复合薄膜及其制备方法技术

本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，包括依次层叠设置的陶瓷基板、隔离层和有源层；其中，陶瓷基板的材质包括尖晶石、氧化铝、氧化镁、莫来石、堇青石、氧化钙、二氧化钛、氮化铝、二氧化硅、氮化硅和碳化硅中的至少一者。由于陶瓷基板中具有空位缺陷，能够捕获载流子，避免载流子移动至与隔离层接触的表面，进而避免复合薄膜发生表面寄生电导效应，解决了现有技术中具有硅材质的衬底层的复合薄膜易发生表面寄生电导效应的问题。另外，本申请的陶瓷基板的价格相较现有技术中的硅材质的衬底层价格低，即，在提高复合薄膜性能的同时，降低了复合薄膜的生产成本。降低了复合薄膜的生产成本。降低了复合薄膜的生产成本。

【技术实现步骤摘要】
复合薄膜及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种复合薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]薄膜材料能够满足电子元器件向小型化、低功耗以及高性能方向发展的要求，因此，其在半导体行业成为越来越重要的材料。近年来，一种具有绝缘体的薄膜材料越来越引起工业界的重视，其在CPU芯片、存储器、放大器、滤波器、调制器等器件中都展现出良好的应用性能。
[0003]目前，在相关技术中，薄膜材料包括自上至下依次设置有源层、绝缘层和衬底层，其中，有源层与绝缘层为主要的功能层，以实现光、电和声等信号的传播。
[0004]由于，绝缘层靠近衬底层的界面上存在很多的缺陷能级，当绝缘层与衬底层直接接触时，缺陷能级会将衬底层中的载流子吸引至绝缘层与衬底层的接触界面附近，进而产生表面寄生电导效应(Parasitic Surface Conductance，PSC)，导致衬底层的有效电阻率变小，最终影响薄膜材料的整体性能。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，用以解决现有技术中的复合薄膜产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合薄膜，其特征在于，包括：依次层叠设置的陶瓷基板(100)、隔离层(200)和有源层(300)；所述隔离层(200)用于将所述陶瓷基板(100)与所述有源层(300)隔离开；所述有源层(300)用于实现光电功能；所述陶瓷基板(100)的材质包括尖晶石、氧化铝、氧化镁、莫来石、堇青石、氧化钙、二氧化钛、氮化铝、二氧化硅、氮化硅和碳化硅中的至少一者。2.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述陶瓷基板(100)的介电损耗小于1*10
‑4；和/或，所述陶瓷基板(100)的热膨胀系数的范围为3
‑
10*10
‑6m/K；和/或，所述陶瓷基板(100)的热导率大于10W*(mk)
‑1；和/或，所述陶瓷基板(100)的杨氏模量的范围为200
‑
500GPa；和/或，所述陶瓷基板(100)的泊松比的范围为0.1
‑
0.3；和/或，所述陶瓷基板(100)的电阻率大于10kohm.cm。3.根据权利要求1或2所述的复合薄膜，其特征在于，所述隔离层(200)的材质包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝和氮化铝中的至少一者。4.根据权利要求1或2所述的复合薄膜，其特征在于，所述有源层(300)包括酸锂晶体、钽酸锂晶体、砷化镓、硅、陶瓷、四硼酸锂、砷化镓、磷酸钛氧钾、磷酸钛氧铷晶体和石英中的至少一者。5.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜还包括缺陷层(400)，所述陶瓷基板(100)、所述缺陷层(400)、所述隔离层(200)和所述有源层(300)依次层叠设置。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨超，胡文，刘亚明，张秀全，李真宇，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：