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本申请提供了一种硅片清洗方法及硅片清洗设备，通过调换关键步骤的顺序，将DHF清洗步骤提前至SC1清洗前，同时去除了现有技术中的SC2清洗环节，配合常温QDR步骤，可有效冲洗清除多余的金属离子，采取本方法制备的可大幅降低抛光片时间雾的产生，减...
该专利属于天府兴隆湖实验室所有，仅供学习研究参考，未经过天府兴隆湖实验室授权不得商用。

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