盘之间，其触发端连接所述双向三极管的基极，其触发端还连接所述第一泄放三极管的基极。8.根据权利要求4所述的静电防护电路，其特征在于，所述第一泄放三极管、所述第三泄放三极管以及双向三极管为PNP型三极管；所述第二泄放三极管、所述第五泄放三极管以及所述第四泄放三极管为...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛盼，张英韬，刘俊杰，朱玲欣，宋彬，许杞安，吴铁将，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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