半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的形成方法，通过以第一沉积速率在半导体衬底上沉积第一氧化硅层，并以第二沉积速率在第一氧化硅层上沉积第二氧化硅层，第二沉积速率低于第一沉积速率，如此，可以使第二氧化硅层以低的第二沉积速率缓慢的沉积在第一氧化硅层表面上，避免了界面缺陷，由此可以为第一非晶硅层提供较好的接触面。以及，以低频射频的方式在第二氧化硅层上沉积第一非晶硅层，如此一来，可以降低第二沉积工艺的工艺气体的轰击强度，由此使第一非晶硅层与第二氧化硅层之间具有较好的接触面，提高氧化硅层和非晶硅层之间的粘附性，从而改善片状缺陷。而改善片状缺陷。而改善片状缺陷。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体器件的形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制备过程中，通常需要在半导体衬底上非晶硅(a
‑
Si)层，非晶硅层可作为硬掩模。非晶硅层与半导体衬底之间通常形成有氧化硅层，即，氧化硅层形成于半导体衬底表面，非晶硅层形成于氧化硅层表面。然而，非晶硅层表面具有许多不完整的悬挂H键，导致在氧化硅层表面上非晶硅层时，容易出现非晶硅层与氧化硅层的接触界面差，粘附性小，进而导致在部分区域出现片状缺陷的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的形成方法，以提高非晶硅层与氧化硅层之间的粘附性。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：
[0005]提供半导体衬底；
[0006]采用第一沉积工艺，以第一沉积速率在所述半导体衬底上沉积第一氧化硅层，并以第二沉积速率在所述第一氧化硅层上沉积第二氧化硅层，所述第二沉积速率低于所述第一沉积速率；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；采用第一沉积工艺，以第一沉积速率在所述半导体衬底上沉积第一氧化硅层，并以第二沉积速率在所述第一氧化硅层上沉积第二氧化硅层，所述第二沉积速率低于所述第一沉积速率；以及，采用第二沉积工艺，以低频射频的方式在所述第二氧化硅层上沉积第一非晶硅层，并以高频射频的方式在所述第一非晶硅层上沉积第二非晶硅层。2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一沉积工艺和所述第二沉积工艺均为等离子体增强化学气相沉积工艺。3.如权利要求1或2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第一沉积工艺中，通过第一硅源和一反应气体形成所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层。4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一氧化硅层时，所述第一硅源的气体流量为110sccm～130sccm；在形成所述第二氧化硅层时，所述第一硅源的气...

【专利技术属性】
技术研发人员：相广欣，魏想，贡禕琪，曾招钦，鲍宇，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：