基板处理方法和基板处理系统技术方案

本发明专利技术提供一种基板处理方法和基板处理系统，在进行超临界干燥处理时防止或者至少抑制形成于基板的表面的图案的损坏。基板处理方法包括：脱气工序，去除处理液中的溶解气体；液膜形成工序，将被去除了所述溶解气体的所述处理液供给到基板的表面，来形成覆盖所述基板的表面的所述处理液的液膜；搬入工序，将形成有所述液膜的所述基板搬入到处理容器；以及超临界干燥工序，将被搬入了形成有所述液膜的所述基板的所述处理容器内的压力维持为使所述处理流体维持超临界状态的压力，并且使所述处理流体流通到所述处理容器内，由此利用所述处理流体置换覆盖所述基板的表面的所述处理液，之后通过使所述处理流体气化来使所述基板的表面干燥。面干燥。面干燥。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理系统


[0001]本公开涉及一种基板处理方法和基板处理系统。

技术介绍

[0002]在用于在作为基板的半导体晶圆(下面，称作晶圆)等的表面形成集成电路的层叠结构的半导体装置的制造工序中，进行利用液体对晶圆表面进行处理的处理工序，例如通过药液等清洗液来去除晶圆表面的微小灰尘、自然氧化膜等。
[0003]已知一种在通过这样的处理工序来去除残留于晶圆的表面的液体时使用超临界状态的处理流体的方法。例如在专利文献1中公开了一种利用超临界流体从基板上溶解有机溶剂并使晶圆干燥的基板处理装置。
[0004]在专利文献1的基板处理装置中，在处理装置内通过药液等清洗液来进行晶圆的表面的清洗。在清洗后的晶圆的表面盛放有作为处理液的有机溶剂。将盛放有机溶剂的晶圆从清洗装置搬送到超临界处理装置，在超临界处理装置内，使用超临界状态的处理流体来进行晶圆的干燥处理。通过像这样在晶圆的表面盛放有机溶剂，来防止清洗后的晶圆的表面在被在超临界处理装置内进行干燥处理之前干燥，从而防止微粒的产生。
[0005]现有技术文献
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，包括：脱气工序，去除处理液中的溶解气体；液膜形成工序，将被去除了所述溶解气体的所述处理液供给到基板的表面，来形成覆盖所述基板的表面的所述处理液的液膜；搬入工序，将形成有所述液膜的所述基板搬入到处理容器；以及超临界干燥工序，将被搬入了形成有所述液膜的所述基板的所述处理容器内的压力维持为使处理流体维持超临界状态的压力，并且使所述处理流体流通到所述处理容器内，由此利用所述处理流体来置换覆盖所述基板的表面的所述处理液，之后通过使所述处理流体气化来使所述基板的表面干燥。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述脱气工序包括将所述处理液加热到低于沸点的温度。3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，所述脱气工序包括：将贮存有所述处理液的容器的内部设为非活性气体气氛，并且将所述容器内贮存的所述处理液加热到低于该处理液的沸点的温度。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，所述非活性气体为氮气或氩气。5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述脱气工序包括：对贮存有所述处理液的容器进行减压排气。6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述脱气工序包括：对所述处理液施加超声波振动来使所述处理液中产生气泡；以及从所述处理液中去除所述气泡。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：五师源太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：