半导体结构及其制备方法技术

本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，解决半导体结构的良率低的技术问题，该制备方法包括：提供晶圆，晶圆具有正面和与正面相对设置的背面；在晶圆的背面上形成多个划痕，多个划痕形成呈预设划痕图案的非晶层；以预设划痕图案为掩膜图案，去除部分非晶层，以在非晶层中形成多个间隔设置的沟槽。本申请能够减小晶圆与晶圆机台之间的接触面积，降低表面摩擦力，延长了晶圆机台的寿命，减小了晶圆机台的误差传递至晶圆，增大了晶圆在制备过程中的套刻精度，提升了半导体结构的良率。良率。良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]晶圆，是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可以加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的IC产品。
[0003]相关技术中，在晶圆上制备各种电路元件结构，通常是将晶圆装载在晶圆机台上，机台上形成有涂层，涂层包括多个支撑凸起，支撑凸起支撑于晶圆的背面，以实现对晶圆的支撑和固定。
[0004]然而，随着晶圆机台的寿命缩减，支撑凸起的尖锐程度被逐渐磨平，晶圆与晶圆机台之间的接触面积增大，晶圆机台的误差传递至晶圆，导致晶圆在后续工艺中的套刻误差增大，从而导致半导体结构的良率降低的技术问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题，本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法，能够减小晶圆与晶圆机台之间的接触面积，降低表面摩擦力，延长了晶圆机台的寿命，减小了晶圆机台的误差传递至晶圆，增大了晶圆在制备过程中的套刻精度，提升了半导体结构的良率。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆具有正面和与所述正面相对设置的背面；在所述晶圆的所述背面上形成多个划痕，多个所述划痕形成呈预设划痕图案的非晶层；以所述预设划痕图案为掩膜图案，去除部分所述非晶层，以在所述非晶层中形成多个间隔设置的沟槽。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述晶圆的背面上形成多个划痕的步骤中，包括：采用化学机械研磨工艺对所述晶圆的所述背面进行研磨。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，以所述预设划痕图案为掩膜图案，去除部分所述非晶层，以在所述非晶层中形成多个间隔设置的沟槽的步骤中，包括：以所述预设划痕图案为掩膜图案，利用刻蚀溶液选择性刻蚀所述非晶层，以在所述非晶层中形成多个间隔设置的所述沟槽。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，利用刻蚀溶液选择性刻蚀所述非晶层的步骤中，包括：利用刻蚀溶液以各...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛薄辉，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：