基板处理方法和基板处理系统技术方案

本发明专利技术提供一种基板处理方法和基板处理系统，在进行超临界干燥处理时防止或者至少抑制形成于基板的表面的图案的损坏。基板处理方法包括：脱气工序，去除处理液中的溶解气体；液膜形成工序，将被去除了所述溶解气体的所述处理液供给到基板的表面，来形成覆盖所述基板的表面的所述处理液的液膜；搬入工序，将形成有所述液膜的所述基板搬入到处理容器；以及超临界干燥工序，将被搬入了形成有所述液膜的所述基板的所述处理容器内的压力维持为使所述处理流体维持超临界状态的压力，并且使所述处理流体流通到所述处理容器内，由此利用所述处理流体置换覆盖所述基板的表面的所述处理液，之后通过使所述处理流体气化来使所述基板的表面干燥。面干燥。面干燥。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理系统


[0001]本公开涉及一种基板处理方法和基板处理系统。

技术介绍

[0002]在用于在作为基板的半导体晶圆(下面，称作晶圆)等的表面形成集成电路的层叠结构的半导体装置的制造工序中，进行利用液体对晶圆表面进行处理的处理工序，例如通过药液等清洗液来去除晶圆表面的微小灰尘、自然氧化膜等。
[0003]已知一种在通过这样的处理工序来去除残留于晶圆的表面的液体时使用超临界状态的处理流体的方法。例如在专利文献1中公开了一种利用超临界流体从基板上溶解有机溶剂并使晶圆干燥的基板处理装置。
[0004]在专利文献1的基板处理装置中，在处理装置内通过药液等清洗液来进行晶圆的表面的清洗。在清洗后的晶圆的表面盛放有作为处理液的有机溶剂。将盛放有机溶剂的晶圆从清洗装置搬送到超临界处理装置，在超临界处理装置内，使用超临界状态的处理流体来进行晶圆的干燥处理。通过像这样在晶圆的表面盛放有机溶剂，来防止清洗后的晶圆的表面在被在超临界处理装置内进行干燥处理之前干燥，从而防止微粒的产生。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2019
‑
33246号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]本公开提供一种在进行超临界干燥处理时能够防止或者至少抑制形成于基板的表面的图案的损坏的技术。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]本公开的一个实施方式所涉及的基板处理方法包括：脱气工序，去除处理液中的溶解气体；液膜形成工序，将被去除了所述溶解气体的所述处理液供给到基板的表面，来形成覆盖所述基板的表面的所述处理液的液膜；搬入工序，将形成有所述液膜的所述基板搬入到处理容器；以及超临界干燥工序，将被搬入了形成有所述液膜的所述基板的所述处理容器内的压力维持为使所述处理流体维持超临界状态的压力，并且使所述处理流体流通到所述处理容器内，由此利用所述处理流体来置换覆盖所述基板的表面的所述处理液，之后通过使所述处理流体气化来使所述基板的表面干燥。
[0012]专利技术的效果
[0013]根据本公开的上述实施方式，在进行超临界干燥处理时能够防止或者至少抑制形成于基板的表面的图案的损坏。
附图说明
[0014]图1是基板处理装置的一个实施方式所涉及的基板处理系统的概要横剖截面图。
[0015]图2是示出图1的基板处理系统中包括的单片式液处理单元的一个结构例的概要截面图。
[0016]图3是示出图1的基板处理系统中包括的超临界干燥单元的一个结构例的概要截面图。
[0017]图4是对用于供给在图2的单片式液处理单元中使用的IPA的IPA供给机构以及设置于该IPA供给机构的用于脱气的结构进行说明的配管结构图。
[0018]图5是示出由于气泡的生成导致的图案的损坏的示意图。
具体实施方式
[0019]下面，参照附图来说明本公开的基板处理装置的一个实施方式所涉及的基板处理系统1。为了简化与方向有关的说明，设定XYZ正交坐标系，并在图1的左下部示出。Z方向是上下方向，Z正方向是上方向。
[0020]如图1所示，基板处理系统1具备控制装置100。控制装置100由计算机构成，具备运算处理部101和存储部102。在存储部102保存有用于控制在基板处理系统1中执行的各种处理的程序(也包括处理制程)。运算处理部101通过读出并执行存储部102中存储的程序，来控制后述的基板处理系统1的各构成要素的动作，执行后述的一系列处理。控制装置100可以具备键盘、触摸面板、显示器等用户接口。上述的程序可以记录于可由计算机读取的存储介质，并从该存储介质安装于控制装置100的存储部102。作为可由计算机读取的存储介质，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
[0021]基板处理系统1具备搬入搬出部(搬出搬入站)2和处理部(处理站)6。
