一种硅片清洗方法及硅片清洗设备技术

本申请提供了一种硅片清洗方法及硅片清洗设备，通过调换关键步骤的顺序，将DHF清洗步骤提前至SC1清洗前，同时去除了现有技术中的SC2清洗环节，配合常温QDR步骤，可有效冲洗清除多余的金属离子，采取本方法制备的可大幅降低抛光片时间雾的产生，减少因时间雾问题造成的大量产成品返工，提升产品的质量。提升产品的质量。提升产品的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片清洗方法及硅片清洗设备


[0001]本专利技术涉及一种硅片清洗方法及硅片清洗设备，属于半导体材料


技术介绍

[0002]随着技术的进步，器件尺寸不断减小，对硅抛光片表面质量具有了更严格的要求，因此对抛光后的最终清洗提出了严格的要求。最终清洗的目的是去除晶圆表面颗粒、有机物、金属离子等杂质并控制表面微粗糙度，此外，还需控制晶圆表面在储藏过程中不出现时间依赖性雾(简称时间雾，TDH，time
‑
dependent haze)。TDH其实为硅抛光片表面的高密度的表面颗粒(大于0.13μm)，这些颗粒在强聚光灯下会发生散射，使得硅片表面呈现雾状的外观。由于时间雾是在后续存放过程中产生的，不可提前预测与检测，并对后续的器件加工有非常致命的影响，因此需要在生产过程中进行工艺改进，以防止后续时间雾的产生。
[0003]目前解决这类问题的方法一般是对表面进行RCA标准清洗，即采用SC
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1液和SC
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2液、DHF溶液的重新返洗，部分时间雾比较严重的抛光片需要返抛光处理。现有技术CN本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01:将处理好的硅片在室温下进行DHF清洗液清洗1~2min，随后进行快速高纯水冲洗10~15min，其中在DHF清洗液中，以体积比记，氢氟酸：水=1:100~150；步骤S02：将步骤S01得到的硅片进行SC
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1清洗液兆声清洗5~10min，兆声清洗温度为40~60℃，随后进行快速高纯水冲洗10~15min，其中在SC1清洗液中，以体积比计，氨水：双氧水：水=1:2:50；步骤S03：将步骤S02得到的硅片在室温下再次进行DHF清洗液清洗10~60s，随后进行快速高纯水冲洗10~15min，其中在DHF清洗液中，以体积比记，氢氟酸：水=1:100~150；步骤S04：对步骤S03得到的硅片进行干燥、封装后得到最终硅片产品。2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于：所述步骤S01、步骤S02、步骤S03可重复进行多次。3.根据权利要求2所述的硅片清洗方法，其特征在于：步骤S01、步骤S03为1次，步骤S02的次数为2次。4.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于：所述步骤S01、步骤S02、步骤S03中快速高纯水的流量为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗先刚，张阳，向遥，曾鑫，高平，袁胜豪，
申请(专利权)人：天府兴隆湖实验室，
类型：发明
国别省市：