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本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，解决半导体结构的良率低的技术问题，该制备方法包括：提供晶圆，晶圆具有正面和与正面相对设置的背面；在晶圆的背面上形成多个划痕，多个划痕形成呈预设划痕图案的非晶层；以预设划痕图案为掩膜图...
该专利属于长鑫科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫科技集团股份有限公司授权不得商用。

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