[0022]搬入搬出部2具备容器载置部21和第一搬送部22。能够在容器载置部21载置多个基板搬送容器C(例如FOUP)。在各基板搬送容器C内，在铅垂方向上隔开间隔地以水平姿势收容多张基板W(例如半导体晶圆)。
[0023]第一搬送部22与容器载置部21相邻地设置。在第一搬送部22的内部设置有第一基板搬送机器人(第一基板搬送机构)23和交接单元(交接部)24。第一基板搬送机器人23具备用于保持基板W的、作为末端执行器的基板保持机构。第一基板搬送机器人23能够沿水平方向及铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴线为中心转动。第一基板搬送机器人23在容器载置部21上的基板搬送容器C与交接单元24之间进行基板W的搬送。
[0024]处理部6与第一搬送部22相邻地设置。在处理部6设置有一个以上的单片式液处理单元61、进行被单片式液处理单元61处理后的基板W的超临界干燥的一个以上的超临界干燥单元62、以及第二基板搬送机器人(第二基板搬送机构)63。在一个实施方式中，可以将多个单片式液处理单元61以及多个超临界干燥单元62上下层叠地设置于图1所示的位置。
[0025]第二基板搬送机器人63具备能够通过多轴驱动机构631进行移动的末端执行器，所述多轴驱动机构631能够沿X方向及Y方向移动、沿Z方向进行升降，并且能够绕垂直轴转动。末端执行器是能够将一张基板以水平姿势保持的、例如叉形状的基板保持器具632。第二基板搬送机器人63(尤其是其末端执行器)通过在搬送空间64内移动，能够在交接单元24、单片式液处理单元61以及超临界干燥单元62之间进行基板的搬送。在利用第二基板搬
送机器人63进行搬送的期间，基板W始终被维持为水平姿势。
[0026]在搬送空间64内设置有用于喷出氮气的氮气供给部65。从例如作为场务设施而提供的氮气供给源向氮气供给部65供给氮气。可以设置排出搬送空间64内的气氛以促进搬送空间64内的氮气吹扫的排气部66。从提高吹扫效率的观点出发，优选将氮气供给部65与排气部66设置于彼此分离的位置。在图1中概要性地示出的氮气供给部65可以设置于长方体形状的搬送空间64的顶壁，在该情况下，氮气供给部65在搬送空间64中形成氮气的下降流。或者，氮气供给部65可以设置于搬送空间64的侧壁，在该情况下，氮气供给部65在搬送空间64中形成氮气的测流。
[0027]在处理部6的搬送空间64与交接单元24之间设置有隔壁67，在该隔壁67设置有具有适度的气密性的门(未图示)。该未图示的门仅在基板W通过该门时打开。通过该结构，能够防止由于从搬送空间64向第一搬送部22漏出氮气而使氮气被无谓地消耗，另外，还能够防止从搬送空间64向基板处理系统1的周围环境漏出氮气。
[0028]作为单片式液处理单元61，能够使用在半导体制造装置的
中公知的任意的单片式液处理单元。参照图2在下面简单地说明在本实施方式中能够使用的单片式液处理单元61的结构例。单片式液处理单元61具备能够将基板W以水平本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，包括：脱气工序，去除处理液中的溶解气体；液膜形成工序，将被去除了所述溶解气体的所述处理液供给到基板的表面，来形成覆盖所述基板的表面的所述处理液的液膜；搬入工序，将形成有所述液膜的所述基板搬入到处理容器；以及超临界干燥工序，将被搬入了形成有所述液膜的所述基板的所述处理容器内的压力维持为使处理流体维持超临界状态的压力，并且使所述处理流体流通到所述处理容器内，由此利用所述处理流体来置换覆盖所述基板的表面的所述处理液，之后通过使所述处理流体气化来使所述基板的表面干燥。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述脱气工序包括将所述处理液加热到低于沸点的温度。3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，所述脱气工序包括：将贮存有所述处理液的容器的内部设为非活性气体气氛，并且将所述容器内贮存的所述处理液加热到低于该处理液的沸点的温度。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，所述非活性气体为氮气或氩气。5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述脱气工序包括：对贮存有所述处理液的容器进行减压排气。6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述脱气工序包括：对所述处理液施加超声波振动来使所述处理液中产生气泡；以及从所述处理液中去除所述气泡。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：五师源太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：